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中子辐照后NPN型双极晶体管脉冲γ辐射效应实验研究
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作者 刘炜剑 李瑞宾 +3 位作者 郭晓强 李俊霖 白小燕 于士淋 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第11期2577-2584,共8页
为进一步阐明中子预辐照对NPN型双极晶体管脉冲γ辐射效应的影响规律,本文对NPN型双极晶体管进行不同注量中子辐照,并开展了瞬时电离辐射光电流响应实验研究,获得了初次光电流幅值、持续时间的变化趋势。结合光电流响应模型,根据不同注... 为进一步阐明中子预辐照对NPN型双极晶体管脉冲γ辐射效应的影响规律,本文对NPN型双极晶体管进行不同注量中子辐照,并开展了瞬时电离辐射光电流响应实验研究,获得了初次光电流幅值、持续时间的变化趋势。结合光电流响应模型,根据不同注量中子辐照对晶体管参数造成影响的瞬时剂量率范围,分别从2个阶段分析了瞬时电离辐射初次光电流响应与中子注量的关系,获取了初次光电流响应随少数载流子寿命的变化趋势。此外,还分析得到了初次光电流响应与瞬时剂量率的变化关系。研究结果表明:中子预辐照注量的变化对瞬时电离辐射初次光电流幅值、持续时间无明显影响;双极晶体管初次光电流响应与瞬时剂量率呈正相关,实验结果与理论分析相一致。 展开更多
关键词 npn型双极晶体管 中子辐照 脉冲γ辐射
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Polynomial Commitment in a Verkle Tree Based on a Non-Positional Polynomial Notation
2
作者 Kunbolat T.Algazy Kairat S.Sakan +1 位作者 Saule E.Nyssanbayeva Ardabek Khompysh 《Computers, Materials & Continua》 2025年第7期1581-1595,共15页
This paper examines the application of the Verkle tree—an efficient data structure that leverages commitments and a novel proof technique in cryptographic solutions.Unlike traditional Merkle trees,the Verkle tree sig... This paper examines the application of the Verkle tree—an efficient data structure that leverages commitments and a novel proof technique in cryptographic solutions.Unlike traditional Merkle trees,the Verkle tree significantly reduces signature size by utilizing polynomial and vector commitments.Compact proofs also accelerate the verification process,reducing computational overhead,which makes Verkle trees particularly useful.The study proposes a new approach based on a non-positional polynomial notation(NPN)employing the Chinese Remainder Theorem(CRT).CRT enables efficient data representation and verification by decomposing data into smaller,indepen-dent components,simplifying computations,reducing overhead,and enhancing scalability.This technique facilitates parallel data processing,which is especially advantageous in cryptographic applications such as commitment and proof construction in Verkle trees,as well as in systems with constrained computational resources.Theoretical foundations of the approach,its advantages,and practical implementation aspects are explored,including resistance to potential attacks,application domains,and a comparative analysis with existing methods based on well-known parameters and characteristics.An analysis of potential attacks and vulnerabilities,including greatest common divisor(GCD)attacks,approximate multiple attacks(LLL lattice-based),brute-force search for irreducible polynomials,and the estimation of their total number,indicates that no vulnerabilities have been identified in the proposed method thus far.Furthermore,the study demonstrates that integrating CRT with Verkle trees ensures high scalability,making this approach promising for blockchain systems and other distributed systems requiring compact and efficient proofs. 展开更多
关键词 Verkle tree Verkle tree commitment and proof non-positional polynomial notation(npn) Chinese remainder theorem
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布列兹Notations Ⅰ音乐分析
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作者 肖艺倩 《艺术科技》 2025年第11期17-19,共3页
20世纪的西方音乐发生剧烈变革,勋伯格创立的十二音体系打破了传统调性的束缚,为先锋派音乐创作开辟了全新路径。在此背景下,法国著名作曲家、指挥家皮埃尔·布列兹以其激进的音乐探索深刻改变了古典音乐的发展面貌,对法国乃至全球... 20世纪的西方音乐发生剧烈变革,勋伯格创立的十二音体系打破了传统调性的束缚,为先锋派音乐创作开辟了全新路径。在此背景下,法国著名作曲家、指挥家皮埃尔·布列兹以其激进的音乐探索深刻改变了古典音乐的发展面貌,对法国乃至全球音乐界产生了深远影响。布列兹在梅西安和声班学习期间,便对音乐创作中的科学逻辑产生了浓厚兴趣。当勋伯格的学生莱波维兹将十二音体系引入法国后,布列兹迅速将这一技法融入自身创作,开启了其充满前卫探索精神的音乐生涯。文章聚焦布列兹早期代表作NotationsI,通过对作品的音乐结构、创作技术及美学内涵进行详细分析,揭示其艺术特质与价值。研究从音高材料组织、曲式结构布局、节奏运用等维度展开,深入剖析了作品在传统音乐范式与现代音乐语言之间的过渡特征,探讨了其在布列兹创作生涯中的奠基意义,并阐释了作曲家如何在有限的篇幅内实现理性构思与感性表达的平衡。研究发现,NotationsI作为布列兹早期创作的重要成果,既继承了传统音乐的结构性思维,又融入了先锋派的创新技法,在音乐结构、创作技术及美学表达上兼具传统与现代特质,集中体现了理性与感性的融合,具有不可替代的独特艺术价值。 展开更多
关键词 布列兹 notationsⅠ 音乐
