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多注速调管型C波段6 MeV驻波直线加速器
1
作者 左向华 包明明 +4 位作者 董成龙 许志航 张岳 梁栋 万知之 《电子器件》 2025年第3期517-523,共7页
介绍了一种新型的多注速调管型直线加速器系统,其采用C波段3 MW多注速调管作为功率源,用以驱动C波段6 MeV加速管,整套系统具有大工作比、高稳定性、长寿命的特点。给出了该加速器系统的整体设计思路,对多注速调管功率源、6 MeV驻波加速... 介绍了一种新型的多注速调管型直线加速器系统,其采用C波段3 MW多注速调管作为功率源,用以驱动C波段6 MeV加速管,整套系统具有大工作比、高稳定性、长寿命的特点。给出了该加速器系统的整体设计思路,对多注速调管功率源、6 MeV驻波加速管、频率自动控制系统等核心器件的设计进行了详细论述。文中还对该系统进行了测试分析,包括空气吸收剂量率、能量、焦点和稳定性等。 展开更多
关键词 驻波直线加速器 C波段 6 mev 多注速调管功率源
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基于深度强化学习的以太坊MEV交易防护与交易排序优化
2
作者 严彦胜 李京 《网络安全与数据治理》 2025年第7期20-26,共7页
以太坊交易排序中的最大可提取价值(MEV)问题,使恶意交易者通过操控交易顺序获利,破坏了网络公平性并推高Gas费用。为抑制MEV行为和优化公平性,同时提升系统效率,提出了一种基于深度Q网络(DQN)的交易排序优化方法。通过设计合理的状态... 以太坊交易排序中的最大可提取价值(MEV)问题,使恶意交易者通过操控交易顺序获利,破坏了网络公平性并推高Gas费用。为抑制MEV行为和优化公平性,同时提升系统效率,提出了一种基于深度Q网络(DQN)的交易排序优化方法。通过设计合理的状态空间、动作空间与奖励函数,智能体能够自主学习最优排序策略。结合Geth私有链、Flashbots MEV-Explore与Ethereum Mempool数据,系统性验证了该方法的有效性。实验结果表明,DQN排序策略可将MEV提取率降至13%以下,平均Gas费用较传统策略降低约33.1%,公平性指数提升至0.78,显著优于现有方法。同时搭建的闭环实验系统为区块链交易公平性和效率优化提供了可行方案。 展开更多
关键词 以太坊 最大可提取价值(mev) 交易排序优化 深度Q网络(DQN)
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5 MeV电子直线加速器建设与空间辐射效应应用
3
作者 陶孟泽 李宏伟 +7 位作者 张龙龙 徐振宇 赵旭 蔡明辉 韩建伟 余国龙 杨京鹤 王常强 《航天器环境工程》 2025年第3期263-269,共7页
在航天器充放电效应和总剂量效应研究及工程应用中,为克服模拟空间电子辐射环境的地面试验设备辐照面积有限、电子能量偏低等局限性,中国科学院国家空间科学中心设计和建造了怀柔5 MeV电子直线加速器。该设备具备电子能量0.5~5 MeV、束... 在航天器充放电效应和总剂量效应研究及工程应用中,为克服模拟空间电子辐射环境的地面试验设备辐照面积有限、电子能量偏低等局限性,中国科学院国家空间科学中心设计和建造了怀柔5 MeV电子直线加速器。该设备具备电子能量0.5~5 MeV、束斑尺寸800 mm×800 mm、束流强度1 pA/cm^(2)~1 nA/cm^(2)的真空/大气电子辐照试验条件,可覆盖中地球轨道(MEO)和地球同步轨道(GEO)最恶劣高能电子环境,可开展部件、单机甚至小卫星级别的空间电离辐射效应试验评估。装置自投入运行以来,已支撑多项航天型号产品的辐照试验任务,能够有效评估航天产品的空间抗电离辐射能力,可为航天电子系统的设计、器件选型和效应评估提供重要技术支持。 展开更多
关键词 5 mev电子直线加速器 空间电离辐射 地面模拟试验 抗辐射能力评估 充放电效应 总剂量效应
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闪光照相中MeV级网栅的设计 被引量：9
4
作者 刘军 刘进 +1 位作者 管永红 景越峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2047-2051,共5页
