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自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
1
作者 张烁 周清越 +3 位作者 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 《华中科技大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期135-141,共7页
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方... 为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方案.驱动通过检测栅极电压和漏源电压判断SiC MOSFET的开通阶段,进行三段式电流控制,在降低电流过冲的同时,将漏源电压转换率(d V/dt)限制在安全水平.使用自适应逐周期逼近的反馈控制技术补偿了反馈环路的控制延时,能根据工况自适应调节电流切换点.采用东部高科180 nm BCD工艺实现,有效面积为2300μm×2100μm.仿真结果表明:相较于传统栅极驱动,在相同的d V/dt条件下,电流过冲下降了13.7%,开通损耗降低了38%. 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近
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可逆固体氧化物电池电-氢双向瞬态转换特性及电流超调机制
2
作者 冀承泽 宗正 +3 位作者 戈阳阳 张潇桐 吴锴 周峻 《高电压技术》 北大核心 2025年第5期2200-2209,共10页
可逆固体氧化物电池(reversible solid oxide cell,RSOC)兼具发电与电解产氢能力,发电-电解模式切换过程中出现的电流密度超调对RSOC的寿命与能源转换效率有不利影响,然而针对RSOC模式切换瞬态特性及电流超调相关的研究较少。因此在建立... 可逆固体氧化物电池(reversible solid oxide cell,RSOC)兼具发电与电解产氢能力,发电-电解模式切换过程中出现的电流密度超调对RSOC的寿命与能源转换效率有不利影响,然而针对RSOC模式切换瞬态特性及电流超调相关的研究较少。因此在建立RSOC多物理场耦合模型的基础上深入分析了RSOC模式切换过程中的超调现象,研究发现提升燃料通道入口H2O的摩尔分数会降低燃料电池(fuel cell,FC)模式切换到电解池(electrolysis cell,EC)模式的电流密度超调量,而增加EC到FC过程的超调量;此外,研究发现改变不同模式切换方式,引起的电流超调量与电压变化量并不完全呈正相关。为未来RSOC设备在电氢耦合能源系统中的可靠运行提供了理论基础。 展开更多
关键词 可逆固体氧化物电池 电流密度 超调 模式切换 过电压 电压变化量
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储能系统双向DC/DC变换器研究
3
作者 范庭瀚 殳国华 郁高亚 《电气自动化》 2025年第5期99-102,共4页
为了提高直流微网储能系统的稳定性并且优化双向储能变换器的暂态性能,设计了一种可用于直流微网储能系统的双向LLC-交错并联Buck/Boost两级式双向DC/DC变换器。基于模型预测对传统的电流内环PI控制策略进行了改进。搭建了2 kW的试验样... 为了提高直流微网储能系统的稳定性并且优化双向储能变换器的暂态性能,设计了一种可用于直流微网储能系统的双向LLC-交错并联Buck/Boost两级式双向DC/DC变换器。基于模型预测对传统的电流内环PI控制策略进行了改进。搭建了2 kW的试验样机对控制策略加以验证。试验结果表明,所设计的变换器能够实现能量的双向流动,并且解决了变换器在改变工作模式时存在过冲电流的问题。 展开更多
关键词 双向DC/DC变换器 储能系统 模型预测 PI控制 过冲电流
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dI/dt和dV/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动
4
作者 刘畅 杨硕瀚 +1 位作者 童乔凌 李启东 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期9-15,共7页
为了减小绝缘栅型双极晶体管(IGBT)在开关过程中产生的电磁干扰(EMI),设计了一款d I/dt和d V/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动器.通过对IGBT器件开关过程的分析,总结出EMI产生的原因是IGBT在开启和关断过程中的电流过冲和电压过冲.为... 为了减小绝缘栅型双极晶体管(IGBT)在开关过程中产生的电磁干扰(EMI),设计了一款d I/dt和d V/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动器.通过对IGBT器件开关过程的分析,总结出EMI产生的原因是IGBT在开启和关断过程中的电流过冲和电压过冲.为了解决这个问题,采用电感和高耐压电容来检测IGBT开关过程中产生的dIC/dt和d V_(CE)/dt,在特定的开关阶段减小栅极驱动电流,以减小电流过冲和电压过冲,抑制EMI的产生.在抑制EMI的同时,所提出的驱动不会显著增加开关时间,并且开关损耗明显低于传统的栅极驱动器.采用华虹BCD180GE工艺进行设计,仿真结果表明:在相同的电流过冲或电压过冲条件下,所设计驱动的开启和关断损耗分别下降了16%和26%. 展开更多
