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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
1
作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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新型抑制剂AMT对Cu/Ru/TEOS去除速率选择性的影响
2
作者 尤羽菲 马慧萍 +1 位作者 周建伟 罗翀 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第3期331-337,共7页
Ru阻挡层化学机械抛光主要面临着Ru去除速率较低和难以实现较好的Cu/Ru/TEOS去除速率选择比两项问题。为了解决上述问题,基于KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)双氧化剂体系,通过引入新型抑制剂AMT进一步提升Ru去除速率及表面质量,并改善Cu/Ru/T... Ru阻挡层化学机械抛光主要面临着Ru去除速率较低和难以实现较好的Cu/Ru/TEOS去除速率选择比两项问题。为了解决上述问题,基于KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)双氧化剂体系,通过引入新型抑制剂AMT进一步提升Ru去除速率及表面质量,并改善Cu/Ru/TEOS选择比。抛光实验验证了在KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)体系中引入AMT后可以调节Cu/Ru/TEOS的去除速率选择比。通过AFM测试将引入AMT前后Ru的表面质量进行对比,表明在KIO_(4)-K_(2)S_(2)O_(8)体系中引入AMT能够改善Cu/Ru的表面粗糙度。碟形坑、蚀坑测试实验验证了AMT的引入对碟形坑、蚀坑具有修正作用并揭示了AMT在Ru阻挡层CMP过程中的作用机理。最终Cu/Ru/TEOS速率选择比达到1∶1.3∶1.7,并且此时碟形坑、蚀坑的修正效果较好,修正值分别为54.4nm和49.4nm。 展开更多
关键词 RU 化学机械抛光(CMP) AMT 去除速率选择比 碟形坑 蚀坑
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氟离子对中高压腐蚀箔性能的影响 被引量：1
3
作者 江国东 陈锦雄 +1 位作者 汪启桥 温庆桦 《广东化工》 2025年第2期24-26,20,共4页
氟离子对铝箔钝化层的渗透力强,更容易诱发点蚀,在发孔液中添加氟离子,促进腐蚀隧道孔的产生和生长。随着氟离子浓度蚀箔浅层腐蚀孔数和隧道孔洞深入生长的一致性达到最佳匹配,腐蚀箔比容值达到0.860μF.cm^(-2)。氟离子浓度在50 ppm时... 氟离子对铝箔钝化层的渗透力强,更容易诱发点蚀,在发孔液中添加氟离子,促进腐蚀隧道孔的产生和生长。随着氟离子浓度蚀箔浅层腐蚀孔数和隧道孔洞深入生长的一致性达到最佳匹配,腐蚀箔比容值达到0.860μF.cm^(-2)。氟离子浓度在50 ppm时,发孔溶液温度上升时隧道孔孔数呈增加的趋势,但隧道孔生长长度缩短,折弯强度上升;当发孔溶液温度在71.0℃时,腐蚀箔比容值达到峰值。 展开更多
关键词 氟离子 腐蚀箔 隧道孔 比容 点蚀
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氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究 被引量：2
4
作者 夏政辉 李腾坤 +6 位作者 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页
氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用... 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。 展开更多
关键词 氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑
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同轴兆声辅助射流电解加工工艺研究 被引量：1
5
作者 翟科 李腾楠 +2 位作者 马仕豪 梁勇康 杜立群 《电加工与模具》 北大核心 2024年第1期42-45,64,共5页
针对电解加工的杂散问题,提出了同轴兆声辅助射流电解加工方法,利用该方法对304不锈钢的电解加工过程进行理论分析与实验研究。分析结果表明,兆声辅助不仅能增强电解液流速,使阳极被加工区域的电解液不断更新,还能促进反应气体排出,从... 针对电解加工的杂散问题,提出了同轴兆声辅助射流电解加工方法,利用该方法对304不锈钢的电解加工过程进行理论分析与实验研究。分析结果表明,兆声辅助不仅能增强电解液流速,使阳极被加工区域的电解液不断更新,还能促进反应气体排出,从而提高电解加工精度与加工效率。研究结果表明,固定电解液流量0.9 L/min、电解电压50 V时,22 W兆声功率下的电解圆形凹坑的深径比为0.173,相比无兆声下提高12.34%,同时也进一步提升了沟槽刻蚀深宽比,验证了兆声辅助射流电解的有效性。 展开更多
