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Anisotropy-induced reliability issues and grain orientation control in Sn-based micro solder joints for advanced packaging
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作者 Yuanyuan Qiao Ning Zhao 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第21期267-291,共25页
Technological advancements and the emphasis on reducing the use of hazardous materials,such as Pb,have led to the widely use of Sn-based Pb-free solder in advanced packaging technology.With the miniaturization of sold... Technological advancements and the emphasis on reducing the use of hazardous materials,such as Pb,have led to the widely use of Sn-based Pb-free solder in advanced packaging technology.With the miniaturization of solder joints,Sn-based micro solder joints often contain single or limitedβ-Sn grains.The strong anisotropy ofβ-Sn,which is significantly correlated with the reliability of the micro solder joints during service,requires the development of methods for controlling the orientations of theseβ-Sn grains.In this review,we focus on the anisotropy of theβ-Sn grains in micro solder joints and the interactions betweenβ-Sn grain orientation and reliability issues concerning electromigration(EM),thermomigration(TM),EM+TM,corrosion process,tensile and shear creep behavior,thermal cycling(TC)and cryogenic temperature.Furthermore,we summarize the strategies for controlling theβ-Sn orientation in micro solder joints.The methods include changing the solder joint size and composition,adding additives,nucleating on specific substrates and interfacial intermetallic compounds,with the aid of external loads during solidification process and introducing heredity effect of theβ-Sn texture during multi-reflow.Finally,the{101}and{301}twinning models with∼60°rotations about a common〈100〉are adopted to explain the mechanism ofβ-Sn grain nucleation and morphology.The shortcomings of the existing methods and the further potential for the development in the field are discussed to promote the application of Pb-free solders in advanced packaging. 展开更多
关键词 advanced packaging Pb-free solder joints ANISOTROPY RELIABILITY β-Sn grain orientation Nucleation mechanism
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Precise modulation of the debonding behaviours of ultra-thin wafers by laser-induced hot stamping effect and thermoelastic stress wave for advanced packaging of chips
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作者 Jieyuan Zhang Yanlei Hu +6 位作者 Fangcheng Wang Qiang Liu Fangfang Niu Jinhui Li Mingqi Huang Guoping Zhang Rong Sun 《International Journal of Extreme Manufacturing》 2025年第1期395-407,共13页
