含巯基杂环化合物在酸性蚀刻液中的缓蚀性能研究

1

作者 杜永杰 丘梓炜 +5 位作者 王红平 王跃川 肖龙辉 崔红兵 王小丽 陈苑明 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第3期53-59,共7页

缓蚀剂是一种能够在腐蚀介质中有效抑制金属表面腐蚀的一种化学物质或多种物质的混合物。在印制电路板线路蚀刻工艺中,含有缓蚀剂的酸性蚀刻液能抑制线路的侧向蚀刻,而不改变对线路的纵向蚀刻速率。巯基苯并咪唑类化合物是一类具有抗氧... 缓蚀剂是一种能够在腐蚀介质中有效抑制金属表面腐蚀的一种化学物质或多种物质的混合物。在印制电路板线路蚀刻工艺中,含有缓蚀剂的酸性蚀刻液能抑制线路的侧向蚀刻,而不改变对线路的纵向蚀刻速率。巯基苯并咪唑类化合物是一类具有抗氧化活性的杂环化合物,对金属表面腐蚀具有良好的抑制效果。探究含有巯基及取代基不同位置的苯并咪唑:2-巯基-5-甲基苯并咪唑和5-甲氧基-2-巯基苯并咪唑作为缓蚀剂,通过量子化学计算和分子动力学模拟研究这两种缓蚀剂可能的吸附位点;结合电化学极化曲线和阻抗谱对比分析两种缓蚀剂对于铜腐蚀的抑制效果和缓蚀机理。该研究将为后续关于含有巯基类的缓蚀剂的筛选和机理分析提供参考。 展开更多

关键词 蚀刻液 缓蚀剂 含巯基苯并咪唑类化合物 蚀刻因子

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铜箔晶体结构与可加工性研究

2

作者 杨红光 齐素杰 +1 位作者 朱洪波 王泥铭 《印制电路资讯》 2025年第2期79-82,共4页

铜箔作为印制电路板(PCB)制造中的关键材料,其晶体结构对蚀刻性能和最终产品质量具有重要影响。为探讨不同晶体结构铜箔在PCB制造中的加工性能,本文通过实验分析了2种晶体结构的电解铜箔,并研究了其在蚀刻工艺中的表现。研究结果显示,... 铜箔作为印制电路板(PCB)制造中的关键材料,其晶体结构对蚀刻性能和最终产品质量具有重要影响。为探讨不同晶体结构铜箔在PCB制造中的加工性能,本文通过实验分析了2种晶体结构的电解铜箔,并研究了其在蚀刻工艺中的表现。研究结果显示,晶体尺寸较小的铜箔具有显著更高的蚀刻因子,表明其在蚀刻过程中更易实现精准控制,具备更优的加工性能。该发现不仅深化了对铜箔晶体结构与其蚀刻性能关系的认识,还为优化PCB制造工艺、提高产品质量提供了理论支持与实践依据。 展开更多

关键词 铜箔 晶体结构 蚀刻性能 蚀刻因子 PCB加工

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电解转印表面织构的定域性研究 被引量：6

3

作者 钱双庆 曲宁松 +2 位作者 朱荻 李寒松 曾永彬 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第2期127-133,共7页

研究表明,摩擦副表面织构可以有效地改善表面摩擦学性能.电解转印工艺是加工摩擦副表面织构的有效途径.以加工阵列微坑为例,从电解转印的定域性角度出发,提出了以微坑腐蚀系数作为电解转印定域性的评价指标.根据电场理论,建立了电解转... 研究表明,摩擦副表面织构可以有效地改善表面摩擦学性能.电解转印工艺是加工摩擦副表面织构的有效途径.以加工阵列微坑为例,从电解转印的定域性角度出发,提出了以微坑腐蚀系数作为电解转印定域性的评价指标.根据电场理论,建立了电解转印过程阴阳极间电场理论模型,采用有限元电场分析方法探讨阴阳极间距对电解转印过程中阳极表面电场分布的影响.构建电解转印表面织构试验平台,通过试验研究考察了阴阳极间距和电解加工电压对微坑形貌和腐蚀系数的影响.试验结果表明,阴阳极间距由20μm增加到100μm时,微坑直径由55μm增加到130μm,微坑腐蚀系数由3减小到0.012 5,电解转印的定域性降低.加工电压对电解转印定域性有一定的影响,当其他参数不变,加工电压增加到20 V时,微坑腐蚀系数略有下降,微坑轮廓较为清晰. 展开更多

