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Anisotropy-induced reliability issues and grain orientation control in Sn-based micro solder joints for advanced packaging
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作者 Yuanyuan Qiao Ning Zhao 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第21期267-291,共25页
Technological advancements and the emphasis on reducing the use of hazardous materials,such as Pb,have led to the widely use of Sn-based Pb-free solder in advanced packaging technology.With the miniaturization of sold... Technological advancements and the emphasis on reducing the use of hazardous materials,such as Pb,have led to the widely use of Sn-based Pb-free solder in advanced packaging technology.With the miniaturization of solder joints,Sn-based micro solder joints often contain single or limitedβ-Sn grains.The strong anisotropy ofβ-Sn,which is significantly correlated with the reliability of the micro solder joints during service,requires the development of methods for controlling the orientations of theseβ-Sn grains.In this review,we focus on the anisotropy of theβ-Sn grains in micro solder joints and the interactions betweenβ-Sn grain orientation and reliability issues concerning electromigration(EM),thermomigration(TM),EM+TM,corrosion process,tensile and shear creep behavior,thermal cycling(TC)and cryogenic temperature.Furthermore,we summarize the strategies for controlling theβ-Sn orientation in micro solder joints.The methods include changing the solder joint size and composition,adding additives,nucleating on specific substrates and interfacial intermetallic compounds,with the aid of external loads during solidification process and introducing heredity effect of theβ-Sn texture during multi-reflow.Finally,the{101}and{301}twinning models with∼60°rotations about a common〈100〉are adopted to explain the mechanism ofβ-Sn grain nucleation and morphology.The shortcomings of the existing methods and the further potential for the development in the field are discussed to promote the application of Pb-free solders in advanced packaging. 展开更多
关键词 advanced packaging Pb-free solder joints ANISOTROPY RELIABILITY β-Sn grain orientation Nucleation mechanism
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Precise modulation of the debonding behaviours of ultra-thin wafers by laser-induced hot stamping effect and thermoelastic stress wave for advanced packaging of chips
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作者 Jieyuan Zhang Yanlei Hu +6 位作者 Fangcheng Wang Qiang Liu Fangfang Niu Jinhui Li Mingqi Huang Guoping Zhang Rong Sun 《International Journal of Extreme Manufacturing》 2025年第1期395-407,共13页