关键词 射流电解加工 兆声辅助 深径比 凹坑刻蚀 沟槽刻蚀
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刻蚀法制备高透过率防眩高铝玻璃 被引量：1
6
作者 王其琛 郝霞 +5 位作者 赵竞一 王闻之 段佳岐 赵会峰 李军葛 姜宏 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期184-192,共9页
目的采用刻蚀法制备了具有高透过率的高铝玻璃,分析刻蚀时间对玻璃表面形貌和性能的影响。方法将经过HF(2.3 mol/L)溶液酸洗10 min后的玻璃样品清洗烘干,然后放入H_(2)SO_(4)(0.1 mol/L)、HCl(0.4mol/L)、Na_(2)SiF_(6)(0.02mol/L)的混... 目的采用刻蚀法制备了具有高透过率的高铝玻璃,分析刻蚀时间对玻璃表面形貌和性能的影响。方法将经过HF(2.3 mol/L)溶液酸洗10 min后的玻璃样品清洗烘干,然后放入H_(2)SO_(4)(0.1 mol/L)、HCl(0.4mol/L)、Na_(2)SiF_(6)(0.02mol/L)的混合溶液中进行不同时间的表面刻蚀处理,形成了超表面凹坑结构,这种结构使部分光线经过有限次数的反射和折射后成为透射光的一部分,这种凹坑结构也相当于在空气和玻璃之间增加了一个具有梯度折射率的介质层,从而减少反射率、增加透过率。通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线能谱仪(EDS)、紫外可见近红外分光光度计等仪器,对刻蚀前后玻璃的表面进行分析研究。结果随着刻蚀时间的延长,蚀坑的直径逐渐增大,同时致密度也在逐渐增加直至相互融合,而坑深先增大后减小。可见光波长范围内的平均透过率先增加后降低,反射率先降低后增加,且透过率均大于玻璃原片,反射率均小于玻璃原片。刻蚀前后玻璃成分基本不变,铅笔硬度达到9H。结论刻蚀后,在玻璃表面形成超表面凹坑结构,当刻蚀时间为20 min时,蚀坑直径达到2.5~5.0μm,深度达到927.2 nm左右,平均透过率达到95.95%,平均反射率达到4.01%。 展开更多
关键词 化学刻蚀 透过率 高铝玻璃 超表面凹坑结构 玻璃表面
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温梯法生长φ110mm×80mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析 被引量：14
7
作者 周国清 徐科 +4 位作者 邓佩珍 徐军 周永宗 干福熹 朱人元 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期727-733,共7页
利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ） 生长了１１０ ｍ ｍ ×８０ ｍ ｍ 的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况，发现在晶体放肩处的（１１２０） 面位错密度... 利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ） 生长了１１０ ｍ ｍ ×８０ ｍ ｍ 的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况，发现在晶体放肩处的（１１２０） 面位错密度约为１０４ ｃｍ － ２ 量级，等径生长过程中靠近晶体中心处（０００１） 面位错密度为（３ ～４） ×１０３ｃｍ －２ ，靠近坩埚壁处（０００１） 面晶体位错密度为（５ ～６） ×１０３ｃｍ －２ ． 用同样方法分析了提拉法（Ｃｚ） 生长的５０ ｍｍ ×８０ ｍ ｍ 蓝宝石晶体的位错． 相比而言，ＴＧＴ法生长的Ａｌ２Ｏ３ 位错密度比Ｃｚ 法的Ａｌ２Ｏ３ 晶体低得多，约低一个数量级，ＴＧＴ 法可以生长大尺寸、高完整性的Ａｌ２Ｏ３ 晶体，这与ＴＧＴ 法的特殊生长工艺有密切关系． 展开更多
关键词 温度梯度法 氧化铝 位错 腐蚀坑 晶体生长 晶体
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20SiMn钢冲蚀和空蚀的失效行为研究 被引量：12
8
作者 王再友 陈黄浦 +1 位作者 徐英鸽 朱金华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期744-747,共4页
