绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在大功率应用中的电热应力高、磁场环境恶劣,中、高压变频器因IGBT失效而导致的故障率和损毁率都不容忽视,为满足大功率IGBT对灵活可靠的驱动电路的需求,本文基于TLP5214设计了1700 V/600 A IGBT的驱动保护电路...绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在大功率应用中的电热应力高、磁场环境恶劣,中、高压变频器因IGBT失效而导致的故障率和损毁率都不容忽视,为满足大功率IGBT对灵活可靠的驱动电路的需求,本文基于TLP5214设计了1700 V/600 A IGBT的驱动保护电路,计算了相关的驱动保护电路参数,并进行相应器件的选型。最后,搭建了双脉冲和短路实验平台,对所设计的驱动器进行了实验验证,结果表明,驱动器可以正常开关IGBT,在短路情况下可以检测短路故障并关断IGBT,有较好的应用和推广价值。展开更多
为了精确模拟低温下氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)的微波噪声性能,提出了一种基于小信号等效电路构建低温噪声模型的方法.利用导纳参数的频率依赖性获取小信号等效电路元件,...为了精确模拟低温下氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)的微波噪声性能,提出了一种基于小信号等效电路构建低温噪声模型的方法.利用导纳参数的频率依赖性获取小信号等效电路元件,建立了精确的小信号模型.在此基础上依据Pospieszalski原理对低温噪声源进行表征,特别是栅极泄漏引入的散粒噪声,建立了低温噪声模型.仿真结果表明:在0.2~40 GHz频段,小信号模型的S参数最大误差为2.5%,在2~10 GHz频段噪声模型的四噪声参数最大误差仅在1%以内.其中,低温下栅极泄漏散粒噪声贡献约0.1 K,较于传统方法,新方法具有一定的有效性和更高的准确性.展开更多
文摘绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在大功率应用中的电热应力高、磁场环境恶劣,中、高压变频器因IGBT失效而导致的故障率和损毁率都不容忽视,为满足大功率IGBT对灵活可靠的驱动电路的需求,本文基于TLP5214设计了1700 V/600 A IGBT的驱动保护电路,计算了相关的驱动保护电路参数,并进行相应器件的选型。最后,搭建了双脉冲和短路实验平台,对所设计的驱动器进行了实验验证,结果表明,驱动器可以正常开关IGBT,在短路情况下可以检测短路故障并关断IGBT,有较好的应用和推广价值。
文摘为了精确模拟低温下氮化镓高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride high electron mobility transistor,GaN HEMT)的微波噪声性能,提出了一种基于小信号等效电路构建低温噪声模型的方法.利用导纳参数的频率依赖性获取小信号等效电路元件,建立了精确的小信号模型.在此基础上依据Pospieszalski原理对低温噪声源进行表征,特别是栅极泄漏引入的散粒噪声,建立了低温噪声模型.仿真结果表明:在0.2~40 GHz频段,小信号模型的S参数最大误差为2.5%,在2~10 GHz频段噪声模型的四噪声参数最大误差仅在1%以内.其中,低温下栅极泄漏散粒噪声贡献约0.1 K,较于传统方法,新方法具有一定的有效性和更高的准确性.