Laser debonding technology has been widely used in advanced chip packaging,such as fan-out integration,2.5D/3D ICs,and MEMS devices.Typically,laser debonding of bonded pairs(R/R separation)is typically achieved by com... Laser debonding technology has been widely used in advanced chip packaging,such as fan-out integration,2.5D/3D ICs,and MEMS devices.Typically,laser debonding of bonded pairs(R/R separation)is typically achieved by completely removing the material from the ablation region within the release material layer at high energy densities.However,this R/R separation method often results in a significant amount of release material and carbonized debris remaining on the surface of the device wafer,severely reducing product yields and cleaning efficiency for ultra-thin device wafers.Here,we proposed an interfacial separation strategy based on laser-induced hot stamping effect and thermoelastic stress wave,which enables stress-free separation of wafer bonding pairs at the interface of the release layer and the adhesive layer(R/A separation).By comprehensively analyzing the micro-morphology and material composition of the release material,we elucidated the laser debonding behavior of bonded pairs under different separation modes.Additionally,we calculated the ablation threshold of the release material in the case of wafer bonding and established the processing window for different separation methods.This work offers a fresh perspective on the development and application of laser debonding technology.The proposed R/A interface separation method is versatile,controllable,and highly reliable,and does not leave release materials and carbonized debris on device wafers,demonstrating strong industrial adaptability,which greatly facilitates the application and development of advanced packaging for ultra-thin chips. 展开更多
关键词 laser debonding behaviours laser-induced hot stamping effect thermoelastic stress wave advanced packaging
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Anchoring sulfur migration to mitigate Kirkendall voids in nano-twinned copper interconnections for robust and reliable packaging
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作者 Zicheng Sa Shang Wang +6 位作者 He Zhang Jiayun Feng Haozhe Li Jingxuan Ma Xudong Liu Qing Sun Yanhong Tian 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第27期106-119,共14页
Nano-twinned copper(nt-Cu),with a preferred orientation,is highly promising as interconnect materials in high-density advanced packaging due to its considerable mechanical strength,excellent electrical conductivity,an... Nano-twinned copper(nt-Cu),with a preferred orientation,is highly promising as interconnect materials in high-density advanced packaging due to its considerable mechanical strength,excellent electrical conductivity,and resistance to thermal migration.However,its application is impeded by sulfur-containing byproducts from the electroplating process,exacerbating the formation of Kirkendall voids within solder joints during thermal aging.Herein,through the incorporation of Zinc(Zn)into the nt-Cu layer,we develop a nt-Cu/Zn composite structure.Our findings provide the first definitive confirmation