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p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究
1
作者 郭紫曼 汪洋 +4 位作者 刘洋 张腾 陈剑 卢寅梅 何云斌 《发光学报》 北大核心 2025年第3期373-382,共10页
针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔... 针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。实验结果表明,制备的MgZnOS∶N薄膜为六角纤锌矿结构,呈现c轴择优取向生长。薄膜在紫外-可见-近红外波段的透射率超过80%,且Mg掺杂可明显拓宽ZnO合金薄膜的光学带隙。所制备p型导电薄膜中的Mg和S含量分别为9%和25%,空穴浓度为2.02×10^(19) cm^(-3),霍尔迁移率为0.25 cm^(2)/(V∙s),电阻率为1.24Ω∙cm。在成功制备p型MgZnOS∶N薄膜的基础上,设计并制备了新型p-MgZnOS∶N/n-ZnO准同质p-n结型紫外光电探测器。器件呈现典型的二极管整流特性(开启电压约为1.21 V),且在0 V偏压下表现出稳定的自驱动紫外光响应,峰值响应度2.26 mA/W(波长为350 nm)。经分析,认为上述自驱动光响应来源于p-n结内建电场对光生载流子的有效分离和传输。本研究可为ZnO的p型掺杂研究提供有价值的参考,对开发高性能全ZnO基光电子器件具有重要意义。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 p型掺杂 MgZnOS p-N结
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β相氧化镓p型导电研究进展 被引量：1
2
作者 查显弧 万玉喜 张道华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期177-189,共13页
β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga_(2)O_(3)p型掺杂的主要策略。对于β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga_(2)O_(3)的p型导电问题,系统阐述了β-Ga_(2)O_(3)电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) p型导电 电子结构 受主能级 固溶 p-N结
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p-n复合半导体光催化剂研究进展 被引量：15
3
作者 吴欢文 张宁 +1 位作者 钟金莲 洪三国 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1669-1674,共6页
综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型&qu... 综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状。根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型"、"二极管"式p-n复合半导体光催化剂,分别对其研究状况进行了介绍。提出了当前p-n复合半导体光催化剂研究中存在的一些问题,并对未来的研究方向进行了探讨。 展开更多
关键词 光催化剂 p-n复合半导体光催化剂 p-n结光催化剂 光催化二极管 复合界面
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P型和N型金刚石薄膜研究进展 被引量：11
4
作者 龚春生 李尚升 张贺 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期36-40,共5页
金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金... 金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 p型 N型
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碲镉汞p-on-n光伏器件优化掺杂的理论计算 被引量：4
5
作者 李向阳 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期71-73,共3页
从理论上考虑了碲镉汞长波光电二极管的主要电流机制 ,并采用合适的参数对R0 A进行了计算 .结果表明 ,由于隧道电流的限制 ,对于一定的衬底浓度 ,选择 p区掺杂的浓度不宜过大 ,反之亦然 .计算得到了优化掺杂浓度与衬底浓度的关系和相应的R0
关键词 碲镉汞光电二极管 p-on-n型 优化设计 理论计算 电流机制 光伏器件 长波红外探测器
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退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响 被引量：9
6
作者 秦国平 孔春阳 +2 位作者 阮海波 南貌 朱仁江 《重庆师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第1期64-66,72,共4页
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600... 利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。 展开更多
关键词 N-In共掺杂 p型ZNO 退火 透射谱
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反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响 被引量：1
7
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期250-252,共3页
居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁... 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度
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N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究 被引量：3
8
作者 高丽丽 刘军胜 +1 位作者 张淼 张跃林 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期499-503,共5页
利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。... 利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。研究了该薄膜的结构与光学性能。实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642cm-1左右与NO相关的振动模。低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469eV的3个发光峰,其中位于3.384eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自NO受主的贡献。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 N掺杂 p型
