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Non-fullerene acceptor pre-aggregates enable high efficiency pseudo-bulk heterojunction organic solar cells 被引量:2
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作者 Donghui Li Chuanhang Guo +12 位作者 Xue Zhang Baocai Du Cong Yu Pang Wang Shili Cheng Liang Wang Jinlong Cai Hui Wang Dan Liu Huifeng Yao Yanming Sun Jianhui Hou Tao Wang 《Science China Chemistry》 SCIE EI CSCD 2022年第2期373-381,共9页
Pseudo-bulk heterojunction(BHJ)fabricated by sequential casting of donor and acceptor layers has been recently demonstrated as a superior structure to prepare organic solar cells(OSCs)with enhanced efficiency compared... Pseudo-bulk heterojunction(BHJ)fabricated by sequential casting of donor and acceptor layers has been recently demonstrated as a superior structure to prepare organic solar cells(OSCs)with enhanced efficiency compared to the conventional BHJ OSCs cast from a common solution of donors and acceptors.However,molecular diffusion and aggregation within the pseudo-BHJ layer bring great challenges to fully realize the advantage of pseudo-BHJ structure.Herein,a solution-incubated pre-aggregation strategy is employed to tune the nanoscale aggregates of non-fullerene acceptor(NFA)BTP-e C11 and N3 to substantially enhance device power-conversion efficiency(PCE).NFA pre-aggregates are incubated in solutions via aging or adding antisolvent,and then sequentially cast onto D18 fibrillar network,which then penetrate to form a pseudo-BHJ structure with appropriate domain sizes to ensure superior charge mobilities.While the conventional pseudo-BHJ OSCs obtain inferior PCEs below 17%compared with normal BHJ OSCs,NFA pre-aggregates help to achieve remarkable PCEs of 17.7%and 17.5%for D18/BTP-e C11 and D18/N3 pseudo-BHJ OSCs.This work demonstrates that the solution-incubated nanoscale pre-aggregation is an efficient approach to regulate molecular diffusion and aggregation to guarantee high performance pseudo-BHJ OSCs. 展开更多
关键词 non-fullerene acceptors pre-aggregate pseudo-bulk heterojunction organic solar cells
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基于Nios Ⅱ和USB接口的工业CT数据采集模块测试系统设计 被引量:2
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作者 高富强 江仁清 +2 位作者 卢华 曹鹏 安康 《电子器件》 CAS 2007年第6期2096-2099,共4页
基于Nios Ⅱ软核处理器和USB接口设计了一种工业CT数据采集模块测试系统.论述了系统的方案设计、硬件设计、软件设计.利用Nios Ⅱ进行设计简化了系统结构,提高了设计灵活性,优化了系统性能.在USB传输中应用了伪中断批量传输方式,很好地... 基于Nios Ⅱ软核处理器和USB接口设计了一种工业CT数据采集模块测试系统.论述了系统的方案设计、硬件设计、软件设计.利用Nios Ⅱ进行设计简化了系统结构,提高了设计灵活性,优化了系统性能.在USB传输中应用了伪中断批量传输方式,很好地满足了数据传输量和实时性的要求.实际使用结果表明,该系统数据传输字节出错率小于1×10-7,数据传输速度达370 kbyte/s,可成功地应用于工业CT数据采集模块的测试. 展开更多
关键词 数据采集 工业CT NIOS USB接口 伪中断 批量传输
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一种抑制辐射闭锁的新方法 被引量:3
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作者 许献国 胡健栋 徐曦 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期446-449,共4页
从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法—伪闭锁路径法。详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果。伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不... 从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法—伪闭锁路径法。详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果。伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动。 展开更多
关键词 体硅CMOS器件 闭锁效应 伪闭锁路径法
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伪闭锁路径法的应用
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作者 许献国 徐曦 +1 位作者 胡健栋 赵刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期43-45,48,共4页
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光I”瞬... 在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光I”瞬时辐照试验表明,该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低,只有1.3×104Gy(Si)/s,能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁。 展开更多
关键词 体硅 CMOS器件 闭锁 伪闭锁路径法 单片机
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铝盐沉淀法制备低堆比假一水软铝石的研究 被引量:1
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作者 刘冬 叶志良 +5 位作者 曹晶 王志斌 许艺 吴沛成 沈文霞 周钰明 《化工时刊》 CAS 2003年第7期29-32,共4页
研究了铝盐沉淀法制备假—水软铝石过程中各因素对水合产物物性的影响规律。提出了制备低堆比的高纯假—水软铝石的方法。用NH_4HCO_3或(NH_4)_2/CO_3溶液做洗涤介质有效降低了假—水软铝石中的杂质含量。采用加入晶种的方法制备了低堆... 研究了铝盐沉淀法制备假—水软铝石过程中各因素对水合产物物性的影响规律。提出了制备低堆比的高纯假—水软铝石的方法。用NH_4HCO_3或(NH_4)_2/CO_3溶液做洗涤介质有效降低了假—水软铝石中的杂质含量。采用加入晶种的方法制备了低堆比、含有大孔的假—水软铝石。 展开更多
关键词 铝盐沉淀法 制备 低堆比 假-水软铝石 晶种
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A 0.4 V Bulk-Driven Amplifier for Low-Power Data Converter Applications
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作者 R. Rezaei A. Ahmadpour M. N. Moghaddasi 《Circuits and Systems》 2013年第1期106-116,共11页
This paper presents the design of an ultra low-voltage (ULV) pseudo operational transconductance amplifier (P-OTA) that is able to operate with a single supply voltage as low as 0.4 V. The proposed circuit is based on... This paper presents the design of an ultra low-voltage (ULV) pseudo operational transconductance amplifier (P-OTA) that is able to operate with a single supply voltage as low as 0.4 V. The proposed circuit is based on the bulk-driven technique and use of cross-coupled self-cascode pairs that boosts the differential DC gain. The stability condition of this structure for the DC gain is considered by definition of two coefficients to cancel out a controllable percentage of the denominator. This expression for stability condition yield optimized value for the DC gain. Also, as the principle of operation of the proposed technique relies on matching conditions, Monte Carlo analyzes are considered to study of the behavior of the proposed circuit against mismatches. The designed P-OTA have a DC gain of 64 dB, 212 KHz unity gain bandwidth, 57phase margin that is loaded by 10 pF differential capacitive loads, while consume only 16 μW. Eventually, from the proposed P-OTA, a low-power Sample and Hold (S/H) circuit with sampling frequency of 10 KS/s has been designed and simulated. The correct functionality for this configuration is verified from –30℃ to 70℃. The simulated data presented is obtained using the HSPICE Environment and is valid for the 90 nm triple-well CMOS process. 展开更多
关键词 Pseudo Operational TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER (P-OTA) Bulk-Input Ultra LOW-VOLTAGE (ULV) Sample and HOLD (S/H) Circuit
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