of the mechanism by which sulfur atoms migrate to the Cu_(3)Sn/nt-Cu interface through interstitial diffusion,thereby reducing the activation energy for vacancy formation.We further demonstrate that Zn effectively an-choring sulfur atoms,forming ZnS within the nt-Cu layer during heat treatment,which increases the vacancy formation energy and inhibits the development of Kirkendall voids.Remarkably,no Kirkendall voids are observed in the modified interconnects even after prolonged aging at 150℃ for 1000 h.The nt-Cu/Zn composite metallization layers significantly decrease the growth rate of interfacial intermetallic compounds by 33.6% and enhance the shear strength of solder interconnections to 228.9%.This research underscores the potential of nt-Cu in advanced electronic packaging,offering new pathways for improving the power density and reliability of electronic devices. 展开更多
关键词 Nano-twinned copper Electroplating Interconnections Kirkendall voids advanced packaging
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Challenges and prospects for advanced packaging 被引量:5
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作者 Zhiwen Chen Jiaju Zhang +1 位作者 Shizhao Wang Ching-Ping Wong 《Fundamental Research》 CSCD 2024年第6期1455-1458,共4页
In the post-Moore era,advanced packaging is becoming more critical to meet the everlasting demands of elec-tronic products with smaller size,more powerful performance and lower cost.In this paper,developments in advan... In the post-Moore era,advanced packaging is becoming more critical to meet the everlasting demands of elec-tronic products with smaller size,more powerful performance and lower cost.In this paper,developments in advanced packaging have been discussed,such as 3D IC packaging,fan-out packaging,and chiplet packaging.Insights on the major advantages and challenges have also been briefly introduced.Our prospects about the solu-tions to some fundamental issues in sustainable development of advanced packaging have also been elucidated.The critical aspects and opportunities lie in standardization,co-design tools,new handling technologies,as well as multi-scale modeling and simulation. 展开更多
关键词 advanced packaging Wafer-level packaging 3D IC packaging Fan-out packaging Chiplet packaging Challenges and opportunities
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The application of multi-scale simulation in advanced electronic packaging 被引量:4
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作者 Wei Yu Shucan Cheng +5 位作者 Zeyuan Li Li Liu Zhaofu Zhang Yanpu Zhao Yuzheng Guo Sheng Liu 《Fundamental Research》 CSCD 2024年第6期1442-1454,共13页