通过理论分析,确定了MeV级多孔网栅的设计目标、拟采用的照相布局及图像接收系统。在此基础上,通过蒙特卡罗模拟和理论分析,确定了网栅的主要参数,包括网栅厚度、孔径与孔间距和W薄片厚度,并研究了加工误差和非理想照相因素对网栅性能... 通过理论分析,确定了MeV级多孔网栅的设计目标、拟采用的照相布局及图像接收系统。在此基础上,通过蒙特卡罗模拟和理论分析,确定了网栅的主要参数,包括网栅厚度、孔径与孔间距和W薄片厚度,并研究了加工误差和非理想照相因素对网栅性能的影响,最后给出了原理样机的设计参数。针对原理样机开展了数值模拟,利用模拟图像进行了网栅图像修补与插值等图像预处理工作,初步验证了原理样机在实际应用中的可行性。 展开更多
关键词 mev级网栅 散射 蒙特卡罗模拟 闪光照相
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100MeV回旋加速器中心区结构设计 被引量：3
5
作者 吕银龙 姚红娟 +4 位作者 宋国芳 刘景源 杨建俊 殷治国 葛涛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期366-371,共6页
中国原子能科学研究院建成了100 MeV紧凑型强流质子回旋加速器,其引出能量为75~100 MeV,流强为200μA。安装在回旋加速器狭小磁极气隙的中心区与螺旋静电偏转板是关键部件,其结构设计涉及磁场、高频电场、高压静电场、真空、传热等方面... 中国原子能科学研究院建成了100 MeV紧凑型强流质子回旋加速器,其引出能量为75~100 MeV,流强为200μA。安装在回旋加速器狭小磁极气隙的中心区与螺旋静电偏转板是关键部件,其结构设计涉及磁场、高频电场、高压静电场、真空、传热等方面。本文介绍了中心区与螺旋静电偏转板的结构设计及使用情况。在设计过程中,采取加大绝缘距离、优化高频连接结构、增加杂散束流阻拦装置等措施,解决了中心区与螺旋静电偏转板在强流注入时可靠工作的问题。本文对螺旋偏转板进行了传热分析,得出了该螺旋偏转板在强流束注入时的温度分布。设计的中心区和螺旋偏转板已安装在加速器上,20μA/100 MeV的引出束流通过了12h稳定性测试,在加速器测试过程中,中心区工作稳定可靠。 展开更多
关键词 100 mev回旋加速器 强流中心区 螺旋偏转板 结构设计
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国产Am-Be中子源4.438 MeV γ射线与中子强度比值测量 被引量：3
6
作者 刘镇洲 陈金象 +2 位作者 朱培 李永明 张国辉 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期300-304,共5页
本工作涉及准确测量国产Am-Be中子源发射的4.438 MeV γ射线与中子强度比值R=Sγ/Sn的实验方法。中子源的中子发射率用锰浴法进行比对测量。用75 mm×75 mm NaI(Tl)探测器测量中子源的γ能谱;用MCNP程序模拟计算中子引起的γ本底... 本工作涉及准确测量国产Am-Be中子源发射的4.438 MeV γ射线与中子强度比值R=Sγ/Sn的实验方法。中子源的中子发射率用锰浴法进行比对测量。用75 mm×75 mm NaI(Tl)探测器测量中子源的γ能谱;用MCNP程序模拟计算中子引起的γ本底和探头的源峰探测效率。实验与理论计算得到的R值符合得很好。综合评价已发表的R实验值,给出了R推荐值为0.575(1±4.8%)。结果表明,R值可认为是Am-Be源的一标志性特征量。 展开更多
关键词 Am-Be中子源 4.438 mevγ射线 中子发射率 MCNP程序
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FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究 被引量：4
7
作者 贺朝会 陈晓华 +5 位作者 李国政 刘恩科 王燕萍 姬林 耿斌 杨海亮 《核电子学与探测技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期115-119,153,共6页
