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Non-ionic surfactant on particles removal in post-CMP cleaning 被引量:5
1
作者 孙铭斌 高宝红 +3 位作者 王辰伟 苗英新 段波 檀柏梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第2期156-160,共5页
The effect of a non-ionic surfactant on particles removal in post-CMP cleaning was investigated. By changing the concentration of the non-ionic surfactant, a series of experiments were performed on the 12 inch Cu patt... The effect of a non-ionic surfactant on particles removal in post-CMP cleaning was investigated. By changing the concentration of the non-ionic surfactant, a series of experiments were performed on the 12 inch Cu pattern wafers in order to determine the best cleaning results. Then the effect of the surfactant on the reduction of defects and the removal of particles was discussed in this paper. What is more, the negative effect of a non-ionic surfactant was also discussed. Based on the experiment results, it is concluded that the non-ionic surfactant could cause good and ill effects at different concentrations in the post-CMP cleaning process. This understanding will serve as a guide to how much surfactant should be added in order to achieve excellent cleaning performance. 展开更多
关键词 post-cmp cleaning non-ionic surfactant particle removal organic contamination
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多层互连结构CMP后清洗中SiO_(2)颗粒去除的研究进展
2
作者 张力飞 路新春 +1 位作者 闫妹 赵德文 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期101-116,共16页
SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸... SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附特性,综述了互连结构CMP后清洗技术和清洗液体系的原理、特点及研究现状。从颗粒清洗效率、表面质量、环境影响控制等多个维度对比了干法清洗和湿法清洗技术,分析了各类清洗技术的优势与局限性。此外,系统地探讨了pH调节剂、络合剂和表面活性剂等关键清洗液组分对颗粒去除的影响,从理论机制层面揭示了SiO_(2)磨料颗粒清洗所面临的核心挑战与解决方案;同时对未来互连结构CMP后清洗工艺的发展方向进行了前瞻性展望,旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。 展开更多
关键词 互连结构 化学机械抛光(CMP)后清洗 SiO_(2)颗粒 清洗技术 清洗液化学组分
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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果
3
作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页
为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗
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FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究 被引量:2
4
作者 邓海文 檀柏梅 +3 位作者 张燕 高宝红 王辰伟 顾张冰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期205-208,213,共5页
在化学机械抛光(CMP)过程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来... 在化学机械抛光(CMP)过程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果。通过改变FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果。通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1.50×10^-4-200×10^-4时,此时清洗液的pH值〉10,能有效去除Cu-BTA钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低。 展开更多
关键词 CMP后清洗 FA/OⅡ螯合剂 Cu-BTA钝化膜 接触角 粗糙度
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FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化 被引量:3
5
作者 邓海文 檀柏梅 +1 位作者 张燕 顾张冰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第10期91-94,共4页
采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面... 采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%,O-20活性剂体积分数为0.15%时,表面粗糙度值最小为1.39 nm,而且表面和界面均没有腐蚀。 展开更多
关键词 CMP后清洗 FA/O碱性清洗液 FA/OⅡ型螯合剂 O-20活性剂 粗糙度 非均匀化腐蚀
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CMP后的晶圆清洗过程研究 被引量:8
6
作者 张伟锋 周国安 詹阳 《电子工业专用设备》 2008年第6期28-32,共5页
伴随着整个CMP工艺的进步,CMP后清洗工艺技术也日趋关键。分析了引起缺陷和玷污的因素、微粒去除的理论研究以及清洗的方案;在清洗方案中详细论述了机械去除、化学湿法去除和兆声去除;最后指出了新的技术及发展趋势。