用CMS 12 0旋臂式真空冲蚀试验机和KS 6 0振动空蚀磁致伸缩仪对 2 0SiMn钢 90°攻角冲蚀和空蚀进行了试验研究 .结果表明 :2 0SiMn钢冲蚀分为孕育期、增重期和稳定期 3个阶段 ;空蚀由孕育期、急剧上升期、衰减期和稳定期 4个阶段组... 用CMS 12 0旋臂式真空冲蚀试验机和KS 6 0振动空蚀磁致伸缩仪对 2 0SiMn钢 90°攻角冲蚀和空蚀进行了试验研究 .结果表明 :2 0SiMn钢冲蚀分为孕育期、增重期和稳定期 3个阶段 ;空蚀由孕育期、急剧上升期、衰减期和稳定期 4个阶段组成 ;冲蚀、空蚀裂纹主要沿晶界萌生和扩展 ,失效机制是因局部微区机械力作用造成沿晶断裂和晶内蚀坑 ;晶粒脱落是空蚀的重要失效方式之一 . 展开更多
关键词 20SiMn钢 失效行为 冲蚀 空蚀 失效机制 沿晶断裂 晶内蚀坑 晶粒脱落
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碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察 被引量：7
9
作者 高德友 赵北君 +5 位作者 朱世富 王瑞林 魏昭荣 李含冬 韦永林 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期180-183,共4页
本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为... 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。 展开更多
关键词 碲锌镉 单晶体 SEM形貌 腐蚀坑 密度 布里奇曼法 半导体材料
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碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究 被引量：5
10
作者 刘从峰 方维政 +3 位作者 涂步华 孙士文 杨建荣 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期759-763,共5页
大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑... 大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在(111)B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在(111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。 展开更多
关键词 腐蚀坑 碲锌镉 碲镉汞红外焦平面 缺陷
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用含添加剂硫的粉末触媒合成金刚石 被引量：4
11
作者 周林 马红安 +4 位作者 李彦涛 胡强 任国仲 臧传义 贾晓鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第1期22-24,共3页
本文分别用铁镍触媒、含添加剂硫的铁镍触媒在国产六面顶压机上合成了优质金刚石单晶,利用光学显微镜观察,发现所合成的金刚石多为六八面体,晶形完整;在大多数用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石的{100}面,有熔坑出现,而用铁镍触媒合... 本文分别用铁镍触媒、含添加剂硫的铁镍触媒在国产六面顶压机上合成了优质金刚石单晶,利用光学显微镜观察,发现所合成的金刚石多为六八面体,晶形完整;在大多数用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石的{100}面,有熔坑出现,而用铁镍触媒合成的金刚石没有这种现象;用电子显微镜对熔坑的形貌进行了细致的观察。另外,还发现用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体要明显少于用铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体。 展开更多
关键词 铁镍触媒 硫 熔坑 包裹体
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含硫金刚石的合成及杂质分析 被引量：3
12
作者 周林 李颖 +4 位作者 马红安 李彦涛 臧传义 任国仲 贾晓鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第4期14-16,19,共4页
本文分别用N i70Mn25Co5合金粉末和含添加剂硫的N i70Mn25Co5合金粉末作触媒合成了金刚石单晶,通过对比,发现添加剂硫的引入使得金刚石内的包裹体含量增加,使晶体表面出现熔坑;利用X射线荧光光谱对晶体的杂质成分、相对含量进行了分析,... 本文分别用N i70Mn25Co5合金粉末和含添加剂硫的N i70Mn25Co5合金粉末作触媒合成了金刚石单晶,通过对比,发现添加剂硫的引入使得金刚石内的包裹体含量增加,使晶体表面出现熔坑;利用X射线荧光光谱对晶体的杂质成分、相对含量进行了分析,发现杂质元素锰、硫的含量随着触媒中硫的添加量的增加呈增加趋势,由此推测在金刚石生长过程中生成了难熔的MnS,MnS以包裹体的形式进入金刚石中,在一定程度上破坏了金刚石的晶格排列,使得表面出现熔坑。 展开更多
