摘要
从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧形成凹口。当热平衡时,由于导带中电子从 n 区到 p 区所遇到的势垒大于价带中空穴从 p 区到 n 区的势垒,所以,通过势垒的主要是空穴流。讨论了 p-Zn-Te/n-CdTe 异质结的制作方法及工艺问题。最后,给出了测试结果。
In the view of fundamental theory of optoelectronic effect,the depen- dence of the materials on band gap width Eg,thin film and heterojunction is ana- lyzed.The junction region structure of p-ZnTe/n-CdTe heterojunction is also ana- lyzed on the basis of the heterojunction theory.The faorication technology of the heterojunction is discussed.And the measurement results are given.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期161-166,共6页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
太阳电池
化合物半导体
异质结
Solar Cell
Ⅱ-Ⅵ Compound Semicoductor
p-ZnTe/n-CdTe Heterojunction
Band
