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The Effects of Chemical (isotropic) and Anisotropic Etching Processes on the Roughening of Nanocomposite Substrates
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作者 M.RADMILOVI-RADJENOVI B.RADJENOVI 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第6期673-676,共4页
Simulation results of roughening of nanocomposite materials during both isotropic and anisotropic etching processes based on the level set method are presented. It is clearly shown that the presence of two phases with... Simulation results of roughening of nanocomposite materials during both isotropic and anisotropic etching processes based on the level set method are presented. It is clearly shown that the presence of two phases with different etching rates affects the development of surface roughness and that some roughness characteristics obey simple scaling laws. In addition, certain scaling laws that describe the time dependence of the root mean square (rms) roughness w for various etching processes and different characteristics of the nanocomposite materials are determined. 展开更多
关键词 NANOCOMPOSITE ROUGHNESS SMOOTHING isotropic etching anisotropic etching
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A Novel Silicon Etching Method Using Vapor of Tetramethylammonium Hydroxide Solution
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作者 Jian He Yue-fang Zhao +3 位作者 Fang-liang Xu Dong-yang Zhao Xiao-juan Hou Xiu-jian Chou 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第6期769-774,I0003,共7页
Silicon bulk etching is an important part of micro-electro-mechanical system(MEMS) technology. In this work, a novel etching method is proposed based on the vapor from tetramethylammonium hydroxide(TMAH) solution heat... Silicon bulk etching is an important part of micro-electro-mechanical system(MEMS) technology. In this work, a novel etching method is proposed based on the vapor from tetramethylammonium hydroxide(TMAH) solution heated up to boiling point. The monocrystalline silicon wafer is positioned over the solution surface and can be anisotropically etched by the produced vapor. This etching method does not rely on the expensive vacuum equipment used in dry etching. Meanwhile, it presents several advantages like low roughness, high etching rate and high uniformity compared with the conventional wet etching methods. The etching rate and roughness can reach 2.13 μm/min and 1.02 nm, respectively. Furthermore,the diaphragm structure and Al-based pattern on the non-etched side of wafer can maintain intact without any damage during the back-cavity fabrication. Finally, an etching mechanism has been proposed to illustrate the observed experimental phenomenon. It is suggested that there is a water thin film on the etched surface during the solution evaporation. It is in this water layer that the ionization and etching reaction of TMAH proceed, facilitating the desorption of hydrogen bubble and the enhancement of molecular exchange rate. This new etching method is of great significance in the low-cost and high-quality micro-electromechanical system industrial fabrication. 展开更多
关键词 Silicon bulk etching Micro-electro-mechanical system Tetramethylammo-nium hydroxide solution anisotropic etching
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Fabrication of Diamond Microstructures by Using Dry and Wet Etching Methods