关键词 绝缘栅型双极晶体管(IGBT) 有源栅极驱动 电磁干扰(EMI) 电压过冲 电流过冲 开关损耗
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一种用于改善IGBT开关过冲的主动栅极控制技术 被引量：3
5
作者 谢海超 王学梅 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期280-291,共12页
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时... 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时间和开关损耗为代价。基于此,提出1种新的主动栅极驱动AGD(active gate drive)控制方法,用于抑制IGBT开关过程中产生的电流和电压过冲,其原理是在IGBT高di/dt和dv/dt阶段主动调节驱动电压,减小电流和电压的变化率,从而抑制电流和电压过冲。实验结果表明,相比传统驱动方法,所提方法可在基本不降低开关速度和不增加开关损耗的同时,显著降低IGBT开关过程中的电流和电压过冲。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 主动栅极驱动 电压和电流过冲
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一种适用于LDO的无过冲软启动电路设计 被引量：1
6
作者 邓家雄 冯全源 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第6期708-712,共5页
设计了一种适用于LDO的无过冲软启动电路。其核心是采用线性升压的软启动策略来消除浪涌电流,电路结构简单、易于实现。为了解决超调现象,利用晶体管与正反馈电路设计了一种快速比较器,使得软启动电路输出电压能平滑地过渡到稳定工作状... 设计了一种适用于LDO的无过冲软启动电路。其核心是采用线性升压的软启动策略来消除浪涌电流,电路结构简单、易于实现。为了解决超调现象,利用晶体管与正反馈电路设计了一种快速比较器,使得软启动电路输出电压能平滑地过渡到稳定工作状态。为了减小版图面积,利用少量的MOS管设计了斜坡产生电路和输入不平衡比较器电路。该软启动电路集成到一款低压差线性稳压器中,采用SMIC 0.18μm BCD工艺实现,电源电压为4.5 V。仿真结果表明,软启动电路有效地消除了浪涌电流,实现输出电压平稳上升无过冲,并能平滑地过渡到稳定工作状态,无超调现象产生。电路结构简单,版图面积为98μm×60μm,便于片上集成,该电路也可以应用到一般的DC-DC稳压器中。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 快速比较器 软启动 浪涌电流 超调现象
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一种感应耦合能量传输系统的软启动控制方法
7
作者 杨继鑫 史黎明 +1 位作者 殷正刚 范满义 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2024年第10期186-192,共7页
为解决目前感应耦合能量传输系统启动阶段电流冲击大、启动可靠性较差等问题,提出一种新型软启动控制方法。分析了基于串-串型补偿电路的感应耦合能量传输系统的数学模型,对比分析高频逆变器不同调制占空比与启动特性之间的关系,对系统... 为解决目前感应耦合能量传输系统启动阶段电流冲击大、启动可靠性较差等问题,提出一种新型软启动控制方法。分析了基于串-串型补偿电路的感应耦合能量传输系统的数学模型,对比分析高频逆变器不同调制占空比与启动特性之间的关系,对系统软启动调节时间长度、占空比调制载波频率等关键参数进行了选取。所提软启动控制方法可较好地抑制启动冲击电流以及软启动调节时间过后的电流振荡现象,并实现高频逆变器在全时间范围内的零电压开关,降低了高频逆变器的开关损耗,进一步提高了系统的安全性和可靠性。基于研制的感应耦合能量传输系统实验样机进行实验,实验结果证明了所提软启动控制方法的有效性。 展开更多
关键词 感应耦合能量传输系统 启动冲击电流 电流振荡 零电压开关 可靠性
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电磁脉冲作用下PIN二极管的响应 被引量：28
8
作者 李勇 宣春 +2 位作者 谢海燕 夏洪富 王建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2061-2066,共6页