Electronic packaging is an essential branch of electronic engineering that aims to protect electronic,microelec-tronic,and nanoelectronic systems from environmental conditions.The design of electronic packaging is hig... Electronic packaging is an essential branch of electronic engineering that aims to protect electronic,microelec-tronic,and nanoelectronic systems from environmental conditions.The design of electronic packaging is highly complex and requires the consideration of multi-physics phenomena,such as thermal transport,electromagnetic fields,and mechanical stress.This review presents a comprehensive overview of the multiphysics coupling of electric,magnetic,thermal,mechanical,and fluid fields,which are crucial for assessing the performance and reliability of electronic devices.The recent advancements in multi-scale simulation techniques are also system-atically summarized,such as finite element methods at the macroscopic scale,molecular dynamics and density functional theory at the microscopic scale,and particularly machine learning methods for bridging different scales.Additionally,we illustrate how these methods can be applied to study various aspects of electronic pack-aging,such as material properties,interfacial failure,thermal management,electromigration,and stress analysis.The challenges and the potential applications of multi-scale simulation techniques in electronic packaging are also highlighted.Further,some future directions for multi-scale simulation techniques in electronic packaging are concluded for further investigation. 展开更多
关键词 advanced electronic packaging Multiphysics coupling Machine learning methods Multi-scale simulation Electronic devices
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玻璃基板技术研究进展 被引量:1
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作者 赵瑾 于大全 秦飞 《电子与封装》 2025年第7期104-112,共9页
随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸... 随着高性能计算和人工智能等新兴应用的迅猛发展,先进封装技术正加速演进。作为其核心支撑,高端基板技术需同时应对高速高频信号传输、功耗管理、超细节距互连及系统级集成等多重性能需求。玻璃基板凭借其优异的热机械稳定性、极低的吸湿性和卓越的电学特性,成为突破传统封装限制的关键方向。围绕玻璃基板的结构特性与关键制造工艺进行分析,重点探讨了其在可靠性方面存在的主要问题,并总结其所面临的技术机遇与挑战。 展开更多
关键词 先进封装 玻璃基板技术 高密度互连 翘曲
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面向高功率密度电能变换器的功率半导体模块研究综述
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作者 罗毅飞 李子聪 +2 位作者 史泽南 马啸 肖飞 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第6期208-223,共16页
功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽... 功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽禁带材料、改进芯片结构、采用先进封装和改进驱动设计。总结了不同方法提升变换器功率密度的原理,并对基于功率半导体模块设计提升变换器功率密度的现有研究进行分类对比;梳理出现有研究的主要挑战,并对未来的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 功率半导体模块 功率密度 宽禁带材料 芯片结构 先进封装 驱动设计
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EOTPR在先进半导体封装中的应用研究 被引量:1
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作者 陈选龙 孔艮永 +4 位作者 石高明 贺光辉 刘加豪 林晓玲 李潮 《微电子学》 北大核心 2025年第1期165-168,共4页
传统时域反射仪(TDR)在应对高密度先进封装定位时,因分辨率限制,无法精确分辨百微米以下缺陷位置。介绍了电光太赫兹脉冲时域反射仪(EOTPR)的原理,通过采用飞秒激光激发稳定的快速脉冲,产生太赫兹频段电磁信号,注入被测试器件,同时采用... 传统时域反射仪(TDR)在应对高密度先进封装定位时,因分辨率限制,无法精确分辨百微米以下缺陷位置。介绍了电光太赫兹脉冲时域反射仪(EOTPR)的原理,通过采用飞秒激光激发稳定的快速脉冲,产生太赫兹频段电磁信号,注入被测试器件,同时采用异步电光采样法快速取样反射信号,实现了优于65μm分辨率的失效定位。通过采用EOTPR实现了对引线键合BGA的埋孔断裂、FCBGA封装UBM断裂、MCM封装导通孔断裂等失效的快速、精确定位,为实现先进复杂封装的三维定位提供了可能。 展开更多