Laser debonding technology has been widely used in advanced chip packaging,such as fan-out integration,2.5D/3D ICs,and MEMS devices.Typically,laser debonding of bonded pairs(R/R separation)is typically achieved by com... Laser debonding technology has been widely used in advanced chip packaging,such as fan-out integration,2.5D/3D ICs,and MEMS devices.Typically,laser debonding of bonded pairs(R/R separation)is typically achieved by completely removing the material from the ablation region within the release material layer at high energy densities.However,this R/R separation method often results in a significant amount of release material and carbonized debris remaining on the surface of the device wafer,severely reducing product yields and cleaning efficiency for ultra-thin device wafers.Here,we proposed an interfacial separation strategy based on laser-induced hot stamping effect and thermoelastic stress wave,which enables stress-free separation of wafer bonding pairs at the interface of the release layer and the adhesive layer(R/A separation).By comprehensively analyzing the micro-morphology and material composition of the release material,we elucidated the laser debonding behavior of bonded pairs under different separation modes.Additionally,we calculated the ablation threshold of the release material in the case of wafer bonding and established the processing window for different separation methods.This work offers a fresh perspective on the development and application of laser debonding technology.The proposed R/A interface separation method is versatile,controllable,and highly reliable,and does not leave release materials and carbonized debris on device wafers,demonstrating strong industrial adaptability,which greatly facilitates the application and development of advanced packaging for ultra-thin chips. 展开更多
关键词 laser debonding behaviours laser-induced hot stamping effect thermoelastic stress wave advanced packaging
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Anchoring sulfur migration to mitigate Kirkendall voids in nano-twinned copper interconnections for robust and reliable packaging
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作者 Zicheng Sa Shang Wang +6 位作者 He Zhang Jiayun Feng Haozhe Li Jingxuan Ma Xudong Liu Qing Sun Yanhong Tian 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第27期106-119,共14页
Nano-twinned copper(nt-Cu),with a preferred orientation,is highly promising as interconnect materials in high-density advanced packaging due to its considerable mechanical strength,excellent electrical conductivity,an... Nano-twinned copper(nt-Cu),with a preferred orientation,is highly promising as interconnect materials in high-density advanced packaging due to its considerable mechanical strength,excellent electrical conductivity,and resistance to thermal