给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错... 给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错误 ;当中子注量达到一定值时 ,开始出现错误。随着中子注量的增加 ,错误数增加 ,直到所有“0”变为“1”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误 ,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下 ,不加电的器件无错误 ,而加电的器件都出现错误 。 展开更多
关键词 FLASH ROM 14mev 中子辐照实验
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MeV微集团束与物质的相互作用 被引量：4
8
作者 卢希庭 沈定予 +6 位作者 王雪梅 赵强 赵子强 郑涛 沈毅雄 夏宗璜 江栋兴 《原子核物理评论》 CAS CSCD 1998年第3期150-154,共5页
简述了有关ＭｅＶ微集团离子束与物质表面相互作用研究的概况．介绍了在北京大学技术物理系和重离子物理所１．７ＭＶ串列加速器上开展的有关实验研究及取得的初步结果．
关键词 mev微集团束 集团区 集体效应 离子束
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100 MeV强流质子回旋加速器超高真空系统研制 被引量：3
9
作者 潘高峰 张素平 +4 位作者 李振国 张天爵 宋国芳 邢建升 秦久昌 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2084-2088,共5页
中国原子能科学研究院建成了一台强流质子回旋加速器,其引出能量为100 MeV,流强为200μA。为减小粒子加速时束流损失的目的,其粒子加速腔内工作真空度要求为6.7×10^(-6) Pa。由于是紧凑型加速器结构,该加速器能提供给真空系统利用... 中国原子能科学研究院建成了一台强流质子回旋加速器,其引出能量为100 MeV,流强为200μA。为减小粒子加速时束流损失的目的,其粒子加速腔内工作真空度要求为6.7×10^(-6) Pa。由于是紧凑型加速器结构,该加速器能提供给真空系统利用的通路有限,为此主真空系统设计为内置式低温冷板结合商业低温泵的排气方案以增加系统整体的抽气能力。设计、加工完成的真空系统已成功应用于100 MeV强流质子回旋加速器上,为加速器的束流调试和正常供束提供了有利的保障。 展开更多
关键词 100mev强流质子回旋加速器 真空系统 内置式低温冷板
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MeV能区HPGeγ探测器本征效率和γ剂量的确定 被引量：3
10
作者 叶宗垣 丁声耀 +3 位作者 李宇兵 丁锡祥 包宗渝 杨小芸 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期419-427,共9页
使用多线γ放射源、氯化钠热中子俘获γ射线源、￣（１９）Ｆ（ｐ，αγ）源以及镍热中子俘获γ源来得到全能峰、单逃逸峰和双逃逸峰在７００－９０００ｋｅＶ能区范围内探测器本征效率值随能量变化的曲线。所得结果用来确定镍热中子俘... 使用多线γ放射源、氯化钠热中子俘获γ射线源、￣（１９）Ｆ（ｐ，αγ）源以及镍热中子俘获γ源来得到全能峰、单逃逸峰和双逃逸峰在７００－９０００ｋｅＶ能区范围内探测器本征效率值随能量变化的曲线。所得结果用来确定镍热中子俘获γ场，￣（１９）Ｆ（ｐ，αγ）反应γ场及反应堆重水循环系统上￣（１６）Ｏ（ｎ，ｐ）￣（１６）Ｎ反应γ场的γ剂量，并将其与用电离室测试的结果进行比较。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 γ本征效率 mev能区γ射线 γ空气比释动量率
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基于BP神经网络从活化数据中求解1MeV等效中子注量 被引量：6
11
作者 李达 陈达 +4 位作者 江新标 张文首 朱广宁 于青玉 苏春磊 《现代应用物理》 2015年第4期248-253,共6页
