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Dependence of Performance of Organic Light-emitting Devices on Sheet Resistance of Indium-tin-oxide Anodes 被引量:2
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作者 ZHOU Liang ZHANG Hong-jie YU Jiang-bo MENG Qing-guo PENG Chun-yun LIU Feng-yi DENG Rui-ping PENG Ze-ping LI Zhe-feng 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期427-431,共5页
The dependence of the performance of organic light-emitting devices(OLEDs) on the sheet resistance of indiumtin-oxide(ITO) anodes was investigated by measuring the steady state current density brightness voltage c... The dependence of the performance of organic light-emitting devices(OLEDs) on the sheet resistance of indiumtin-oxide(ITO) anodes was investigated by measuring the steady state current density brightness voltage characteristics and the electroluminescent spectra. The device with a higher sheet resistance anode shows a lower current density, a lower brightness level, and a higher operation voltage. The electroluminescence(EL) efficiencies of the devices with the same structure but different ITO anodes show more complicated differences. Furthermore, the shift of the light-emitting zone toward the anode was found when an anode with a higher sheet resistance was used. These performance differences are discussed and attributed to the reduction of hole injection and the increase in voltage drop over ITO anode with the increase in sheet resistance. 展开更多
关键词 Organic light-emitting device(OLED) indium-tin-oxide(ITO) sheet resistance Balance of holes and electrons
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直流辉光放电质谱法定量分析高纯氧化钪中34种杂质元素
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作者 贾晓琪 李欣欣 +4 位作者 宋海茂 夏郁美 任旭东 张秀艳 陈彪 《稀土》 北大核心 2025年第5期102-110,I0003,共10页
高纯氧化钪是一种重要的稀土氧化物,应用领域非常广泛,而杂质含量对其使用性能有一定的影响,高效、准确分析其杂质元素的含量至关重要。近年来,辉光放电质谱仪(GD-MS)已被成功运用于高纯氧化物中杂质的测定,本研究首先对高纯氧化钪质控... 高纯氧化钪是一种重要的稀土氧化物,应用领域非常广泛,而杂质含量对其使用性能有一定的影响,高效、准确分析其杂质元素的含量至关重要。近年来,辉光放电质谱仪(GD-MS)已被成功运用于高纯氧化物中杂质的测定,本研究首先对高纯氧化钪质控样品中34种杂质元素进行测试以校正仪器的相对灵敏度因子,采用校正后的仪器对高纯氧化钪样品中的34种杂质元素进行定量分析。最佳的实验条件为:放电电流为1.8 mA,Ar气流量为0.30 mL/min,预溅射时间设为40 min,样品直径5 mm。依据最佳实验方法对高纯氧化钪(纯度为99.99%)中34种杂质元素进行定量分析,结果表明,当杂质元素含量大于1μg/g时相对标准偏差(RSD,n=6)在5%以内,杂质元素含量不超过1μg/g时RSD(n=6)在10%以内。测试结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的检测结果基本一致,相对误差的绝对值均在30%以内,符合测试要求。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法(DC-GDMS) 高纯氧化钪 相对灵敏度因子(RSF) 定量分析 铟片
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基于工艺参数优化的铟片激光切割高效加工方法研究
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作者 杨载斌 《电子机械工程》 2025年第4期67-71,共5页
模具冲裁等传统铟片加工方法效率低,难以满足大批量生产需求,而激光切割为非接触加工方法,非常适合铟片这种箔类金属材料加工。文中系统地研究了铟片激光切割工艺的关键技术,分析了不同切割参数对切割质量的影响,对工艺参数优化、切割... 模具冲裁等传统铟片加工方法效率低,难以满足大批量生产需求,而激光切割为非接触加工方法,非常适合铟片这种箔类金属材料加工。文中系统地研究了铟片激光切割工艺的关键技术,分析了不同切割参数对切割质量的影响,对工艺参数优化、切割路径规划、余料高效去除方法等关键技术采取了相应的优化措施。通过正交试验优化了激光功率、切割速度等关键工艺参数,并以典型铟片零件为研究对象,按照尽量缩短空行程、避免重复切割的原则,优化了切割路径。此外,文中还提出了一种套切加工方法,有效解决了余料去除效率低下的问题。利用该方法加工铟片,在保证质量的前提下,大大提高了加工效率,满足了铟片高质、高效批产的需求。 展开更多
关键词 铟片 激光切割 参数优化 路径规划
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氩气流量及退火温度对ITO薄膜光电性能的影响
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作者 许德裕 魏爱香 袁新生 《微纳电子技术》 2025年第9期102-107,共6页
采用磁控溅射技术,以In2O_(3)和SnO_(2)质量比为9∶1的陶瓷作为溅射靶材,以氩气和氧气的混合气体为溅射气体,在石英衬底上沉积厚度约60 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜。研究氩气流量和退火温度对ITO薄膜的方块电阻和透射率的影响规律。结果表明... 采用磁控溅射技术,以In2O_(3)和SnO_(2)质量比为9∶1的陶瓷作为溅射靶材,以氩气和氧气的混合气体为溅射气体,在石英衬底上沉积厚度约60 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜。研究氩气流量和退火温度对ITO薄膜的方块电阻和透射率的影响规律。结果表明,在氩气流量为55和70 cm^(3)/min条件下,制备的ITO薄膜的方块电阻和透射率平均值分别为88.2Ω/□和78.8%、95.2Ω/□和78.2%,在经过550、580、600℃温度退火600 s后,ITO薄膜的方块电阻分别降至29.6、31.8、43.9Ω/□(氩气流量55 cm^(3)/min)和31.0、32.2、46.3Ω/□(氩气流量70 cm^(3)/min),而透射率分别升至85.4%、85.5%、83.2%(氩气流量55 cm^(3)/min)和85.7%、85.3%、82.9%(氩气流量70 cm^(3)/min)。即退火后,ITO薄膜的方块电阻减小、透射率增大,但是ITO薄膜的方块电阻随着退火温度的升高而增大,透射率随退火温度的升高整体呈减小趋势。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化铟锡(ITO)薄膜 方块电阻 透射率
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ITO膜方块电阻测试条件的探讨 被引量:4
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作者 林钰 齐英 +2 位作者 辛荣生 贾晓林 仝奎 《河南教育学院学报(自然科学版)》 2000年第2期34-36,共3页
本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理,探讨并提出了ITD膜方块电 阻的测试条件.