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在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管 被引量：8
9
作者 矫淑杰 张振中 +5 位作者 吕有明 申德振 赵东旭 张吉英 姚斌 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期542-544,共3页
用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在... 用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 p型掺杂 p-n同质结 分子束外延
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Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究 被引量：2
10
作者 梁薇薇 孔春阳 +1 位作者 秦国平 阮海波 《重庆师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期68-71,共4页
利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果... 利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。 展开更多
关键词 Al-N共掺 p-ZnO N离子注入 XpS
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硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 被引量：2
11
作者 赵鹏程 张振中 +7 位作者 姚斌 李炳辉 王双鹏 姜明明 赵东旭 单崇新 刘雷 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期795-799,共5页
利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄... 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。 展开更多
关键词 ZNO B/N共掺 p型掺杂
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N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展 被引量：3
12
作者 李万俊 孔春阳 +5 位作者 秦国平 阮海波 杨天勇 梁薇薇 孟祥丹 赵永红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第23期49-54,共6页
获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表... 获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。 展开更多
关键词 p型ZNO薄膜 N—X共掺 稳定性
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河西走廊加工型胡萝卜N、P、K肥配施数学模型构建与优化方案研究 被引量：6
13
作者 陈修斌 张红菊 +2 位作者 赵怀勇 张文斌 王勤礼 《沈阳农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期540-543,共4页
采用三因素二次回归通用旋转组合设计,研究氮肥、磷肥、钾肥对加工型胡萝卜产量的影响,结果表明:3因素影响加工型胡萝卜产量的顺序为:N肥>K肥>P肥,各因素间存在交互作用。经过计算机模拟,得到加工型胡萝卜产量达到最高值80.11t.h... 采用三因素二次回归通用旋转组合设计,研究氮肥、磷肥、钾肥对加工型胡萝卜产量的影响,结果表明:3因素影响加工型胡萝卜产量的顺序为:N肥>K肥>P肥,各因素间存在交互作用。经过计算机模拟,得到加工型胡萝卜产量达到最高值80.11t.hm-2时,其相对应N、P、K肥用量分别为1041.90kg.hm-2,177.15kg.hm-2和4059.45kg.hm-2。通过验证表明,模型选优所得N肥、P肥和K肥配比的产量最高,施肥成本、施肥利润、肥料投资效率分别为0.78万元.hm-2、1.50万元.hm-2和1.92,效果明显优于其他配比,证明构建的模型准确可靠。 展开更多
关键词 加工型胡萝卜 N、p、K 数学模型 构建与优化
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N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究 被引量：5
14
作者 赵永红 孔春阳 +6 位作者 秦国平 李万俊 阮海波 孟祥丹 卞萍 徐庆 张萍 《重庆师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期115-120,共6页
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01... 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01×1018)cm-3、3.40cm2.V-1.s-1、1.81Ω.cm。结合XPS分析认为ZnO∶In-N实现p型导电正是由于In的掺入与受主N形成了有利于p型导电的受主InZn-2NO复合体。Hall跟踪测试发现p型导电会随时间变化而最终转变为n型导电,结合XPS和第一性原理计算认为薄膜中存在残余应力和(N2)O施主缺陷是p型不稳定的原因。 展开更多
关键词 ZnO∶In-N薄膜 离子注入 p型掺杂 稳定性 第一性原理
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N/P/As/Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管的第一性原理 被引量：3
15
作者 戴剑锋 陈达城 +1 位作者 崔春梅 樊学萍 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第1期158-160,共3页
基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N... 基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂. 展开更多
关键词 碳化硅纳米管 掺杂 第一性原理 N型半导体 p型半导体
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 被引量：11
16
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期730-734,共5页
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A... 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%. 展开更多
关键词 N—Al共掺ZnO薄膜 p型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