采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时... 采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。 展开更多
关键词 电磁脉冲 PIN二极管 过冲电流 限幅器
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一种DC-DC开关电源片上软启动电路 被引量：23
9
作者 李演明 来新泉 +2 位作者 袁冰 叶强 贾新章 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1210-1215,共6页
提出了一种基于DAC(digital-to-analog converter)控制的数字软启动电路,利用DAC控制和软启动电压检测技术,有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中产生的浪涌电流和输出电压过冲,实现了输出电压从零到调整值的平坦上升.在启动完成后启动电... 提出了一种基于DAC(digital-to-analog converter)控制的数字软启动电路,利用DAC控制和软启动电压检测技术,有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中产生的浪涌电流和输出电压过冲,实现了输出电压从零到调整值的平坦上升.在启动完成后启动电路的偏置电流被彻底关断,实现了低功耗设计.该软启动电路采用CMOS器件设计,无需任何外围元件,便于被DC-DC开关电源集成.该电路已成功集成到一款Buck型PWM(pulse width modulation)控制器当中,测试结果表明:在整个负载范围内,DC-DC在启动过程中电感电流平稳变化,输出电压平滑上升、无过冲,启动时间控制在1.2ms. 展开更多
关键词 软启动 DC-DC开关电源 浪涌电流 过冲
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永磁机构真空断路器分闸触头过冲与反弹抑制方法的研究 被引量：10
10
作者 徐建源 雷伟 +1 位作者 汤庚 史可鉴 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期22-27,共6页
为了抑制真空断路器分闸操作过程的触头过冲与反弹现象,提高断路器的开断性能,笔者基于真空断路器永磁机构分闸操作工作原理,分析触头的运动过程,获取有效抑制触头过冲与反弹的预设行程值,建立了触头在分闸位置的速度特性与过冲及反弹... 为了抑制真空断路器分闸操作过程的触头过冲与反弹现象,提高断路器的开断性能,笔者基于真空断路器永磁机构分闸操作工作原理,分析触头的运动过程,获取有效抑制触头过冲与反弹的预设行程值,建立了触头在分闸位置的速度特性与过冲及反弹幅值的特征关系。利用闭环控制策略对永磁机构线圈电流进行调节,降低触头的分闸末速度,实现对触头过冲与反弹的有效抑制。研制以数字信号处理器(DSP)为核心的控制装置,开展12 kV真空断路器永磁机构分闸操作实验,对操作过程中触头行程数据进行对比分析。结果表明,在上述控制系统的作用下,触头的运动过程处于受控状态,通过对预设行程值的标定,实现有效抑制触头过冲与反弹,保证永磁机构分闸操作可靠性,提高断路器分断能力。 展开更多
关键词 永磁机构 过冲与反弹 线圈电流 DSP 分断能力
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一种高集成度的DC-DC开关电源软启动电路 被引量：7
11
作者 刘雨鑫 刘诗斌 +1 位作者 李演明 冯文光 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期108-111,共4页
设计并实现了一种高集成度的DC-DC开关电源软启动电路,使用DAC控制方式产生线性上升的软启动电压,控制DC-DC平稳启动,避免浪涌电流和输出电压过冲.通过抑制开关噪声和提高镜像电流精度等措施提高软启动电压线性度.不使用大电容,使得电... 设计并实现了一种高集成度的DC-DC开关电源软启动电路,使用DAC控制方式产生线性上升的软启动电压,控制DC-DC平稳启动,避免浪涌电流和输出电压过冲.通过抑制开关噪声和提高镜像电流精度等措施提高软启动电压线性度.不使用大电容,使得电路具有高集成度和低功耗.提出的软启动电路已成功集成于一款采用0.6μm CDMOS工艺的高压Buck DC-DC开关电源中,其所占面积仅为0.025mm2.实测结果表明:在整个负载范围内,DC-DC输出电压和电感电流都实现了平稳启动,软启动时间达到4.5ms.并且在输出短路或过温关断的情况下也实现了平稳软启动. 展开更多
关键词 电路 软启动 DC-DC开关电源 浪涌电流 过冲
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时间域电磁探测发射电流过冲产生原理及抑制 被引量：9
12
作者 周逢道 唐红忠 +1 位作者 郭新 王金玉 《吉林大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期1023-1028,共6页