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重纽问题再讨论:论中古重纽的稳定性与不稳定性
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作者 麦耘 《中国语文》 北大核心 2026年第1期97-103,141,共8页
论者认为中古重纽是不稳定的音韵现象,并进一步认为是当时三等介音的自由变体,它们后代是通过“音系化”形成不同的音。本文不同意这个观点,通过对《切韵》反切的统计,明确重纽是相当稳定的现象,同时也指出有局部的不稳定性,但那是少数... 论者认为中古重纽是不稳定的音韵现象,并进一步认为是当时三等介音的自由变体,它们后代是通过“音系化”形成不同的音。本文不同意这个观点,通过对《切韵》反切的统计,明确重纽是相当稳定的现象,同时也指出有局部的不稳定性,但那是少数字在音位上的变异,并非变体在音值上的游移。本文还举出唐代慧琳反切,以及现代闽方言和山西方言为例来说明这个问题。 展开更多
关键词 中古音 重纽 稳定性和不稳定性 《切韵》反切 慧琳音 现代方言
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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 被引量:9
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作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 npn双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强
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不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 被引量:7
6
作者 席善斌 陆妩 +6 位作者 郑玉展 许发月 周东 李明 王飞 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期533-537,共5页
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺... 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。 展开更多
关键词 npn双极晶体管 60Co Γ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应
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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 被引量:8
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作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页
对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地... 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。 展开更多
关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强 变温辐照 加速评估方法
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不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 被引量:4
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作者 席善斌 王志宽 +6 位作者 陆妩 王义元 许发月 周东 李明 王飞 杨永晖 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期205-208,共4页
对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的... 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。 展开更多
关键词 npn双极晶体管 ^6^0Co-y辐照 基区掺杂浓度 辐照偏置
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电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性 被引量:3
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作者 姜柯 陆妩 +5 位作者 胡天乐 王信 郭旗 何承发 刘默涵 李小龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期294-300,共7页
本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化... 本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关. 展开更多
关键词 npn输入双极运算放大器 电子辐射 辐射效应 退火
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不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应 被引量:3
10
作者 张华林 任迪远 +1 位作者 陆妩 崔帅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期29-34,共6页
研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效... 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。 展开更多
关键词 剂量率效应 npn NMOS管 增益 阈电压
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多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究 被引量:3
11
作者 陈光炳 张培健 谭开洲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期520-523,528,共5页
为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐... 为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,I_B有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。 展开更多
关键词 多晶硅发射极 npn 辐照偏置 60Coγ射线 辐射损伤
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氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响 被引量:2
12
作者 席善斌 陆妩 +4 位作者 王志宽 任迪远 周东 文林 孙静 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期104-108,共5页
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外,两种NPN晶体管均表现出明... 研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外,两种NPN晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应。本文对各种实验现象的损伤机理进行了分析。 展开更多
关键词 npn双极晶体管 60Coγ辐照 氧化层厚度 剂量率效应
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NPN型半导体致冷结构 被引量:2
13
作者 揣荣岩 孟丽囡 +1 位作者 汲晓欧 董海青 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2001年第5期420-422,共3页
提出了一种新型的半导体致冷结构,并对其致冷机理进行了理论分析,由于与晶体管结构相同,且工作在放大状态下,因此这种半导体致冷具有控制功率小,灵敏度高等优点,同时其制造工艺还可与集成电路相兼容.