migration.However,its application is impeded by sulfur-containing byproducts from the electroplating process,exacerbating the formation of Kirkendall voids within solder joints during thermal aging.Herein,through the incorporation of Zinc(Zn)into the nt-Cu layer,we develop a nt-Cu/Zn composite structure.Our findings provide the first definitive confirmation of the mechanism by which sulfur atoms migrate to the Cu_(3)Sn/nt-Cu interface through interstitial diffusion,thereby reducing the activation energy for vacancy formation.We further demonstrate that Zn effectively an-choring sulfur atoms,forming ZnS within the nt-Cu layer during heat treatment,which increases the vacancy formation energy and inhibits the development of Kirkendall voids.Remarkably,no Kirkendall voids are observed in the modified interconnects even after prolonged aging at 150℃ for 1000 h.The nt-Cu/Zn composite metallization layers significantly decrease the growth rate of interfacial intermetallic compounds by 33.6% and enhance the shear strength of solder interconnections to 228.9%.This research underscores the potential of nt-Cu in advanced electronic packaging,offering new pathways for improving the power density and reliability of electronic devices. 展开更多
关键词 Nano-twinned copper Electroplating Interconnections Kirkendall voids advanced packaging
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半导体制造及封装中的翘曲测量方法与应用进展
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作者 尹卓异 员方 +3 位作者 崔翰文 刘胜 张召富 何小元 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2026年第1期1-19,共19页
随着集成电路技术的不断发展,先进制造工艺和先进封装技术在提升芯片性能与集成度的同时,大尺寸结构、高密度互连与多芯片叠层也使翘曲等可靠性问题更加突出,增加了失效风险。为提高半导体工艺的稳定性与良率,翘曲的精确测量与分析已成... 随着集成电路技术的不断发展,先进制造工艺和先进封装技术在提升芯片性能与集成度的同时,大尺寸结构、高密度互连与多芯片叠层也使翘曲等可靠性问题更加突出,增加了失效风险。为提高半导体工艺的稳定性与良率,翘曲的精确测量与分析已成为工艺控制的关键环节。系统综述了半导体封装中翘曲的定义、测量方法及最新研究进展。首先依据国内外标准阐明翘曲的概念及测量规范;随后介绍接触式、激光扫描、阴影莫尔、干涉、条纹投影和数字图像相关等主要测量方法,并比较其原理、优势与局限。统计显示,阴影莫尔法应用最为广泛,而数字图像相关方法凭借应变与热膨胀系数测量能力及良好可扩展性正快速增长;条纹投影方法的应用比例也因其高灵活性持续上升。最后,总结了国内外商业化翘曲测量设备在精度、视场与测量原理方面的现状,并提出国产设备的改进方向。为翘曲测量方法的选型及半导体工艺优化提供了参考,促进测量技术与产业的发展。 展开更多
关键词 半导体 制造 先进封装 翘曲 测量
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基于扇出型晶圆级封装的X波段异构集成T/R模组研制
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作者 张翔宇 张帅 +1 位作者 赵宇 吴洪江 《电子技术应用》 2026年第2期15-23,共9页
基于扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术,设计并制造了一款X波段四通道收发模组。模组异构集成了CMOS和GaAs两种工艺的芯片,可实现接收射频信号的低噪声放大、幅相控制及功率放大输出等功能。模组内部通过重布线层实现芯片间的互联以及扇出,... 基于扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术,设计并制造了一款X波段四通道收发模组。模组异构集成了CMOS和GaAs两种工艺的芯片,可实现接收射频信号的低噪声放大、幅相控制及功率放大输出等功能。模组内部通过重布线层实现芯片间的互联以及扇出,与印制电路板通过球栅阵列实现垂直连接,模组最终体积仅为12.8 mm×10.4 mm×0.5 mm。模组经测试,结果为接收增益≥27 dB,噪声系数≤4 dB,发射增益≥26.7 dB,饱和输出功率≥24 dBm,四位数控衰减精度RMS≤1 dB,六位数控移相精度RMS≤6°,符合设计预期,在高密度树脂基封装的基础上整合了两种材质芯片的特性,实现了优异的性能。 展开更多