关键词 硫 金刚石 包裹体 熔坑 杂质
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Pyrex玻璃金属化凹坑的湿法腐蚀 被引量：5
13
作者 崔峰 肖奇军 +3 位作者 吴校生 张卫平 陈文元 赵小林 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期236-240,共5页
为在Pyrex玻璃基片上湿法腐蚀出易于金属化(如电镀等)的深凹坑(或凹槽),选用HF:HNO3:H2O为腐蚀液,分别以Cr/Au(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)和Cr/Pt(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)作为掩膜进行腐蚀实验。实验发现在Cr/Pt/光刻胶... 为在Pyrex玻璃基片上湿法腐蚀出易于金属化(如电镀等)的深凹坑(或凹槽),选用HF:HNO3:H2O为腐蚀液,分别以Cr/Au(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)和Cr/Pt(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)作为掩膜进行腐蚀实验。实验发现在Cr/Pt/光刻胶掩膜下,Pyrex玻璃的腐蚀凹坑横向钻蚀小(钻深比1.34:1),侧壁倾斜光滑,并在凹坑(深约28μm)内成功地电镀了焊盘。该实验结果对要求高深宽比沟槽的微流体器件的制造也有一定参考意义。 展开更多
关键词 Pyrex 湿法腐蚀 掩膜 凹坑 电镀
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r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究 被引量：4
14
作者 彭观良 周国清 +6 位作者 庄漪 邹军 王银珍 李抒智 杨卫桥 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期653-656,共4页
本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,... 本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。 展开更多
关键词 温梯法 r面白宝石 位错 化学腐蚀 腐蚀坑 缺陷
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自酸蚀黏结剂对恒牙窝沟封闭的疗效评价 被引量：19
15
作者 彭思敏 赵玮 +1 位作者 林家成 凌均棨 《上海口腔医学》 CAS CSCD 2006年第6期571-574,共4页
目的观察自酸蚀黏结剂AdperTM和PromptTM涂布牙面后,窝沟封闭剂的1年随访保留率和龋降低率。方法选择62例6～14岁儿童、完全萌出的第一(或第二)恒磨牙156颗,采用自身对照方法,比较自酸蚀黏结剂涂布牙面后窝沟封闭(自酸蚀组)与磷酸酸蚀... 目的观察自酸蚀黏结剂AdperTM和PromptTM涂布牙面后,窝沟封闭剂的1年随访保留率和龋降低率。方法选择62例6～14岁儿童、完全萌出的第一(或第二)恒磨牙156颗,采用自身对照方法,比较自酸蚀黏结剂涂布牙面后窝沟封闭(自酸蚀组)与磷酸酸蚀牙面后窝沟封闭(磷酸酸蚀组)的效果。治疗后随访3、6、12个月,应用SPSS12.0统计软件包对数据进行χ2检验及t检验。结果自酸蚀组封闭1颗牙的总操作时间为(122±13)s,较磷酸酸蚀组(219±13)s短(P<0.05)。自酸蚀组和磷酸酸蚀组封闭剂的3个月保留率分别为97.4%和96.2%,6个月保留率分别为94.9%和92.3%,12个月保留率分别为91.0%和88.4%;3个月时2组均未发现龋齿;6个月时磷酸酸蚀组发现1颗龋齿,自酸蚀组龋降低率为100%;12个月时自酸蚀组有3颗龋齿,磷酸酸蚀组有6颗龋齿,自酸蚀组龋降低率为50%。总龋齿发生率2组差异无统计学意义。结论应用自酸蚀黏结剂的窝沟封闭系统,可缩短临床操作时间;封闭剂保留率高,脱落率低,并可降低患儿依从性的要求。 展开更多
关键词 自酸蚀黏结剂 窝沟封闭 保留率 龋降低率
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VB法生长低位错GaAs单晶 被引量：4
16
作者 王建利 孙强 +4 位作者 牛沈军 兰天平 李仕福 周传新 刘津 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期200-204,共5页