关键词 npn结构 半导体致冷 结构设计 半导体致冷器 致冷机理
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不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 被引量:9
14
作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期274-277,共4页
对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益... 对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。 展开更多
关键词 npn双极晶体管 低剂量率 偏置 60Coγ辐照
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NPN复合添加剂舔块饲喂肉牛试验 被引量:6
15
作者 张志文 张晓明 +1 位作者 李德发 刘景文 《饲料工业》 北大核心 1993年第8期34-35,共2页
近年来,我国农区肉牛业发展非常迅速,并形成了以农民家庭户养为主体,以农作物秸秆为基本饲料来源,配以少量玉米、棉籽饼等廉价精料及酒糟等副产品饲料的饲养模式。这种饲养模式饲养成本低,经济效益好,但日粮营养成分不平衡,蛋白质含量偏... 近年来,我国农区肉牛业发展非常迅速,并形成了以农民家庭户养为主体,以农作物秸秆为基本饲料来源,配以少量玉米、棉籽饼等廉价精料及酒糟等副产品饲料的饲养模式。这种饲养模式饲养成本低,经济效益好,但日粮营养成分不平衡,蛋白质含量偏低,矿物质及维生素缺乏,在一定程度上影响了牛的增重速度及饲料转化效率,限制了肉牛的生产潜力及经济效益的发挥。尿素为肉牛粗蛋白质饲料的廉价来源,但在使用中存在着添加方法及合适的添加量等问题,如果使用不当,轻者影响效果的发挥并造成浪费,重者会导致牛中毒死亡,造成严重的经济损失。 展开更多
关键词 肉牛 饲料添加剂 舔块 npn
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一种超βNPN晶体管的研制 被引量:1
16
作者 阚玲 欧宏旗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期689-692,共4页
阐述了一种超βNPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE=5 V、IC=500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900~1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15 V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求.
关键词 超β npn晶体管 双极晶体管 半导体工艺
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基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响 被引量:1
17
作者 李骏 王健安 +3 位作者 吴雪 李兴冀 杨剑群 王志宽 《现代应用物理》 2019年第3期54-58,共5页
针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN... 针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧。 展开更多
关键词 npn型晶体管 表面掺杂浓度 电离损伤 深能级瞬态谱
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新型NPN配合颗粒料——“替蛋白” 被引量:1
18
作者 任礼先 王德 +2 位作者 李晓波 柏凤芳 裴承元 《黑龙江畜牧兽医》 CAS 北大核心 1992年第6期11-13,共3页
蛋白质饲料紧张乃世界性问题,预测2000年我国蛋白质饲料缺口达1190万吨。目前有些地方已出现因蛋白质饲料不足而造成产奶量下降的严重后果。因此,开发蛋白质饲料资源乃是当务之急。尿素含N量高是豆饼的6.8倍。
关键词 饲料 npn 配合颗粒 替蛋白
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一种高速高压NPN管的研制 被引量:1
19
作者 张正元 龙绍周 +1 位作者 刘建华 张庆中 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期350-353,共4页
把Ning-Tang测试发射极电阻的方法进行扩展,用来测试多晶发射极界面氧化层电阻,作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验,获得退火的优化工艺条件,并由此成功地研制出BVCEO≥30V,BVCBO=... 把Ning-Tang测试发射极电阻的方法进行扩展,用来测试多晶发射极界面氧化层电阻,作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验,获得退火的优化工艺条件,并由此成功地研制出BVCEO≥30V,BVCBO=75V,fT=2GHz,β=180的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻SSM150型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布,得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为50nm,基区结深为200nm。 展开更多
关键词 半导体器件 半导体工艺 多晶硅发射极 npn晶体管
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论我国反刍动物非蛋白氮(NPN)饲料资源开发利用潜力与途径 被引量:5
20
作者 成广仁 《中国畜牧杂志》 CAS 北大核心 1991年第4期59-60,53,共3页
一、我国开发利用NPN饲料资源的迫切性 众所周知,我国人口增长对粮食和畜产品需要的迅猛增加,给我国社会和农业生产的发展带来了日趋严重的巨大压力。由于粮食生产的制约,有人主张今后畜牧业发展的战略重点不得不由猪、鸡等“精料型”... 一、我国开发利用NPN饲料资源的迫切性 众所周知,我国人口增长对粮食和畜产品需要的迅猛增加,给我国社会和农业生产的发展带来了日趋严重的巨大压力。由于粮食生产的制约,有人主张今后畜牧业发展的战略重点不得不由猪、鸡等“精料型”畜禽向牛、羊、兔、驼等“节粮型”草食动物转移。据推算(各种作物籽实总产量乘以秸秆产量系数),我国农作物秸秆年总产量达7亿多吨,其中稻草类2.3亿吨、玉米秆2.2亿吨,小麦秸秆类1.2亿吨, 展开更多
关键词 反刍动物 npn 饲料 资源 开发利用
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