关键词 晶圆级封装 T/R微系统 系统级封装 重布线 先进封装技术 小型化
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混合键合界面力学行为的多尺度仿真:研究进展与挑战
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作者 蔡新添 舒朝玺 +5 位作者 习杨 东芳 张适 严晗 刘胜 彭庆 《电子与封装》 2026年第3期71-87,共17页
混合键合是实现高密度三维异质集成的关键互连途径,其界面力学可靠性对先进封装器件的性能与良率具有决定性影响。然而,材料热膨胀系数失配、超薄晶圆翘曲以及纳米尺度界面缺陷等问题,易引发显著的应力集中、界面分层乃至结构失效,已成... 混合键合是实现高密度三维异质集成的关键互连途径,其界面力学可靠性对先进封装器件的性能与良率具有决定性影响。然而,材料热膨胀系数失配、超薄晶圆翘曲以及纳米尺度界面缺陷等问题,易引发显著的应力集中、界面分层乃至结构失效,已成为制约混合键合技术规模化应用的核心因素。系统综述了混合键合界面力学行为的多尺度仿真研究进展,梳理了从宏观连续介质尺度到微观原子尺度的建模策略,阐述了各尺度研究中侧重的关键问题与面临的挑战。在此基础上,进一步探讨了量子-连续介质耦合建模、人工智能驱动的逆向工艺设计以及数字孪生闭环优化等前沿方向。通过上述多尺度仿真与智能方法的深度融合,将有望实现混合键合研发范式从“经验试错”到“模型驱动”的根本性转变,从而为后摩尔时代的高密度集成提供关键力学支撑。 展开更多
关键词 混合键合 界面力学 多尺度仿真 分子动力学 有限元方法 先进封装
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基于晶体塑性有限元的铜-铜键合结构热疲劳行为研究
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作者 周聪林 雷鸣奇 姚尧 《电子与封装》 2026年第1期1-9,共9页
在后摩尔时代,先进三维封装是实现芯片计算能力和存储密度持续提升的重要出路。铜-铜(Cu-Cu)键合是三维封装的关键技术,一种常见的失效模式是材料间热膨胀系数失配引发的热应力问题。基于晶体塑性理论,建立了一个考虑温度效应的本构模型... 在后摩尔时代,先进三维封装是实现芯片计算能力和存储密度持续提升的重要出路。铜-铜(Cu-Cu)键合是三维封装的关键技术,一种常见的失效模式是材料间热膨胀系数失配引发的热应力问题。基于晶体塑性理论,建立了一个考虑温度效应的本构模型,并对参数进行校准。基于Voronoi算法,建立了Cu-Cu键合的三维代表性体积单元模型,引入累积塑性应变能密度作为疲劳指标参数,用于预测疲劳裂纹萌生。结果表明,几何不连续性与位错塞积效应都会造成应力集中,且两者存在协同增强作用。累积塑性应变能密度可以对Cu-Cu键合的4种破坏位置实现有效预测,键合界面中的杂质/缺陷会加速Cu-Cu键合失效。 展开更多
关键词 先进三维封装 铜-铜键合 晶体塑性 有限元分析 热疲劳
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转接板、载板与先进制造
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作者 LARONT Marcy “电子首席情报官”编辑组 《印制电路信息》 2026年第3期56-60,共5页
随着先进封装技术的发展,转接板与载板的角色和定义正经历深刻演变。本文系统梳理了转接板的发展历程,深入辨析转接板与载板的核心区别:转接板主要用于实现芯片间或芯片与基板间的高密度、精细间距互连,而载板则作为封装的基础,负责与... 随着先进封装技术的发展,转接板与载板的角色和定义正经历深刻演变。本文系统梳理了转接板的发展历程,深入辨析转接板与载板的核心区别:转接板主要用于实现芯片间或芯片与基板间的高密度、精细间距互连,而载板则作为封装的基础,负责与印制电路板(PCB)的大规模连接。文章进一步指出,超高密度互连(UHDI)技术正推动PCB、转接板与载板的制造工艺融合,三者之间的界限日益模糊,预示着未来将会形成一个连续的高密度互连平台。这一趋势对传统PCB制造业既是一种挑战,也预示着是一种向更高价值链转型的战略机遇。 展开更多
关键词 转接板 载板 先进封装 超高密度互连
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破坏性物理分析技术的局限性与对策
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作者 孔艮永 陈亮奇 +3 位作者 雷泽宏 武慧薇 林道谭 李轲 《电子质量》 2026年第2期97-101,共5页
随着电子元器件新型材料、结构及先进封装技术的快速发展,各行业对电子系统可靠性的要求不断提高。新结构和新材料在不同应用环境下的引入带来了新的可靠性问题,传统的破坏性物理分析(DPA)已难以全面评估新型元器件的可靠性。为实现更... 随着电子元器件新型材料、结构及先进封装技术的快速发展,各行业对电子系统可靠性的要求不断提高。新结构和新材料在不同应用环境下的引入带来了新的可靠性问题,传统的破坏性物理分析(DPA)已难以全面评估新型元器件的可靠性。为实现更准确的批次质量评估,本文分析了当前DPA技术存在的不足,并提出具有良好适应性的增强DPA技术。通过阐述增强DPA的必要性和关键技术要点,本文为DPA技术的升级和可靠性工程的持续优化提供了参考。 展开更多
关键词 可靠性 增强破坏性物理分析 先进封装 新型元器件
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先进电子封装导电浆料的制备与应用进展
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作者 李贤迪 张浩波 +2 位作者 柳浩阳 何海英 杨至灏 《当代化工研究》 2026年第3期38-40,共3页