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作者 张继成 周民杰 +1 位作者 吴卫东 唐永建 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期552-554,共3页
Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facil... Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facile methods will be demonstrated for smart patterning of diamond films,in which two etching techniques,i.e.,plasma dry etching and chemical wet etching(including isotropic-etching and anisotropic-etching) have been developed for obtaining diamond microstructures with different morphology demands.Free-standing diamond micro-gears and micro-combs were achieved as examples by using the experimental procedures.It is confirmed that as-designed diamond structures with a straight side wall and a distinct boundary can be fabricated effectively and efficiently by using such methods. 展开更多
关键词 MEMS diamond film FREE-STANDING reactive ion etching anisotropic and isotropic wet etching
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横观各向同性弹性半空间地基上四边自由各向异性矩形薄板弯曲解析解 被引量:7
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作者 王春玲 高典 刘俊卿 《力学季刊》 CSCD 北大核心 2015年第1期95-104,共10页
选用更具广泛性的横观各向同性弹性半空间地基模型,来分析四边自由各向异性矩形地基板的弯曲解析解.将异性薄板的弯曲控制方程,与基于横观各向同性弹性半空间地基位移解建立的板与地基变形协调方程相结合,先按对称性分解,然后用三角级数... 选用更具广泛性的横观各向同性弹性半空间地基模型,来分析四边自由各向异性矩形地基板的弯曲解析解.将异性薄板的弯曲控制方程,与基于横观各向同性弹性半空间地基位移解建立的板与地基变形协调方程相结合,先按对称性分解,然后用三角级数法,得出横观各向同性弹性半空间地基上四边自由各向异性矩形薄板的弯曲解析解,包括地基反力、板的挠度及内力的解析表达式.该解析解克服了数值法的弊端,取消了对地基反力的假设,板的内力及地基反力求解更切实际.算例结果与文献结果吻合良好,证明本文方法的可行性. 展开更多
关键词 横观各向同性 半空间地基 各向异性 四边自由矩形薄板 弯曲 解析解
原文传递
硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究 被引量:4
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作者 温殿忠 庄玉光 邱成军 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1996年第3期55-58,54,共5页
本文应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明,硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关,而且还与活化离子OH-数有关,活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解... 本文应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明,硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关,而且还与活化离子OH-数有关,活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解释硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的实验结果。 展开更多
关键词 各向异性 腐蚀 碰撞 氢氧化钾溶液
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各向异性圆形地层渗流的解析解 被引量:17
6
作者 刘月田 葛家理 《石油大学学报(自然科学版)》 CSCD 2000年第2期40-43,共4页
对各向异性渗透率圆形有界地层向一口中心井的稳定渗流问题进行了研究 ,利用坐标变换将原流动问题转化为各向同性渗透率椭圆形地层向中心椭圆形井筒的流动问题。数值研究发现 ,这个椭圆区域流动问题可以划分为内、外两个区域的流动。内... 对各向异性渗透率圆形有界地层向一口中心井的稳定渗流问题进行了研究 ,利用坐标变换将原流动问题转化为各向同性渗透率椭圆形地层向中心椭圆形井筒的流动问题。数值研究发现 ,这个椭圆区域流动问题可以划分为内、外两个区域的流动。内区域流动是两个共轴椭圆间的流动 ,可通过保角变换方法求解 ;外区域流动与两条直线等压边界间的点源流动十分相似 ,可利用相似流动替换方法求解。将内、外两个流动问题的解进行组合得到了原问题的全区域解析解。计算及分析证明 ,该解法的误差非常小。选取典型的油藏参数用解析解法进行了计算 ,结果表明 ,渗透率各向异性和油藏半径对有界油藏产量有明显的影响。 展开更多
关键词 圆形 地层渗透率 各向异性 解析解 油藏
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层状地基与深置薄板静力相互作用解析研究 被引量:3
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作者 王春玲 张科宇 郭莹 《西安建筑科技大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2016年第2期234-239,共6页
选用更具广泛性的层状横观各向同性弹性地基模型,分析研究深置于地基中的正交各向异性矩形薄板的弯曲解析解.基于直角坐标系下单层横观各向同性体的通解,借助傅里叶变换和矩阵传递法,获得荷载作用在土层内部的层状横观各向同性地基解;... 选用更具广泛性的层状横观各向同性弹性地基模型,分析研究深置于地基中的正交各向异性矩形薄板的弯曲解析解.基于直角坐标系下单层横观各向同性体的通解,借助傅里叶变换和矩阵传递法,获得荷载作用在土层内部的层状横观各向同性地基解;然后将正交各向异性薄板的弯曲控制方程,与基于获得的地基位移解建立的板与地基的变形协调方程相结合,得出深置于层状横观各向同性弹性地基中的正交各向异性矩形薄板的弯曲解析解,包括地基反力、板的挠度及内力的解析表达式.不仅克服了数值法的弊端,取消了对地基反力的假设,而且考虑了地基的层状性和板与地基的异性性,得出了板的内力与地基反力更切实际的分布规律.同时通过算例分析验证了本文研究方法的可行性及地基深度、埋深比对地基和基础板相互作用的影响. 展开更多