用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位... 用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2。通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2。 展开更多
关键词 位错密度 垂直布里奇曼法 GAAS晶体 温度梯度 热场
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电流对高纯铝箔交流电侵蚀的影响 被引量：3
17
作者 阎康平 罗春晖 涂铭旌 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期582-585,共4页
研究了在ＨＣｌ 溶液中５０ Ｈｚ 交流电侵蚀下电流密度对电解电容器用高纯铝箔的腐蚀行为的影响。结果表明， 侵蚀初期的真实电流密度决定铝箔蚀孔的尺寸和表面膜， 大电流在铝箔表面产生厚膜，阻碍交流电侵蚀的阴、阳极反应过程和蚀... 研究了在ＨＣｌ 溶液中５０ Ｈｚ 交流电侵蚀下电流密度对电解电容器用高纯铝箔的腐蚀行为的影响。结果表明， 侵蚀初期的真实电流密度决定铝箔蚀孔的尺寸和表面膜， 大电流在铝箔表面产生厚膜，阻碍交流电侵蚀的阴、阳极反应过程和蚀孔深入。随着电流密度减小， 试样的蚀孔孔径增大， 在＜ ０ ．２Ａ／ｃｍ ２ 电流下的蚀孔比其它大电流下的蚀孔孔径大４ 倍左右。先用＜ ０ ．２ Ａ／ｃｍ２ 的小电流侵蚀， 再用０ ．２ ～０ ．５ Ａ／ｃｍ２ 大电流侵蚀组合， 铝箔电容量随电量的增加直线上升。用５０ Ｈｚ 交流电可以使铝箔获得良好的起始发孔， 展开更多
关键词 铝箔 侵蚀 孔蚀 电流 交流电
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垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究 被引量：3
18
作者 王立苗 赵北君 +3 位作者 朱世富 唐世红 何知宇 肖怀安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期44-47,共4页
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经... Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整。 展开更多
关键词 铜 单晶生长 垂直布里奇曼法 蚀坑观察
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富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究 被引量：3
19
作者 周晓龙 安娜 +8 位作者 孙聂枫 徐永强 杨光耀 谢德良 刘二海 李光平 周智慧 董彦辉 孙同年 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期134-137,共4页
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的... 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In 展开更多
关键词 磷化铟 掺硫单晶材料 位错密度 原位磷注入合成法 富磷熔体
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(111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比 被引量：2
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作者 刘从峰 方维政 +2 位作者 涂步华 孙士文 杨建荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1773-1777,共5页
通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的实验也发现,表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μ... 通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的实验也发现,表面腐蚀坑所对应的缺陷只局限于10μm的表层内,这表明大部分腐蚀坑所对应的不是通常认为的穿越位错.进一步分析的结果表明,不同腐蚀剂形成的腐蚀坑所对应的缺陷有可能是不同类型的位错,甚至也可能起源于微沉淀物,通常将碲锌镉材料的腐蚀坑所对应的缺陷简单地归结为材料的位错是缺乏实验依据的. 展开更多
关键词 碲锌镉 位错 腐蚀坑密度
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