摘要
用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。
A ZnO homo-junction light-emitting diode （LED） was fabricated on a-Al2O3 substrate by plasmaassistant molecular beam epitaxy. NO plasma activated by a radio frequency atomic source was used to grow the p-type ZnO layer of the LED, The current-voltage measurements at low temperatures showed a typical diode characteristic with a threshold voltage about 4.0 V at forward bias. Electroluminescence band of the ZnO LED is located at the blue-violet region at 80 K, and the electroluminescence still can be observed up to 200 K.
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期542-544,共3页
Chinese Journal of Luminescence
基金
国家自然科学重点基金(60336020)
国家"863"计划
新材料领域(2001AA311120)
中国科学院二期创新项目和国家自然科学基金(60176003
60278031
60376009)资助项目