关键词 CMP ZETA电位 后清洗 兆声清洗
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镶嵌钨的化学机械抛光的研究 被引量:2
7
作者 刘玉岭 杨鸿波 +1 位作者 檀柏梅 梁存龙 《半导体杂志》 2000年第4期40-45,50,共7页
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
关键词 ULSI 化学机械抛光 集成电路
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CMP后清洗技术发展历程 被引量:5
8
作者 周国安 徐存良 《电子工业专用设备》 2013年第8期9-12,44,共5页
从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全... 从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全面阐述CMP工业界的后清洗发展历程。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 后清洗 RCA湿法清洗 在线清洗 集成清洗
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多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制 被引量:1
9
作者 唐继英 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 洪姣 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期553-557,564,共6页
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除... 有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP)后清洗 苯并三氮唑(BTA)去除 铜腐蚀 螯合剂 表面活性剂
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硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究
10
作者 刘楠 檀柏梅 +3 位作者 高宝红 田巧伟 杨志欣 黄妍妍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期928-933,共6页
化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,... 化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度。此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的。研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60%~100%时残留有机物去除效果最佳。作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP)后清洗 电化学 有机物 过氧焦磷酸盐 氧化液
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450 mm晶圆CMP设备技术现状与展望 被引量:2
11
作者 柳滨 周国安 《电子工业专用设备》 2014年第3期33-36,60,共5页
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术... 分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术的特点。最后指出随着晶圆制造厂激烈竞争和持续投资,对450 mm的CMP设备要求必有所突破。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 集成技术 多区域压力控制 终点检测 抛光垫修整 后清洗
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铜互连兆声清洗中结构损伤预测的有限元分析
12
作者 黄雅婷 孟春玲 +1 位作者 董秀萍 路新春 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2064-2070,共7页
尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结... 尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结构在兆声清洗过程中的应力分布及变形。基于ABAQUS软件,采用二维有限元模型对循环布线图形当中的一个典型元胞在空化气泡破裂冲击下的应力应变进行分析,并讨论了它的破坏形式和破坏规律。结果表明,最大应力集中在铜及low-k材料键合处将导致low-k材料分层。当线宽为22nm时,应力和结构变形达最大值,分别为1 379MPa和3.074nm;之后随线宽增加最大应力应变值均减小。另外,兆声频率增大不改变应力应变分布规律,对应力应变极值影响亦不明显。分析及预测结果与工业实践得到的结果相符。 展开更多
关键词 化学机械抛光 兆声清洗 铜互联 有限元分析
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向65nm工艺提升中的半导体清洗技术 被引量:2
13
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2005年第7期15-17,55,共4页
由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和... 由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。 展开更多
关键词 污染控制 圆片清洗 单圆片清洗 低足材料 高深宽比结构 CH P后清洗 法清洗
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CMP设备兆声清洗原理及应用 被引量:4
14
作者 史霄 郭春华 +1 位作者 杨师 熊朋 《电子工业专用设备》 2015年第11期32-35,共4页
从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键因素的影响,从而阐明兆声波清洗的特点及其适用场合。同时以AMAT公司的设备为例,介绍了兆声波清洗在CMP后... 从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键因素的影响,从而阐明兆声波清洗的特点及其适用场合。同时以AMAT公司的设备为例,介绍了兆声波清洗在CMP后清洗中的实际应用案例。 展开更多
关键词 兆声波清洗 兆声频率 化学机械平坦化 后清洗
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用于晶圆刷洗的同心卡接机构设计
15
作者 陶利权 熊朋 +2 位作者 蒲继祖 李嘉浪 费玖海 《电子工业专用设备》 2017年第1期53-55,共3页
在CMP后清洗工艺过程中,往往需要对机刷进行快速更换。针对以上需求,设计了一种用于晶圆刷洗的同心卡接机构,很好地解决了机刷更换过程同心度存在偏差及更换不便的问题,改善了晶圆表面清洗的效果。