给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1 MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网... 给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1 MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网络群可实现在输入测量活化率数据后,直接输出相应的1 MeV等效中子注量。利用该方法求解了西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台内的1 MeV等效中子注量。与实测中子能谱计算的1MeV等效中子注量结果对比,二者偏差小于6.6%。 展开更多
关键词 BP神经网络 西安脉冲堆 中子能谱 1 mev等效中子注量
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基于玻璃毛细管的大气环境MeV质子微束的产生与测量 被引量：2
12
作者 万城亮 潘俞舟 +16 位作者 朱丽萍 李鹏飞 张浩文 赵卓彦 袁华 樊栩宏 孙文胜 杜战辉 陈乾 崔莹 廖天发 魏晓慧 王天琦 陈熙萌 李公平 Reinhold Schuch 张红强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期143-152,共10页
本文采用玻璃毛细管产生了大气环境中工作的2.5 MeV质子外束微束,并对束斑直径及能量分布随玻璃毛细管与束流方向之间角度(倾角)变化进行测量.测量结果表明,在玻璃毛细管轴向与束流方向一致时(倾角为0°),产生的微束中存在保持初始... 本文采用玻璃毛细管产生了大气环境中工作的2.5 MeV质子外束微束,并对束斑直径及能量分布随玻璃毛细管与束流方向之间角度(倾角)变化进行测量.测量结果表明,在玻璃毛细管轴向与束流方向一致时(倾角为0°),产生的微束中存在保持初始入射能量的直接穿透部分以及散射部分,其中直接穿透的质子占比最大,束斑直径也最大.随着玻璃毛细管倾角的增大,当其大于几何张角时,束斑直径变小,产生的微束全部为能量减小的散射部分,直接穿透质子消失.我们对质子在玻璃毛细管内传输时的内壁散射过程进行了模拟计算及离子轨迹分析,发现大角度的散射部分决定了形成的外束微束斑外围轮廓,而束斑中心区域由不与毛细管内壁产生任何作用的直接穿透离子构成,其大小由玻璃毛细管出口直径以及几何容许张角决定.采用玻璃毛细管产生的外束微束具有产生简单廉价,微束区域定位简单的特点,有望在辐射生物学、医学、材料等领域得到广泛应用. 展开更多
关键词 离子外束微束 mev质子 锥形玻璃毛细管
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Ge(Li)探测器测定14MeV中子引起^(238)U裂变中稀土核素的裂变产额 被引量：3
13
作者 李文新 孙彤玉 +2 位作者 郑蔓艽 董天荣 孙秀华 《核化学与放射化学》 CAS 1983年第2期176-180,共5页
在核化学研究中,对稀土核素生成截面的资料是非常感兴趣的。因为在各种能量的轻粒子引起重核的裂变,或者在重离子引起的核反应中,稀土核素都构成了核反应产物中相当大的一部分。此外,处于大的核形变区的稀土核远离任何满核子壳层,因此... 在核化学研究中,对稀土核素生成截面的资料是非常感兴趣的。因为在各种能量的轻粒子引起重核的裂变,或者在重离子引起的核反应中,稀土核素都构成了核反应产物中相当大的一部分。此外,处于大的核形变区的稀土核远离任何满核子壳层,因此测量稀土核的反应截面能够获得不受壳效应影响的核反应信息。 展开更多
关键词 238U裂变 14mev中子 稀土裂变产额
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Mev ^(28)Si^+注入GaAs的退火行为 被引量：1
14
作者 姬成周 李国辉 +2 位作者 成步文 王琦 王文勋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第2期167-172,共6页
报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.