关键词 太赫兹脉冲时域反射仪 FCBGA 埋孔断裂 失效分析 先进封装
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先进铜填充硅通孔制备技术研究进展 被引量:2
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作者 刘旭东 撒子成 +2 位作者 李浩喆 李嘉琦 田艳红 《电子与封装》 2025年第5期28-42,共15页
随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层... 随着后摩尔时代的到来,硅通孔(TSV)技术通过填充铜作为垂直的导电通路实现了多层芯片之间的电气互连,提供了一种高性能、高可靠性的3D封装互连方案。综述了铜在TSV先进互连技术中的制备技术,总结并对比了溅射法、化学气相沉积、原子层沉积、化学镀、电接枝技术5种不同的铜种子层制备工艺的沉积机理、性能优劣和改进方案。介绍了硅通孔填充铜的3种不同方案,包括电镀、化学镀和导电浆料填充技术。强调了电镀工艺、电流、添加剂和退火工艺对硅通孔内电镀铜的影响,对应用于硅通孔的铜先进互连技术的未来发展方向提出了展望。 展开更多
关键词 铜填充硅通孔 先进封装 电镀 种子层
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多芯粒2.5D/3D集成技术研究与应用现状
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作者 王根旺 李璐 +1 位作者 潘鹏辉 李宝霞 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第6期819-831,共13页
面向高性能计算机、人工智能、无人系统对电子芯片高性能、高集成度的需求,以2.5D、3D集成技术为代表的先进封装集成技术,不仅打破了当前集成芯片良率降低、成本骤升的困境,也是实现多种类型、多种材质、多种功能芯粒集成的重要手段。... 面向高性能计算机、人工智能、无人系统对电子芯片高性能、高集成度的需求,以2.5D、3D集成技术为代表的先进封装集成技术,不仅打破了当前集成芯片良率降低、成本骤升的困境,也是实现多种类型、多种材质、多种功能芯粒集成的重要手段。该文对多芯粒2.5D、3D集成方案研究现状与技术水平进行总结分析,包括大尺寸中介层2.5D技术、低互连节距3D堆叠互连技术、玻璃基集成技术等。并总结了不同集成方案技术的主要发展方向与亟待攻克的技术难点。在此基础上,进一步归纳了多芯粒2.5D、3D集成技术在数字、光电、微电子机械等集成芯片与器件领域的应用,分析了多芯粒2.5D、3D封装集成技术未来发展与应用方向,为微小型多功能一体化集成芯片提供发展思路。 展开更多
关键词 先进封装 2.5D集成 3D集成 中介层
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基于准同步激光的可控矩阵式超快植球工艺研究 被引量:1
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作者 严坤 王济乾 +2 位作者 孙毅鹏 夏海洋 韩宗杰 《电子机械工程》 2025年第1期26-29,共4页
准同步激光因其超小的光斑及超高的能量密度,可广泛应用于特殊器件的局部加热以防止整体加热损坏已有器件,因此在开发全新温度梯度的同时,引入准同步激光是集成电路制造领域一个值得重点探索的工作。文中以采用准同步激光植球法形成的... 准同步激光因其超小的光斑及超高的能量密度,可广泛应用于特殊器件的局部加热以防止整体加热损坏已有器件,因此在开发全新温度梯度的同时,引入准同步激光是集成电路制造领域一个值得重点探索的工作。文中以采用准同步激光植球法形成的焊球形貌和焊球与基板的结合强度优于20 MPa为判定标准,研究激光功率、离焦量、扫描路径、跳转延时和单点出光时间5个变量对植球效果的影响,并对参数进行了系统总结和优化,得到一致性好、表面圆润、与焊盘润湿良好、剪切强度大的高效激光植球技术。该研究创造性地完成了准同步激光植球工艺技术的研究,首次提出了可控矩阵式超快植球工艺参数,同时实现了植球效率的倍增,平均每颗球约0.18 s,相较于之前传统的激光喷射植球法的约0.5 s一颗球,效率提升了300%,为先进封装领域的多层级封装提供了技术储备。 展开更多
关键词 准同步激光 激光植球 先进封装
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电子封装低温焊料研究进展
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作者 李方樑 甘贵生 +8 位作者 窦俊丰 谢道春 朱俊雄 耿明利 韩军 杨栋华 潘浩 夏大权 徐向涛 《材料工程》 北大核心 2025年第9期11-28,共18页
多温度梯度的互连焊料组合是实现芯片高密度集成的关键,低温焊料合金是实现低温工艺的前提和电子产品高可靠性的保障。本文综述了Sn-58Bi低温焊料、In基(In-Sn、In-Pb、In-Ag、In-Bi)低温焊料以及其他低温焊料(多元合金、高熵合金、Ga... 多温度梯度的互连焊料组合是实现芯片高密度集成的关键,低温焊料合金是实现低温工艺的前提和电子产品高可靠性的保障。本文综述了Sn-58Bi低温焊料、In基(In-Sn、In-Pb、In-Ag、In-Bi)低温焊料以及其他低温焊料(多元合金、高熵合金、Ga基合金)的研究进展,指出含Bi的Sn-Bi焊料无法回避Bi的偏析和脆断,最优选择是焊接过程中利用混合焊料中其他焊料成分或者外加颗粒与Bi反应形成含Bi化合物消耗掉Bi,不丧失Sn-Bi焊料的焊接性的同时与现有的回流工艺相匹配;In基二元或多元低温焊料以及SnBiInX高熵合金,焊接后脆性Bi相和低熔点Bi-In、Sn-In化合物形成不可避免,应摒弃Bi的使用并控制Sn的含量,如采用低熔点Ga或In与高熔点Cu混合形成非冶金结合的混合或复合焊料,低温瞬态液相键合实现低熔点成分熔化温度附近的低温互连,低熔点相消耗殆尽和高熔点化合物的形成是保证焊点高强度和高温服役的前提。 展开更多
关键词 互连焊料组合 低温焊料 高密度集成 先进封装
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电子封装用功能梯度铝基复合材料研究应用进展
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作者 方杰 刘彦强 +8 位作者 杨志宇 樊建中 刁恩泽 崔西会 黎康杰 彭颐豫 张坤 孔欣 杨博 《有色金属(中英文)》 北大核心 2025年第8期1295-1305,共11页