随着宽禁带半导体(SiC/GaN)芯片在新能源汽车、5G基站和物联网等领域的快速发展,先进电子封装对互连材料提出更高要求:需实现低温加工与高温服役的兼容,同时具备优异的电/热导性能和高可靠性。传统焊料因熔点低、热导率不足及热机械疲... 随着宽禁带半导体(SiC/GaN)芯片在新能源汽车、5G基站和物联网等领域的快速发展,先进电子封装对互连材料提出更高要求:需实现低温加工与高温服役的兼容,同时具备优异的电/热导性能和高可靠性。传统焊料因熔点低、热导率不足及热机械疲劳问题难以满足需求,低温烧结银浆凭借低温连接、高熔点和高热导率已成为主流芯片互连材料。综述了先进封装导电浆料的最新进展,包括银颗粒多尺度/多形貌复配、有机载体优化、助剂与烧结工艺调控等关键机制。为应对银价高和离子迁移风险,分析了铜基浆料的抗氧化改性、低温烧结技术及银铜复合体系的成本控制策略。同时,通过颗粒工程、载体协同和新型助剂创新,导电浆料将进一步实现无压/低成本烧结,推动我国高端功率器件关键电子材料的自主化与可持续发展。 展开更多
关键词 先进封装 低温烧结银浆 铜基替代 银铜复合
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Challenges and prospects for advanced packaging 被引量:5
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作者 Zhiwen Chen Jiaju Zhang +1 位作者 Shizhao Wang Ching-Ping Wong 《Fundamental Research》 CSCD 2024年第6期1455-1458,共4页
In the post-Moore era,advanced packaging is becoming more critical to meet the everlasting demands of elec-tronic products with smaller size,more powerful performance and lower cost.In this paper,developments in advan... In the post-Moore era,advanced packaging is becoming more critical to meet the everlasting demands of elec-tronic products with smaller size,more powerful performance and lower cost.In this paper,developments in advanced packaging have been discussed,such as 3D IC packaging,fan-out packaging,and chiplet packaging.Insights on the major advantages and challenges have also been briefly introduced.Our prospects about the solu-tions to some fundamental issues in sustainable development of advanced packaging have also been elucidated.The critical aspects and opportunities lie in standardization,co-design tools,new handling technologies,as well as multi-scale modeling and simulation. 展开更多
关键词 advanced packaging Wafer-level packaging 3D IC packaging Fan-out packaging Chiplet packaging Challenges and opportunities
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The application of multi-scale simulation in advanced electronic packaging 被引量:4
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作者 Wei Yu Shucan Cheng +5 位作者 Zeyuan Li Li Liu Zhaofu Zhang Yanpu Zhao Yuzheng Guo Sheng Liu 《Fundamental Research》 CSCD 2024年第6期1442-1454,共13页
Electronic packaging is an essential branch of electronic engineering that aims to protect electronic,microelec-tronic,and nanoelectronic systems from environmental conditions.The design of electronic packaging is hig... Electronic packaging is an essential branch of electronic engineering that aims to protect electronic,microelec-tronic,and nanoelectronic systems from environmental conditions.The design of electronic packaging is highly complex and requires the consideration of multi-physics phenomena,such as thermal transport,electromagnetic fields,and mechanical stress.This review presents a comprehensive overview of the multiphysics coupling of electric,magnetic,thermal,mechanical,and fluid fields,which are crucial for assessing the