关键词 CMP后清洗 晶圆刷洗 同心卡接机构
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铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展 被引量:2
16
作者 曲里京 高宝红 +2 位作者 王玄石 檀柏梅 刘玉岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期775-781,795,共8页
在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用... 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用机理及清洗效果。重点探讨了在清洗液中加入单一表面活性剂的作用机理和对颗粒的去除效果。对加入不同类型的表面活性剂复配后对颗粒的去除及其作用机理进行了分析和预测。相比于在清洗液中加入单一的表面活性剂,使用不同类型的表面活性剂按合适比例复配后会产生协同效应,因此能获得更好的颗粒去除效果。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 表面活性剂 CMP后清洗 颗粒去除 表面活性剂复配
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关于FA/O螯合剂降低铜布线片漏电流的研究 被引量:1
17
作者 苏伟东 刘玉岭 +4 位作者 高宝红 黄妍妍 田巧伟 刘楠 杨飞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第10期679-682,共4页
简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注。在CMP过程中产生的三种主要表面缺陷对漏电流都有一定的影响,但其中重... 简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注。在CMP过程中产生的三种主要表面缺陷对漏电流都有一定的影响,但其中重金属离子对漏电流的影响是最大的。通过使用不同浓度的FA/O螯合剂对铜布线片进行清洗,从而得出最佳的去除金属离子降低漏电流的清洗浓度。为了防止FA/O螯合剂对铜线条造成腐蚀,采用在清洗液中加入缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)来有效控制铜线条的表面腐蚀,从而得到理想的清洗结果。25℃时,加入20 mmol/L BTA的体积分数为0.4%的FA/O螯合剂降低漏电流的效果最佳。 展开更多
关键词 CMP后清洗 漏电流 FA/O螯合剂 苯并三氮唑(BTA) 金属离子污染
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碱性清洗液中pH值对苯并三氮唑去除效果的影响 被引量:1
18
作者 顾张冰 刘玉岭 +2 位作者 高宝红 王辰伟 邓海文 《微纳电子技术》 北大核心 2015年第12期811-814,744,共4页
主要在以碱性螯合剂去除苯并三氮唑(BTA)的基础上,通过改变清洗液的pH值来研究螯合剂对BTA去除效果的影响。BTA会和铜在其表面生成一层致密的Cu-BTA膜,使铜的表面疏水。利用这一特性,通过铜表面接触角大小的变化来判断BTA的去除效果... 主要在以碱性螯合剂去除苯并三氮唑(BTA)的基础上,通过改变清洗液的pH值来研究螯合剂对BTA去除效果的影响。BTA会和铜在其表面生成一层致密的Cu-BTA膜,使铜的表面疏水。利用这一特性,通过铜表面接触角大小的变化来判断BTA的去除效果。利用电化学工作站,在螯合剂与BTA的混合溶液作为电解质的条件下,得出铜电极的塔菲尔曲线来验证接触角的测试结果。结果表明,随着pH值的增加,在pH值为7~10时,对BTA的去除有很明显的促进作用。当pH值大于10后,促进作用不明显。 展开更多
关键词 CMP后清洗 碱性螯合剂 苯并三氮唑(BTA) 接触角 电化学
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新型碱性清洗液对CMP后残留SiO_2颗粒的去除 被引量:9
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作者 杨柳 刘玉岭 +2 位作者 檀柏梅 高宝红 刘宜霖 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期95-99,105,共6页
随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂。FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节p H值,... 随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化(CMP)后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,其主要成分为FA/OII型螯合剂和O-20非离子表面活性剂。FA/OII型螯合剂是一种有机胺碱,不仅能调节p H值,还能在CMP条件下与表面生成的Cu O和Cu(OH)_x发生反应生成稳定可溶的络合物,同时使化学吸附在表面的Si O_2随着氧化物或氢氧化物的脱落而脱离表面;O-20活性剂的表面张力较低,容易在晶圆表面铺展,将物理吸附在表面的颗粒托起,被清洗液带走。通过一系列对比试验得出,当清洗液中FA/OII型螯合剂的体积分数为0.015%,表面活性剂的体积分数为0.25%时,晶圆表面的颗粒数由抛光后的3200降到611,而且表面粗糙度较低,为1.06 nm,没有腐蚀现象。 展开更多
关键词 CMP后清洗 碱性清洗液 FA/OII型螯合剂 O-20型活性剂 表面粗糙度 表面张力
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基于螯合剂与活性剂的Cu-CMP清洗液对BTA去除的影响 被引量:3
20
作者 杨柳 刘玉岭 +2 位作者 檀柏梅 高宝红 刘宜霖 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第11期791-796,共6页
以螯合剂与活性剂为材料,利用难溶物质微弱电离平衡、螯合剂络合机理以及活性剂的铺展、润湿以及渗透作用,结合有机物结构相似相溶原理,研制新型碱性清洗液,用于有效去除Cu-CMP后的苯并三氮唑(BTA)。通过接触角测试、电化学实验以及原... 以螯合剂与活性剂为材料,利用难溶物质微弱电离平衡、螯合剂络合机理以及活性剂的铺展、润湿以及渗透作用,结合有机物结构相似相溶原理,研制新型碱性清洗液,用于有效去除Cu-CMP后的苯并三氮唑(BTA)。通过接触角测试、电化学实验以及原子力显微镜(AFM)测试可以得出:体积分数为0.015%的FA/OⅡ螯合剂、体积分数为0.003%的FA/OⅠ螯合剂与体积分数为0.1%的FA/O活性剂组成的新型碱性清洗剂,采用清洗液体积流量为1 440 mL/min进行PVA刷洗,可以有效去除BTA,且具有较低的表面粗糙度和较高的表面耐腐蚀性。螯合剂既可以与Cu-BTA反应生成铜胺络离子去除BTA,也可作为催化剂,提高活性剂在Cu表面的铺展、润湿及渗透效果,进一步增强BTA的去除效果。 展开更多
关键词 CMP后清洗 BTA去除 螯合剂 活性剂 表面粗糙度
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