电子信息系统小型化、轻量化、无人化、一体化的发展趋势要求电子封装持续减小尺寸、降低重量和减少功耗(SWaP,即Size,Weight and Power)。传统的基于可伐合金、铝合金和高硅铝的微电子封装材料难以同时满足大跨度热匹配、良好的钎焊与... 电子信息系统小型化、轻量化、无人化、一体化的发展趋势要求电子封装持续减小尺寸、降低重量和减少功耗(SWaP,即Size,Weight and Power)。传统的基于可伐合金、铝合金和高硅铝的微电子封装材料难以同时满足大跨度热匹配、良好的钎焊与激光熔焊性能、高导热、高比刚度、高比强度和良好的可制造性,无法适应SWaP要求。功能梯度铝基复合材料综合了铝合金与铝硅、碳化硅铝等先进复合材料的优点,既具备大跨度热匹配、高导热率的特点,又具备精细加工和良好的激光熔焊等工艺性能,是新一代微电子封装材料的研究热点。本文综述了功能梯度铝基复合材料的优势、制备方法和封装应用情况,并对该材料制备与应用中存在的问题进行了总结,最后对其未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 先进金属基复合材料 功能梯度材料 铝基复合材料 电子封装 研究应用进展
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Ceramic thermal wind sensor based on advanced direct chip attaching package 被引量:1
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作者 周麟 秦明 +1 位作者 陈升奇 陈蓓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第7期107-111,共5页
An advanced direct chip attaching packaged two-dimensional ceramic thermal wind sensor is studied. The thermal wind sensor chip is fabricated by metal lift-off processes on the ceramic substrate. An advanced direct ch... An advanced direct chip attaching packaged two-dimensional ceramic thermal wind sensor is studied. The thermal wind sensor chip is fabricated by metal lift-off processes on the ceramic substrate. An advanced direct chip attaching (DCA) packaging is adopted and this new packaged method simplifies the processes of packaging further. Simulations of the advanced DCA packaged sensor based on computational fluid dynamics (CFD) model show the sensor can detect wind speed and direction effectively. The wind tunnel testing results show the advanced DCA packaged sensor can detect the wind direction from 0° to 360° and wind speed from 0 to 20 m/s with the error less than 0.5 m/s. The nonlinear fitting based least square method in Matlab is used to analyze the performance of the sensor. 展开更多
关键词 advanced direct chip attaching package CFD model ceramic chip thermal wind sensor
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一种基于先进封装的软件无线电架构可重构射频微系统
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作者 杨进 张君直 +4 位作者 黄旼 郁元卫 张洪泽 韩磊 朱健 《上海航天(中英文)》 2025年第3期154-165,共12页
软件无线电的概念已提出多年,但长期以来,受集成电路设计和工艺水平的限制,软件无线电芯片技术的发展一直较为缓慢。近年来,随着集成电路设计和工艺水平的突飞猛进,软件无线电芯片技术取得了较大的进展,有力推动了射频微系统的发展。首... 软件无线电的概念已提出多年,但长期以来,受集成电路设计和工艺水平的限制,软件无线电芯片技术的发展一直较为缓慢。近年来,随着集成电路设计和工艺水平的突飞猛进,软件无线电芯片技术取得了较大的进展,有力推动了射频微系统的发展。首先回顾了软件无线电芯片技术的发展历程,重点介绍了零中频SoC软件无线电芯片;然后比较了传统射频微系统架构和基于零中频SoC的射频微系统架构;随后从原型设计、封装设计和电路设计3个方面深入分析了射频微系统的设计;进一步地阐述了射频微系统的实现和集成工艺的发展;最后对射频微系统的未来发展进行展望。 展开更多
关键词 先进封装 软件无线电SDR 零中频(ZIF) 系统级芯片(SoC) 可重构 射频(RF)微系统
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GaN芯片封装技术研究进展与趋势 被引量:1
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作者 宋海涛 王霄 +7 位作者 龚平 朱霞 李杨 刘璋成 闫大为 陈治伟 尤杰 敖金平 《电子与封装》 2025年第3期123-133,共11页
