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激光CVD法制备3C-SiC薄膜的结构调控及性能研究
1
作者
柴宇新
《聚酯工业》
2025年第6期1-3,共3页
本文通过运用激光化学气相沉积技术在硅衬底上生长3C-SiC薄膜,深入研究工艺参数对3C-SiC薄膜微观结构的影响规律。通过精准控制工艺参数可成功制备出不同结构的3C-SiC多晶薄膜,不同结构的3C-SiC薄膜在电学和电化学性能方面呈现出明显的...
本文通过运用激光化学气相沉积技术在硅衬底上生长3C-SiC薄膜,深入研究工艺参数对3C-SiC薄膜微观结构的影响规律。通过精准控制工艺参数可成功制备出不同结构的3C-SiC多晶薄膜,不同结构的3C-SiC薄膜在电学和电化学性能方面呈现出明显的性能差异。本文为3C-SiC薄膜在高温、高频、大功率电子器件以及新能源材料领域中的实际应用提供了关键的理论依据与技术支撑。
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关键词
激光
cvd
法
3C-SiC薄膜
结构调控
半导体器件
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职称材料
金刚石薄膜热沉制备的研究
被引量：
1
2
作者
于三
赵方海
+3 位作者
金曾孙
吕宪义
庄荣书
邹广田
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990年第3期75-76,共2页
1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应...
1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应用。 本文用灯丝热解CVD方法,合成了厚度为100μm的金刚石多晶薄膜。
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关键词
金刚石薄膜
半导体激光器
热沉
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职称材料
反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究
被引量：
8
3
作者
谭满清
茅冬生
王仲明
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期235-238,共4页
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。
关键词
等离子体
半导体激光器
增透膜
cvd
光电子器件
原文传递
题名
激光CVD法制备3C-SiC薄膜的结构调控及性能研究
1
作者
柴宇新
机构
元创(广东清远)精密科技有限公司
出处
《聚酯工业》
2025年第6期1-3,共3页
文摘
本文通过运用激光化学气相沉积技术在硅衬底上生长3C-SiC薄膜,深入研究工艺参数对3C-SiC薄膜微观结构的影响规律。通过精准控制工艺参数可成功制备出不同结构的3C-SiC多晶薄膜,不同结构的3C-SiC薄膜在电学和电化学性能方面呈现出明显的性能差异。本文为3C-SiC薄膜在高温、高频、大功率电子器件以及新能源材料领域中的实际应用提供了关键的理论依据与技术支撑。
关键词
激光
cvd
法
3C-SiC薄膜
结构调控
半导体器件
Keywords
laser cvd method
3C-SiC thin film
structural regulation
semiconductor device
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
金刚石薄膜热沉制备的研究
被引量：
1
2
作者
于三
赵方海
金曾孙
吕宪义
庄荣书
邹广田
机构
吉林大学原子与分子物理研究所
吉林大学电子科学系
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990年第3期75-76,共2页
文摘
1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应用。 本文用灯丝热解CVD方法,合成了厚度为100μm的金刚石多晶薄膜。
关键词
金刚石薄膜
半导体激光器
热沉
Keywords
diamond films, thermal chemical vapor deposition (
cvd
)
method
, heat sinks, semiconductor
laser
diode array
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究
被引量：
8
3
作者
谭满清
茅冬生
王仲明
机构
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期235-238,共4页
文摘
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。
关键词
等离子体
半导体激光器
增透膜
cvd
光电子器件
Keywords
method
of ECR plasma
cvd
,
laser
devices of semiconductor, antireflection coating, reflectivity.
分类号
O484 [理学—固体物理]
TN248.403 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光CVD法制备3C-SiC薄膜的结构调控及性能研究
柴宇新
《聚酯工业》
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
金刚石薄膜热沉制备的研究
于三
赵方海
金曾孙
吕宪义
庄荣书
邹广田
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究
谭满清
茅冬生
王仲明
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
8
原文传递
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