关键词 横观各向同性 层状地基 深置基础 正交各向异性矩形薄板 弯曲 解析解
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两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究 被引量:1
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作者 朱长纯 淮永进 李毓民 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 1994年第6期426-430,共5页
详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺,制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106/cm2,硅锥曲率半径可做到20nm。
关键词 各向异性 腐蚀 各向同性 两步法 硅锥 集成电路
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复合湿法腐蚀工艺制备硅基三维曲面
9
作者 黎永前 李薇 +1 位作者 郭勇君 苏磊 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1531-1536,共6页
提出了将各向异性湿法腐蚀与各向同性湿法腐蚀相结合的复合工艺,通过控制刻蚀工艺参数进行体硅加工,成功刻蚀了硅基材料三维曲面回转体结构。在各向同性腐蚀过程中,由各向异性刻蚀得到的多面体结构的表面垂直腐蚀速率与刻蚀液浓度呈指... 提出了将各向异性湿法腐蚀与各向同性湿法腐蚀相结合的复合工艺,通过控制刻蚀工艺参数进行体硅加工,成功刻蚀了硅基材料三维曲面回转体结构。在各向同性腐蚀过程中,由各向异性刻蚀得到的多面体结构的表面垂直腐蚀速率与刻蚀液浓度呈指数关系,而搅拌使得多面体结构表面峰值与谷底的刻蚀液存在流速差,基于此原理可得到光滑的三维曲面。刻蚀过程中,通过各向异性湿法腐蚀控制结构深度,通过各向同性湿法腐蚀"抛光"结构曲面。最后,采用实验优化湿法腐蚀过程的工艺参数,基于直径为600~1 000μm的圆形掩模板,在硅材料表面制备得到了高度为100~200μm的三维曲面回转结构。提出的工艺简单、有效且便于操作,有望用于制作不同曲面形状的三维硅结构及聚合物光学器件模具。 展开更多
关键词 体硅加工 湿法腐蚀 各向异性 各向同性 硅模具 三维曲面
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硅尖阵列场致发射阴极及其二极管制备工艺初探
10
作者 王保平 黄仲平 蔡勇 《光电子技术》 CAS 1994年第3期204-210,共7页
随着大规模集成电路技术的发展,采用化学腐蚀的方法制备硅尖阵列及其二极管在真空微电子学中已被广泛采纳和应用。本文简要叙述了在各向同性腐蚀和各向异性腐蚀下硅尖形成的基本理论,讨论了硅尖形成的常用方法及其相关技术,扼要地介绍... 随着大规模集成电路技术的发展,采用化学腐蚀的方法制备硅尖阵列及其二极管在真空微电子学中已被广泛采纳和应用。本文简要叙述了在各向同性腐蚀和各向异性腐蚀下硅尖形成的基本理论,讨论了硅尖形成的常用方法及其相关技术,扼要地介绍了硅尖阵列及其二极管制备过程中涉及到的重要工艺(如氧化锐化、平面化技术、静电键合和自对准工艺)。 展开更多
关键词 二极管 场致发射阴极
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基于HNA溶液腐蚀的微半球谐振陀螺研究进展 被引量:1
11
作者 郑显泽 唐彬 +1 位作者 王月 熊壮 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第3期538-544,共7页
基于微电子机械系统(MEMS)加工技术的微半球谐振陀螺在吸收了传统半球陀螺全角测量优势的同时具有体积小,质量轻,成本低以及适合批量化生产的特点。在使用牺牲层法来制备微半球壳层结构的过程中,如何在单晶硅上制作一个表面光滑的、结... 基于微电子机械系统(MEMS)加工技术的微半球谐振陀螺在吸收了传统半球陀螺全角测量优势的同时具有体积小,质量轻,成本低以及适合批量化生产的特点。在使用牺牲层法来制备微半球壳层结构的过程中,如何在单晶硅上制作一个表面光滑的、结构整体对称性高的半球型模具对于半球谐振子的性能有决定性的影响。在HNA(氢氟酸、硝酸、醋酸)各向同性腐蚀液制作微半球谐振子模具的原理基础上,介绍基于HNA溶液各向同性腐蚀的微半球谐振陀螺研究进展,指出了各向同性腐蚀工艺目前所面临的主要技术问题,并对此提出了一些可能的解决途径。 展开更多
关键词 微半球谐振陀螺 各向同性腐蚀 HNA溶液 单晶硅 半球谐振子
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基于SiO2掩膜层的硅基微半球谐振子模具加工工艺
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作者 郑显泽 李严军 +2 位作者 王月 唐彬 熊壮 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第4期312-319,332,共9页
微半球模具的三维对称性对半球谐振子的性能有着决定性的影响。提出使用热氧化工艺生长的SiO2材料作为掩膜层,以达到在使用HNA腐蚀溶液制作微半球陀螺谐振子模具的过程中加快纵向腐蚀速率及实现半球模具三维对称的目的。详细研究了不同... 微半球模具的三维对称性对半球谐振子的性能有着决定性的影响。提出使用热氧化工艺生长的SiO2材料作为掩膜层,以达到在使用HNA腐蚀溶液制作微半球陀螺谐振子模具的过程中加快纵向腐蚀速率及实现半球模具三维对称的目的。详细研究了不同腐蚀窗初始半径下HNA腐蚀溶液对〈111〉单晶硅进行纵向和侧向腐蚀时,其腐蚀深度和腐蚀速率的演化规律,并在此基础上通过设置适当的腐蚀窗初始半径(5μm)以及腐蚀时间(15 min),成功制作出了半径为38.937 7μm的三维对称半球谐振子模具,通过球度拟合证明该模具整体半径方差为0.789 3μm,球度偏差为2%,为半球谐振子三维对称性的提升奠定了基础。 展开更多
关键词 微半球谐振陀螺 各向同性腐蚀 HNA腐蚀溶液 单晶硅 半球谐振子 SIO2
原文传递
微机电系统中的材料和加工
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作者 张寿柏 丁桂甫 +1 位作者 郭晓芸 沈天慧 《上海有色金属》 CAS 2000年第3期97-104,111,共9页
本文主要讨论微机电系统中的常用材料和加工技术。具体分析了Si、GaAs、SiC、金刚石和石英等材料的性能及其在微机电系统中的应用 ,并论述了材料的各向同性和各向异性刻蚀加工技术以及材料间的键合工艺。
关键词 微机电系统 键合 材料 加工 刻蚀
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湿法刻蚀提高硅刻蚀均匀性技术研究 被引量:13
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作者 祝福生 夏楠君 +2 位作者 赵宝君 黄鑫亮 王文丽 《电子工业专用设备》 2019年第5期13-16,共4页
介绍了硅湿法刻蚀的工作原理,分析了影响硅刻蚀均匀性的主要因素,重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法。
关键词 湿法刻蚀 各向同性刻蚀 各向异性刻蚀 刻蚀均匀性
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