performance and reliability of electronic devices.The recent advancements in multi-scale simulation techniques are also system-atically summarized,such as finite element methods at the macroscopic scale,molecular dynamics and density functional theory at the microscopic scale,and particularly machine learning methods for bridging different scales.Additionally,we illustrate how these methods can be applied to study various aspects of electronic pack-aging,such as material properties,interfacial failure,thermal management,electromigration,and stress analysis.The challenges and the potential applications of multi-scale simulation techniques in electronic packaging are also highlighted.Further,some future directions for multi-scale simulation techniques in electronic packaging are concluded for further investigation. 展开更多
关键词 advanced electronic packaging Multiphysics coupling Machine learning methods Multi-scale simulation Electronic devices
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玻璃基板技术研究进展 被引量:1
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作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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面向高功率密度电能变换器的功率半导体模块研究综述
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作者 罗毅飞 李子聪 +2 位作者 史泽南 马啸 肖飞 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第6期208-223,共16页
功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽... 功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽禁带材料、改进芯片结构、采用先进封装和改进驱动设计。总结了不同方法提升变换器功率密度的原理,并对基于功率半导体模块设计提升变换器功率密度的现有研究进行分类对比;梳理出现有研究的主要挑战,并对未来的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 功率半导体模块 功率密度 宽禁带材料 芯片结构 先进封装 驱动设计
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EOTPR在先进半导体封装中的应用研究 被引量:1
15
作者 陈选龙 孔艮永 +4 位作者 石高明 贺光辉 刘加豪 林晓玲 李潮 《微电子学》 北大核心 2025年第1期165-168,共4页
传统时域反射仪(TDR)在应对高密度先进封装定位时,因分辨率限制,无法精确分辨百微米以下缺陷位置。介绍了电光太赫兹脉冲时域反射仪(EOTPR)的原理,通过采用飞秒激光激发稳定的快速脉冲,产生太赫兹频段电磁信号,注入被测试器件,同时采用... 传统时域反射仪(TDR)在应对高密度先进封装定位时,因分辨率限制,无法精确分辨百微米以下缺陷位置。介绍了电光太赫兹脉冲时域反射仪(EOTPR)的原理,通过采用飞秒激光激发稳定的快速脉冲,产生太赫兹频段电磁信号,注入被测试器件,同时采用异步电光采样法快速取样反射信号,实现了优于65μm分辨率的失效定位。通过采用EOTPR实现了对引线键合BGA的埋孔断裂、FCBGA封装UBM断裂、MCM封装导通孔断裂等失效的快速、精确定位,为实现先进复杂封装的三维定位提供了可能。 展开更多
关键词 太赫兹脉冲时域反射仪 FCBGA 埋孔断裂 失效分析 先进封装
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先进铜填充硅通孔制备技术研究进展 被引量:2
16
作者 刘旭东 撒子成 +2 位作者 李浩喆 李嘉琦 田艳红 《电子与封装》 2025年第5期28-42,共15页
随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层... 随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层沉积、化学镀、电接枝技术5种不同的铜种子层制备工艺的沉积机理、性能优劣和改进方案。介绍了硅通孔填充铜的3种不同方案,包括电镀、化学镀和导电浆料填充技术。强调了电镀工艺、电流、添加剂和退火工艺对硅通孔内电镀铜的影响,对应用于硅通孔的铜先进互连技术的未来发展方向提出了展望。 展开更多
关键词 铜填充硅通孔 先进封装 电镀 种子层
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多芯粒2.5D/3D集成技术研究与应用现状
17
作者 王根旺 李璐 +1 位作者 潘鹏辉 李宝霞 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第6期819-831,共13页