关键词 mev 离子注入 退火 砷化镓
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14MeV中子治癌机中治疗头屏蔽体的优化设计 被引量：2
15
作者 贾文宝 姚泽恩 +2 位作者 苏桐龄 王学智 杨化中 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第11期824-827,共4页
应兰州大学１４ＭｅＶ中子治癌机中治疗头屏蔽体的设计需要，利用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＮＰ程序）模拟计算了一个复合屏蔽的（采用１００ｃｍ源皮距下，国际上一般采用１００—１２０ｃｍ）中子输运过程，计算了 １４ＭｅＶ... 应兰州大学１４ＭｅＶ中子治癌机中治疗头屏蔽体的设计需要，利用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＮＰ程序）模拟计算了一个复合屏蔽的（采用１００ｃｍ源皮距下，国际上一般采用１００—１２０ｃｍ）中子输运过程，计算了 １４ＭｅＶ快中子源在复合屏蔽的不同组合时的透射剂量率，优化设计了最经济实用的屏蔽体的方案，为治疗头的屏蔽设计提供了可靠的科学依据。 展开更多
关键词 透射剂量率 10mev中子治癌机 头屏蔽体 优化设计
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18MeV质子辐照对Zr-Sn-Nb合金性能影响的研究 被引量：3
16
作者 封向东 祖小涛 王治国 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期277-280,共4页
作者通过HZ B串列加速器用能量 18MeV的质子 ,研究了两种Zr Sn Nb合金的质子辐照效应 .结果表明 ,经 1.5× 10 14 /cm2 注量质子辐照处理后 ,其样品的电阻率升高 ,而显微组织没有明显的变化 .通过计算在此能量和注量下锆合金的初级... 作者通过HZ B串列加速器用能量 18MeV的质子 ,研究了两种Zr Sn Nb合金的质子辐照效应 .结果表明 ,经 1.5× 10 14 /cm2 注量质子辐照处理后 ,其样品的电阻率升高 ,而显微组织没有明显的变化 .通过计算在此能量和注量下锆合金的初级撞出能量为 770keV ,足以产生级联碰撞 ,致使样品中的原子移位而生成点缺陷 ,从而电阻率上升 。 展开更多
关键词 Zr-Sn-Nb合金 质子辐照效应 电阻率 初级撞出能 TEM观察 显微组织 18mev质子
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100MeV电子直线加速器的安装测量 被引量：8
17
作者 于成浩 杜涵文 柯明 《测绘技术装备》 CAS 2005年第3期43-45,30,共4页
介绍100MeV电子直线加速器的安装测量过程及复测和调整中所遇问题的解决办法。特别阐述了激光跟踪仪三维测量技术的特点,估算并利用其他精密仪器验证其精度。
关键词 100mev电子直线加速器 安装测量 激光跟踪仪三维测量技术 辐射防护 定位精度
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6 MeV全密封边耦合驻波加速管 被引量：2
18
作者 顾本广 周平 +2 位作者 黄远忠 王志平 丁燕青 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期23-28,共6页
文章介绍了6MeV全密封边耦合驻波加速管的研制概况,该加速管的整管长度为0.33m,电子枪为三极皮尔斯型,阳极电压为-8KV DC,在采用脉冲功率为2.6 MW,脉冲宽度为4.2μs,重覆频率为280 Hz的脉冲磁控管作微波功率源时,可以在离靶1m处获得吸... 文章介绍了6MeV全密封边耦合驻波加速管的研制概况,该加速管的整管长度为0.33m,电子枪为三极皮尔斯型,阳极电压为-8KV DC,在采用脉冲功率为2.6 MW,脉冲宽度为4.2μs,重覆频率为280 Hz的脉冲磁控管作微波功率源时,可以在离靶1m处获得吸收剂量率约为6.4 Gy/min的X线,靶点约为φ2mm。 展开更多
关键词 驻波 加速管 边耦合腔 mev能区
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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 被引量：2
19
作者 张翔 李豫东 +6 位作者 郭旗 文林 周东 冯婕 马林东 蔡毓龙 王志铭 《现代应用物理》 2019年第1期50-53,共4页
用能量为3MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情况。结果表明,3MeV质子辐照后,固定模式噪声有所退化;100℃退火后,固定模式噪声有明显恢复。退化原因主要... 用能量为3MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情况。结果表明,3MeV质子辐照后,固定模式噪声有所退化;100℃退火后,固定模式噪声有明显恢复。退化原因主要是浮置扩散结构中位移缺陷引起的暗信号发生了非均匀性变化。此外,受工艺因素限制,读出电路晶体管中的SiO_2-Si界面状态在各个像素单元中不一致,导致辐照后电离总剂量效应诱发的界面态陷阱电荷使各个像素单元中读出电路参数的退化情况不同,是固定模式噪声退化的另一个原因。 展开更多
关键词 背照式CMOS图像传感器 3mev质子 固定模式噪声 位移效应 电离总剂量效应
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两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质 被引量：1
20
作者 姬成周 张燕文 +2 位作者 李国辉 王文勋 苏里曼 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期281-286,共6页
２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激... ２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。 展开更多
关键词 mev离子注入 磷化铟 两步退火
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