针对时间域电磁探测系统中发射电流过冲造成接收盲区的问题,建立了电流过冲产生和抑制的交流等效模型,运用电路理论对模型进行了分析,提出加速电阻增大过冲电流振荡阻尼的方法,对时间域电磁探测发射机进行了改进。实验表明改进后系统稳... 针对时间域电磁探测系统中发射电流过冲造成接收盲区的问题,建立了电流过冲产生和抑制的交流等效模型,运用电路理论对模型进行了分析,提出加速电阻增大过冲电流振荡阻尼的方法,对时间域电磁探测发射机进行了改进。实验表明改进后系统稳定可靠,并使波形早期道信号前移110μs,达到缩小近地探测盲区的目的,为时间域电磁探测全电流波形收录提供了硬件前提,也可为基于无人机的电磁法探测装备的研发提供参考。 展开更多
关键词 测绘仪器 电磁探测 时间域电磁法 加速电阻 电流过冲 探测盲区
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GaN功率器件应用可靠性增长研究 被引量：10
13
作者 江元俊 王卫华 郑新 《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第1期62-67,共6页
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以... GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以及GaN管芯的沟道温度的高低是影响GaN功率器件长期应用可靠性的主要因素,同时给出了降低漏源过冲电压、提高栅源电压稳定性以及改善GaN管芯的沟道温度的措施和方法。 展开更多
关键词 GaN功率器件 应用可靠性 漏源偏置电压 电压过冲 栅流 管芯结温 加速寿命试验
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Buck变换器电流超调抑制对策及控制电路设计 被引量：3
14
作者 韩明武 黄军 杨世彦 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第1期54-56,共3页
Buck变换器驱动直流电机时,在电流闭环调节过程中,若不采取有效措施,将容易产生过大的电流超调,使得开关管的电流应力过大。本文通过对超级电容电动公交车的试验研究,设计了一种基于乘法器AD532抑制Buck变换器电流超调的控制电路。理论... Buck变换器驱动直流电机时,在电流闭环调节过程中,若不采取有效措施,将容易产生过大的电流超调,使得开关管的电流应力过大。本文通过对超级电容电动公交车的试验研究,设计了一种基于乘法器AD532抑制Buck变换器电流超调的控制电路。理论分析和试验结果表明,这种电路能够有效地抑制起车和加速时的电流超调,使行车舒适,同时保证了开关管的安全工作。 展开更多
关键词 电动车辆 变换器 乘法器/超级电容 电流超调
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1kA高功率脉冲磁控溅射电源研制及试验研究 被引量：11
15
作者 桂刚 田修波 +3 位作者 朱宗涛 吴忠振 巩春志 杨士勤 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期46-50,共5页
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)以其在真空镀膜上更大的优势而越来越受到重视,高压大电流电源是实现HPPMS的关键因素。本文研制了1000 A高功率脉冲磁控溅射电源,给出了电源框架图和主电路拓扑结构图。对脉冲部分采用仿真分析探索大模块IGBT... 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)以其在真空镀膜上更大的优势而越来越受到重视,高压大电流电源是实现HPPMS的关键因素。本文研制了1000 A高功率脉冲磁控溅射电源,给出了电源框架图和主电路拓扑结构图。对脉冲部分采用仿真分析探索大模块IGBT的不均流因素,结果表明驱动一致性是影响均流的关键原因之一;分析了大电流时IGBT两端电压过冲问题,采用RCD吸收和续流回路能有效抑制电压过冲,使电压过冲在正常安全范围内。用所研制的电源进行等离子体负载实验,运行良好,为性能优异薄膜的制备奠定硬件基础。 展开更多
关键词 HPPMS 1000A电源研制 逆变 并联均流 电压过冲
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PWM整流器启动瞬时电流过冲抑制策略 被引量：8
16
作者 许胜 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期158-160,164,共4页
针对PWM整流器启动过渡过程中网侧电流过冲问题,提出了一种新型瞬时电流过充抑制方法,实现简单,无需复杂的控制算法,当检测到电流越限时,只需判断三相电流所存在的按照一定规则划分的当前区间,即可确定各开关的通断状态,实时抑制电流过... 针对PWM整流器启动过渡过程中网侧电流过冲问题,提出了一种新型瞬时电流过充抑制方法,实现简单,无需复杂的控制算法,当检测到电流越限时,只需判断三相电流所存在的按照一定规则划分的当前区间,即可确定各开关的通断状态,实时抑制电流过冲。实验结果显示,利用该电流过冲控制策略,PWM整流器在可控整流启动过渡过程中未出现明显的电流过冲现象。 展开更多
关键词 PWM整流器 启动 电流过冲 电流控制