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神经肽P物质对高体积分数氧暴露下大鼠Ⅱ型肺泡上皮细胞的调控作用 被引量：3
17
作者 黄波 李青 +3 位作者 叶梅 杨海燕 匡凤梧 许峰 《实用儿科临床杂志》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期607-609,共3页
目的探讨神经肽P物质(SP)在高体积分数氧(高氧)肺损伤中的调控机制及其与c-Jun氨基末端激酶(JNK)信号转导通路的关系。方法分离纯化原代早产鼠Ⅱ型肺泡上皮细胞(AECⅡ),随机分为空气暴露组(空气组)、高氧暴露组(高氧组)、SP干预空气暴露... 目的探讨神经肽P物质(SP)在高体积分数氧(高氧)肺损伤中的调控机制及其与c-Jun氨基末端激酶(JNK)信号转导通路的关系。方法分离纯化原代早产鼠Ⅱ型肺泡上皮细胞(AECⅡ),随机分为空气暴露组(空气组)、高氧暴露组(高氧组)、SP干预空气暴露组(空气加SP组)及SP干预高氧暴露组(高氧加SP组)。空气组和高氧组分别置于氧体积分数为210 mL/L和950 mL/L密闭氧仓暴露48 h;空气加SP组及高氧加SP组于暴露前加入1×10-6mol/LSP,再分别置于氧体积分数为210 mL/L和950 mL/L密闭氧仓中暴露48 h。各组分别于12、24、48 h取样,常规脱水、包埋、切片,电镜下观察AECⅡ的形态变化;3-(4,5-二甲基-2-噻唑)-2,5-二苯基溴化四唑法及流式细胞仪测定其增殖率和凋亡率;蛋白质免疫印迹法检测磷酸化JNK的动态变化。结果与空气组比较,高氧组暴露12、24、48 h后AECⅡ增殖率均明显降低(Pa<0.05),凋亡率均明显升高(Pa<0.05),高氧加SP组AECⅡ在暴露12、24、48 h后增殖率均明显升高(Pa<0.05),凋亡率明显下降(Pa<0.05),形态学损伤明显改善。高氧刺激可导致JNK的磷酸化激活,磷酸化JNK在高氧损伤的AECⅡ表达均明显增加(Pa<0.05),SP干预后,磷酸化JNK表达明显降低(Pa<0.05)。结论SP可促进高氧暴露下AECⅡ的增殖,并通过抑制JNK信号激活从而抑制AECⅡ的凋亡,对氧化应激状态下的AECⅡ细胞有保护作用。 展开更多
关键词 神经肽p物质 高体积分数氧 Ⅱ型肺泡上皮细胞 C-JUN氨基末端激酶
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超声喷雾热分解法制备p型氧化锌多晶薄膜 被引量：4
18
作者 郑春蕊 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2011年第4期24-26,共3页
采用超声喷雾热分解法在玻璃衬底上以醋酸锌水溶液[Zn(CH3COO)2·2H2O]、醋酸铵(CH3COONH4)和硝酸铝[Al(NO3)3·9H2O]的混合溶液为前驱体生成了N-Al共掺p型氧化锌薄膜。考察了前驱体溶液浓度、载气流速、热解温度对实验结果的... 采用超声喷雾热分解法在玻璃衬底上以醋酸锌水溶液[Zn(CH3COO)2·2H2O]、醋酸铵(CH3COONH4)和硝酸铝[Al(NO3)3·9H2O]的混合溶液为前驱体生成了N-Al共掺p型氧化锌薄膜。考察了前驱体溶液浓度、载气流速、热解温度对实验结果的影响。用XRD和SEM测试手段对薄膜进行了晶体结构和表面形貌的表征,结果表明所制备的薄膜为六角纤锌矿结构的氧化锌薄膜,表面均匀,结构致密,具有强烈的呈c轴垂直于衬底的(002)择优取向。对薄膜进行了电学测试和光致发光性能测试,结果表明制备的薄膜为p型氧化锌薄膜,薄膜的光致发光明显具有氧化锌薄膜的特点。 展开更多
关键词 ZNO p型传导 喷雾热分解 N-Al共掺 光致发光
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p-n型NiWO_(4)/ZnIn_(2)S_(4)异质结光解水析氢性能
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作者 闫爱华 高埜 +4 位作者 张晓辉 黄飞 张同洋 张吉旭 赵文学 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期74-83,共10页
采用水热/水浴两步法构筑了p-n型NiWO_(4)(NWO)/ZnIn_(2)S_(4)(ZIS)异质结,研究了不同含量的NWO对ZIS物相组分、形貌结构、能带结构、光谱吸收及光解水析氢性能等的影响,并采用一系列表征手段探讨了NWO/ZIS异质结的光催化机理.结果表明... 采用水热/水浴两步法构筑了p-n型NiWO_(4)(NWO)/ZnIn_(2)S_(4)(ZIS)异质结,研究了不同含量的NWO对ZIS物相组分、形貌结构、能带结构、光谱吸收及光解水析氢性能等的影响,并采用一系列表征手段探讨了NWO/ZIS异质结的光催化机理.结果表明,负载NWO后,ZIS物相组分及形貌结构未发生显著变化,两种材料界面接触紧密且分布均匀;在可见光辐照下,NWO/ZIS异质结光解水析氢性能得到了显著提升,其中,最佳样品NWO-35/ZIS析氢速率达到5204.8μmol·g^(-1)·h^(-1),为纯相ZIS(1566.4μmol·g^(-1)·h^(-1))的3.32倍;循环实验结果表明,NWO/ZIS样品具有很好的光稳定性;能带结构和光电子动力学表征结果证实了p-n型异质结内建电场驱动的光生载流子的传输机制. 展开更多
关键词 ZnIn_(2)S_(4) NiWO_(4) p-n型异质结 内建电场 光解水析氢
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B-N共掺杂p型MgZnO薄膜的制备与电学性能 被引量：1
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作者 高丽丽 王旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1262-1268,共7页
p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一。本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度低、电阻率高等科学问题,采取磁控溅射技术,利用氮气与氩气混合气体分别溅射MgZnO陶瓷靶和B-N共掺杂MgZnO... p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一。本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度低、电阻率高等科学问题,采取磁控溅射技术,利用氮气与氩气混合气体分别溅射MgZnO陶瓷靶和B-N共掺杂MgZnO陶瓷靶的方法,制备出N掺杂和B-N共掺杂MgZnO薄膜。通过Hall测量表征发现两种薄膜均呈现p型导电特性,与N掺杂MgZnO相比,B-N共掺MgZnO的空穴浓度从5.53×1015 cm^-3提高到2.63×1017 cm^-3,而迁移率变化并不明显(从0.83 cm^2·V^-1·s^-1减小到0.75 cm^2·V^-1·s^-1),导致电阻率从1.36×103Ω·cm减小到31.70Ω·cm。通过XRD和XPS表征揭示了在B-N共掺MgZnO中,B替代Mg或Zn,N除了具有NO和(N2)O两种掺杂状态外,还有以单原子占据O位但与B成键的第三种掺杂状态,证明B掺杂可以提高N在MgZnO中的受主掺杂浓度,但对空穴散射影响很小,从而提高p型MgZnO的空穴浓度,降低电阻率。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 B-N共掺杂 p型
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