作为第三代半导体材料,GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性,正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而,其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战,同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN... 作为第三代半导体材料,GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性,正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而,其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战,同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN芯片封装的多种解决方案,包括晶体管外形(TO)封装、四边扁平无引线(QFN)封装等分立器件封装结构,晶圆级封装(WLP)、多芯片模块(MCM)合封器件封装结构以及诸多先进封装技术。分析了封装技术的发展趋势,如集成化、模块化封装,以及面向高频、高功率应用的优化方法。随着技术的不断突破,GaN封装有望在更高效、更可靠的方向上取得进一步进展,以满足不断增长的市场需求。 展开更多
关键词 GAN 芯片封装 先进封装 散热 寄生电感 3D集成
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光电共封装技术及其在光学相控阵中的应用研究 被引量:1
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作者 张郭勇 《电子与封装》 2025年第6期36-44,共9页
光电共封装(CPO)技术采用先进封装技术将电子集成电路和光子集成电路异质集成在同一封装体中,具有紧凑度高、功耗低和容量大等优点。该技术被视作下一代光电子技术的关键方向,也为高性能集成光波导光学相控阵(OPA)提供了一种有效的实现... 光电共封装(CPO)技术采用先进封装技术将电子集成电路和光子集成电路异质集成在同一封装体中,具有紧凑度高、功耗低和容量大等优点。该技术被视作下一代光电子技术的关键方向,也为高性能集成光波导光学相控阵(OPA)提供了一种有效的实现途径。综述了3种典型CPO技术的最新研究进展,并从结构集成度、工艺实现性、封装体性能等方面剖析了不同集成方案。进一步地,概述了CPO技术在集成光波导OPA中应用的最新研究进展,并探讨了CPO技术应用于每种OPA中的优势与面临的问题。从高密度封装、高效散热、电子-光子联合仿真等方面探讨了CPO技术在高性能集成光波导OPA中广泛应用和产业化所面临的挑战。 展开更多
关键词 光电共封装 光学相控阵 集成光波导 先进封装
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玻璃通孔技术的力学可靠性问题及研究进展
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作者 马小菡 董瑞鹏 +2 位作者 万欣 贾冯睿 龙旭 《电子与封装》 2025年第7期93-103,共11页
随着集成电路持续朝高密度、高性能方向发展,玻璃通孔(TGV)互连技术由于具有优异的电学、光学特性,良好的力学稳定性和低成本等优势,在三维电子封装、集成无源器件和光电器件集成方面具有广泛应用前景。系统综述TGV在芯片封装中的应用... 随着集成电路持续朝高密度、高性能方向发展,玻璃通孔(TGV)互连技术由于具有优异的电学、光学特性,良好的力学稳定性和低成本等优势,在三维电子封装、集成无源器件和光电器件集成方面具有广泛应用前景。系统综述TGV在芯片封装中的应用背景、制造工艺、材料选择及其所面临的主要力学挑战。对比玻璃中介层技术与硅通孔互连,总结TGV在成本、电学性能及机械稳定性方面的优势。阐述TGV与玻璃面板的制造流程,并强调常用玻璃材料(硅酸盐玻璃、石英玻璃和硼硅酸盐玻璃)的力学性能差异。重点分析TGV技术所面临的力学挑战,并给出潜在的解决方案。研究结果可为后续TGV结构优化与高可靠性封装设计提供一定的理论依据与工程指导。 展开更多
关键词 玻璃通孔 先进封装 力学性能 可靠性
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先进封装中铜柱微凸点互连技术研究进展
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作者 张冉远 翁铭 +4 位作者 黄文俊 张昱 杨冠南 黄光汉 崔成强 《电子与封装》 2025年第5期110-121,共12页
超高密度互连、三维异构集成是当前微电子技术发展的趋势,铜柱微凸点作为先进封装互连的核心技术,提供了高性能、多样化的应用方案。讨论了焊料铜柱微凸点互连的原理、特性及挑战,详细阐述了瞬态液相互连技术及固态扩散互连技术的研究进... 超高密度互连、三维异构集成是当前微电子技术发展的趋势,铜柱微凸点作为先进封装互连的核心技术,提供了高性能、多样化的应用方案。讨论了焊料铜柱微凸点互连的原理、特性及挑战,详细阐述了瞬态液相互连技术及固态扩散互连技术的研究进展,概述了纳米材料修饰铜柱微凸点互连的不同方案,分析了各类材料的互连特性及性能。最后总结展望了铜柱微凸点互连技术未来的发展方向。 展开更多
关键词 先进封装 铜柱微凸点 焊料 纳米材料
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先进电子封装用焊锡球关键尺寸检测的研究
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作者 李赵龙 王同举 +2 位作者 刘亚浩 张文倩 雷永平 《电子与封装》 2025年第6期24-30,共7页
焊锡球圆度和粒径的精度决定着球栅阵列(BGA)封装、芯片级封装(CSP)等先进芯片封装产品的质量。在对焊锡球进行检测时,焊锡球会粘连在检测视野内,难以快速精确地批量测量其圆度和粒径。为实现对760μm以下粘连焊锡球的精准检测,提出了... 焊锡球圆度和粒径的精度决定着球栅阵列(BGA)封装、芯片级封装(CSP)等先进芯片封装产品的质量。在对焊锡球进行检测时,焊锡球会粘连在检测视野内,难以快速精确地批量测量其圆度和粒径。为实现对760μm以下粘连焊锡球的精准检测,提出了一种基于凹点检测与椭圆拟合相结合的检测算法。该算法运用Harris角点检测算子检测图像中粘连焊锡球的凹点,结合凹点最短路径匹配准则实现焊锡球分离。通过Canny边缘检测算子检测焊锡球的边缘轮廓,基于轮廓点坐标拟合出椭圆曲线,从而实现焊锡球圆度与粒径的检测。检测结果表明,与扫描电镜测量结果相比,算法检测的焊锡球圆度误差可控制在3%以下,粒径相对误差可控制在1%以下。该技术为焊锡球的批量检测提供了一种快速有效的方法。 展开更多
关键词 先进封装 焊锡球 粘连图像分割 尺寸测量
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