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一种新型瞬变电磁发射机去过冲系统设计 被引量：7
17
作者 韩冰 于生宝 孙晗 《工矿自动化》 北大核心 2014年第3期45-48,共4页
针对瞬变电磁发射机发射电流过冲造成探测盲区的问题,提出了一种新型瞬变电磁发射机去过冲系统设计方案。该方案在发射线圈两端并联一个优化的RLC二阶电路,在发射电流下降到接近零时接通该电路,让发射电流按指数衰减,从而有效去除电流... 针对瞬变电磁发射机发射电流过冲造成探测盲区的问题,提出了一种新型瞬变电磁发射机去过冲系统设计方案。该方案在发射线圈两端并联一个优化的RLC二阶电路,在发射电流下降到接近零时接通该电路,让发射电流按指数衰减,从而有效去除电流过冲。仿真与实验结果表明,该方案能够去除发射电流的过冲振荡,减小探测盲区。 展开更多
关键词 瞬变电磁法 发射机 探测盲区 电流过冲 欠阻尼振荡 二阶电路
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一种改进型高性能电流舵电荷泵电路设计 被引量：1
18
作者 陈朝阳 陈敏 +1 位作者 沈绪榜 洪功存 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期343-349,共7页
提出一种改进型高性能单端电荷泵电路 ,该电路基于电流舵结构 ,使用运放将偏置电路与充放电电路分开。该电路具有低的输出抖动、宽的电源范围 ,使用级连电流镜像消除过冲注入电流。基于 CMOS0 .3 5工艺 ,用 SPECTRE对该电路进行仿真 ,... 提出一种改进型高性能单端电荷泵电路 ,该电路基于电流舵结构 ,使用运放将偏置电路与充放电电路分开。该电路具有低的输出抖动、宽的电源范围 ,使用级连电流镜像消除过冲注入电流。基于 CMOS0 .3 5工艺 ,用 SPECTRE对该电路进行仿真 ,改进后的电路可消除 1.2 m A的注入电流 ,稳定工作在 2 5 /12 .5 MHz下 ,其最低工作电压为 2 .2 V,静态功耗为 0 .44m A,达到设计目标。 展开更多
关键词 电荷泵 级连电流镜像 过冲注入电流 低抖动
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基于开关瞬态反馈的SiC MOSFET有源驱动电路 被引量：7
19
作者 刘平 陈梓健 +2 位作者 苗轶如 杨江涛 李伟 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第17期4446-4457,共12页
受内部寄生参数与结电容的影响,碳化硅(SiC)功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡,严重影响了SiC基变换器的运行可靠性。因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关... 受内部寄生参数与结电容的影响,碳化硅(SiC)功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡,严重影响了SiC基变换器的运行可靠性。因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关系;然后提出一种变栅极电流的新型有源驱动电路;通过对SiC MOSFET开关瞬态的漏极电流变化率dI_(d)/dt、漏-源极电压变换率dV_(ds)/dt以及栅极电压V_(gs)的直接检测与反馈,在开关过程的电流和电压上升阶段对栅极电流进行主动调节,抑制电流电压过冲与振荡;最后在多个工况下对本文所提方案进行实验验证。结果表明,与常规驱动方案相比,该文方法减小了30%~50%的电流电压过冲,有效抑制振荡与电磁干扰,提高了SiC MOSFET变换器的运行可靠性。 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 有源驱动 栅极电流 电流过冲 电压过冲
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CTIA线列型读出电路输出异常问题研究 被引量：1
20
作者 王静 刘兴新 +1 位作者 李冬冰 袁媛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期914-917,共4页
CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出... CTIA电路结构由于其高注入效率和线性度在小信号探测器读出电路设计中广泛应用。然而,采用该结构作为输入级的TDI线列型读出电路,在使用中处理信号足够大时,帧与帧之间输出电平出现高低差异,最大可达2 V。表现在图像则为明暗条纹交替出现,无法正常探测。积分电容越小,该现象越容易出现。并且,通过改善供电、调节偏置电压和参考电压等措施对该现象均无明显改善。本文针对这一现象,通过深入仿真和理论分析,最终实现问题定位,同时提出解决措施,有效地消除该现象。 展开更多
关键词 CTIA 输出异常 明暗行 过冲电流
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