面向高性能计算机、人工智能、无人系统对电子芯片高性能、高集成度的需求,以2.5D、3D集成技术为代表的先进封装集成技术,不仅打破了当前集成芯片良率降低、成本骤升的困境,也是实现多种类型、多种材质、多种功能芯粒集成的重要手段。... 面向高性能计算机、人工智能、无人系统对电子芯片高性能、高集成度的需求,以2.5D、3D集成技术为代表的先进封装集成技术,不仅打破了当前集成芯片良率降低、成本骤升的困境,也是实现多种类型、多种材质、多种功能芯粒集成的重要手段。该文对多芯粒2.5D、3D集成方案研究现状与技术水平进行总结分析,包括大尺寸中介层2.5D技术、低互连节距3D堆叠互连技术、玻璃基集成技术等。并总结了不同集成方案技术的主要发展方向与亟待攻克的技术难点。在此基础上,进一步归纳了多芯粒2.5D、3D集成技术在数字、光电、微电子机械等集成芯片与器件领域的应用,分析了多芯粒2.5D、3D封装集成技术未来发展与应用方向,为微小型多功能一体化集成芯片提供发展思路。 展开更多
关键词 先进封装 2.5D集成 3D集成 中介层
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基于准同步激光的可控矩阵式超快植球工艺研究 被引量:1
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作者 严坤 王济乾 +2 位作者 孙毅鹏 夏海洋 韩宗杰 《电子机械工程》 2025年第1期26-29,共4页
准同步激光因其超小的光斑及超高的能量密度,可广泛应用于特殊器件的局部加热以防止整体加热损坏已有器件,因此在开发全新温度梯度的同时,引入准同步激光是集成电路制造领域一个值得重点探索的工作。文中以采用准同步激光植球法形成的... 准同步激光因其超小的光斑及超高的能量密度,可广泛应用于特殊器件的局部加热以防止整体加热损坏已有器件,因此在开发全新温度梯度的同时,引入准同步激光是集成电路制造领域一个值得重点探索的工作。文中以采用准同步激光植球法形成的焊球形貌和焊球与基板的结合强度优于20 MPa为判定标准,研究激光功率、离焦量、扫描路径、跳转延时和单点出光时间5个变量对植球效果的影响,并对参数进行了系统总结和优化,得到一致性好、表面圆润、与焊盘润湿良好、剪切强度大的高效激光植球技术。该研究创造性地完成了准同步激光植球工艺技术的研究,首次提出了可控矩阵式超快植球工艺参数,同时实现了植球效率的倍增,平均每颗球约0.18 s,相较于之前传统的激光喷射植球法的约0.5 s一颗球,效率提升了300%,为先进封装领域的多层级封装提供了技术储备。 展开更多
关键词 准同步激光 激光植球 先进封装
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电子封装低温焊料研究进展
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作者 李方樑 甘贵生 +8 位作者 窦俊丰 谢道春 朱俊雄 耿明利 韩军 杨栋华 潘浩 夏大权 徐向涛 《材料工程》 北大核心 2025年第9期11-28,共18页
多温度梯度的互连焊料组合是实现芯片高密度集成的关键,低温焊料合金是实现低温工艺的前提和电子产品高可靠性的保障。本文综述了Sn-58Bi低温焊料、In基(In-Sn、In-Pb、In-Ag、In-Bi)低温焊料以及其他低温焊料(多元合金、高熵合金、Ga... 多温度梯度的互连焊料组合是实现芯片高密度集成的关键,低温焊料合金是实现低温工艺的前提和电子产品高可靠性的保障。本文综述了Sn-58Bi低温焊料、In基(In-Sn、In-Pb、In-Ag、In-Bi)低温焊料以及其他低温焊料(多元合金、高熵合金、Ga基合金)的研究进展,指出含Bi的Sn-Bi焊料无法回避Bi的偏析和脆断,最优选择是焊接过程中利用混合焊料中其他焊料成分或者外加颗粒与Bi反应形成含Bi化合物消耗掉Bi,不丧失Sn-Bi焊料的焊接性的同时与现有的回流工艺相匹配;In基二元或多元低温焊料以及SnBiInX高熵合金,焊接后脆性Bi相和低熔点Bi-In、Sn-In化合物形成不可避免,应摒弃Bi的使用并控制Sn的含量,如采用低熔点Ga或In与高熔点Cu混合形成非冶金结合的混合或复合焊料,低温瞬态液相键合实现低熔点成分熔化温度附近的低温互连,低熔点相消耗殆尽和高熔点化合物的形成是保证焊点高强度和高温服役的前提。 展开更多
关键词 互连焊料组合 低温焊料 高密度集成 先进封装
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电子封装用功能梯度铝基复合材料研究应用进展
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作者 方杰 刘彦强 +8 位作者 杨志宇 樊建中 刁恩泽 崔西会 黎康杰 彭颐豫 张坤 孔欣 杨博 《有色金属(中英文)》 北大核心 2025年第8期1295-1305,共11页
电子信息系统小型化、轻量化、无人化、一体化的发展趋势要求电子封装持续减小尺寸、降低重量和减少功耗(SWaP,即Size,Weight and Power)。传统的基于可伐合金、铝合金和高硅铝的微电子封装材料难以同时满足大跨度热匹配、良好的钎焊与... 电子信息系统小型化、轻量化、无人化、一体化的发展趋势要求电子封装持续减小尺寸、降低重量和减少功耗(SWaP,即Size,Weight and Power)。传统的基于可伐合金、铝合金和高硅铝的微电子封装材料难以同时满足大跨度热匹配、良好的钎焊与激光熔焊性能、高导热、高比刚度、高比强度和良好的可制造性,无法适应SWaP要求。功能梯度铝基复合材料综合了铝合金与铝硅、碳化硅铝等先进复合材料的优点,既具备大跨度热匹配、高导热率的特点,又具备精细加工和良好的激光熔焊等工艺性能,是新一代微电子封装材料的研究热点。本文综述了功能梯度铝基复合材料的优势、制备方法和封装应用情况,并对该材料制备与应用中存在的问题进行了总结,最后对其未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 先进金属基复合材料 功能梯度材料 铝基复合材料 电子封装 研究应用进展
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