关键词 半导体材料 ITO(铟锡氧化物) 方块电阻 测试条件
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磁控溅射ITO薄膜的退火处理 被引量:4
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作者 王军 成建波 +4 位作者 陈文彬 杨刚 蒋亚东 蒋泉 杨健君 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期264-266,共3页
采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃-400℃)下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222)。随退... 采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃-400℃)下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222)。随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%。 展开更多
关键词 薄膜 氧化铟锡(ITO) 退火 直流磁控溅射 方阻
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大尺寸铟金属电极电催化还原二氧化碳制甲酸的实验研究
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作者 李佳蓉 王强 +1 位作者 刘艺 周朝晖 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期565-568,共4页
通过扩大H型反应器,利用面积超过100 cm 2的铟金属片和锡金属片电极电催化还原二氧化碳制甲酸。从二氧化碳还原反应产物的选择性、电解能力等方面进行了研究,得到了大尺寸金属电极反应器电催化制甲酸的优化方法。结果表明,进气流量40 mL... 通过扩大H型反应器,利用面积超过100 cm 2的铟金属片和锡金属片电极电催化还原二氧化碳制甲酸。从二氧化碳还原反应产物的选择性、电解能力等方面进行了研究,得到了大尺寸金属电极反应器电催化制甲酸的优化方法。结果表明,进气流量40 mL/min和电流密度-3.0~-4.5 mA/cm^(2)区间及中性电解质为反应的最佳条件。 展开更多
关键词 二氧化碳 电催化 甲酸 铟片 锡片
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基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术 被引量:3
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作者 郑秀 刘永 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期1-9,共9页
随着光网络通信容量的高速增长,将分立的光学器件集成化以减小器件尺寸、降低成本成为光电子器件发展的必然趋势。光子集成回路具有尺寸小、功耗低、质量轻等优点,是解决未来宽带光网络能耗大、体积大、容量小等问题的关键技术。综述了... 随着光网络通信容量的高速增长,将分立的光学器件集成化以减小器件尺寸、降低成本成为光电子器件发展的必然趋势。光子集成回路具有尺寸小、功耗低、质量轻等优点,是解决未来宽带光网络能耗大、体积大、容量小等问题的关键技术。综述了基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术,主要包括硅基光子集成技术、Ⅲ-Ⅴ族磷化铟集成技术,以及以氮化硅和二氧化硅多层波导结构为基础的TriPleX集成技术;介绍了目前可以提供这3种多项目晶圆流片光子集成技术的代工平台以及利用这些代工平台实现的一些光子集成芯片,并对这些平台的工艺参数进行了比较。 展开更多
关键词 集成光学 光子集成器件 多项目晶圆流片 光子集成回路 硅基光电子学 磷化铟
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镓铟锡合金体温计临床应用效果分析
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作者 康利红 岳天洋 《中国病案》 2024年第8期94-96,共3页
目的比较镓铟锡合金体温计和汞柱式体温计两种体温计在临床中的测量效果。方法在2023年1月1日-2023年1月31日随机选取334例就诊患者为研究对象,同时使用镓铟锡合金体温计(观察组)和汞柱式体温计(对照组)测量腋下体温,比较两种材质体温... 目的比较镓铟锡合金体温计和汞柱式体温计两种体温计在临床中的测量效果。方法在2023年1月1日-2023年1月31日随机选取334例就诊患者为研究对象,同时使用镓铟锡合金体温计(观察组)和汞柱式体温计(对照组)测量腋下体温,比较两种材质体温计测量结果进行统计分析。结果依据数据统计分析,观察组与对照组分别对比测量3min、5min、10min不同时段结果,观察组结果分别为:36.50±18.26、36.53±18.26、37.34±1.01,对照组结果分别为:36.50±18.26、36.53±18.26、37.27±1.90,差异无统计学意义(P>0.05)测量结果无差异。观察组与对照组对比不同体温区间(正常、低热、中热、高热)两组体温计测量结果,观察组结果分别为:36.48±0.45、37.63±0.23、38.44±0.25、39.45±0.24,对照组结果分别为:36.50±0.44、37.67±0.21、38.45±0.25、39.48±0.25,差异无统计学意义(P>0.05)测量结果无差异。观察组与对照组对比不同室外温度(-4℃、-3℃、-2℃、-1℃、1℃、2℃)两组体温计测量结果,观察组结果分别为:37.31±1.06、37.40±1.02、37.17±0.99、37.61±0.90、37.41±1.03、37.39±1.01,对照组结果分别为:37.32±1.05、37.40±1.03、37.19±0.97、37.65±0.92、37.43±1.00、37.43±0.99,差异无统计学意义(P>0.05)测量结果无差异。结论通过对668份体温单的数据分析,结果表明镓铟锡合金体温计的测量结果与汞柱式体温计测量结果一致,可有效替代汞柱式体温计应用于临床使用。 展开更多
关键词 镓铟锡合金体温计 汞柱式体温计 体温单 分析
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