关键词 表面织构 电解转印 定域性 腐蚀系数

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CR-39固体核径迹探测器蚀刻技术新进展 被引量：8

4

作者 王丽琴 屈喜梅 +4 位作者 焦玲 丁艳秋 武权 张仲健 张文艺 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期863-868,共6页

固体核径迹探测器在辐射研究和放射防护剂量学方面有着非常广泛的应用前景,CR-39探测器作为其中必不可少的一员,近年来也广受科研工作者的偏爱。本文简要介绍和对比了几种常用的中子固体核径迹探测器,并着重介绍了CR-39探测器及其蚀刻方... 固体核径迹探测器在辐射研究和放射防护剂量学方面有着非常广泛的应用前景,CR-39探测器作为其中必不可少的一员,近年来也广受科研工作者的偏爱。本文简要介绍和对比了几种常用的中子固体核径迹探测器,并着重介绍了CR-39探测器及其蚀刻方法,同时总结了影响CR-39中子探测器蚀刻速率的基本因素,阐述了CR-39探测器蚀刻技术的重要性并展望了其在其它领域的应用。 展开更多

关键词 CR-39探测器 蚀刻 影响因素

原文传递

光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题及解决办法 被引量：8

5

作者 周翠花 李代学 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期42-44,共3页

分析了在光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题并提出了解决办法,使制作工艺大为改进,并制造出了线条整齐性较好的不锈钢码盘,且其蚀刻深度达0.15mm,腐蚀因子达3.2。

关键词 光蚀刻 不锈钢码盘 蚀刻深度 腐蚀因子

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不锈钢蚀刻速率影响因素研究 被引量：8

6

作者 傅玉婷 巴俊洲 +1 位作者 蒋亚雄 颜飞雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第2期34-36,共3页

研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以... 研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以提高蚀刻速率。 展开更多

关键词 蚀刻 蚀刻速率 影响因素

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宝浪油田联合站三相分离器加热盘管腐蚀原因及影响因素研究 被引量：3

7

作者 罗全民 张怀智 +1 位作者 罗晓惠 李文革 《石油与天然气化工》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期170-172,共3页

通过对盘管腐蚀外貌特征、腐蚀产物、管材腐蚀形貌、表面成分及夹杂物、介质及环境影响因素等几个方面的分析、试验 ,研究了宝浪油田三相加热盘管的腐蚀原因和主要腐蚀因素对腐蚀行为的影响。结果表明 :引起三相分离器盘管腐蚀的主要原... 通过对盘管腐蚀外貌特征、腐蚀产物、管材腐蚀形貌、表面成分及夹杂物、介质及环境影响因素等几个方面的分析、试验 ,研究了宝浪油田三相加热盘管的腐蚀原因和主要腐蚀因素对腐蚀行为的影响。结果表明 :引起三相分离器盘管腐蚀的主要原因是二氧化碳腐蚀 ;环境温度升高 ,腐蚀速率增大 ,介质pH值升高可抑制腐蚀 ;介质中溶解二氧化碳对腐蚀具有较大影响。 展开更多

关键词 宝浪油田联合站 三相分离器 加热盘管 腐蚀原因 影响因素 管材腐蚀 腐蚀速率 防腐措施

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乙醇胺碱性蚀铜液的研究 被引量：2

8

作者 李德良 王丹 +2 位作者 罗洁 龙丽娟 彭芸 《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第1期28-31,共4页

为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度... 为了开发一种新型碱性蚀刻液以代替传统的氨类蚀刻液，该蚀刻液的组成特点是以铜一乙醇胺络合物、氯离子和碱性pH缓冲液作为主要成分。分别采用静态吊片蚀刻法和动态喷淋蚀刻研究方法探索了其最佳配方和操作条件，结果表明在铜离子浓度为85～95g／L，氯离子浓度3．5～4．5mol/L，乙醇胺浓度4．5～5mol/L，添加剂浓度0．5～1．5g／L，pH为8．5～9．0，操作温度为55～60℃时，其蚀刻状态最佳，相应的静态和动态蚀刻速率分别达6μm/min和20μm/min，与氨类蚀刻液的对应指标相当，且防侧蚀指标更高。结论是该碱性蚀刻液在生产配制、使用和再生循环过程中无废气排放，技术指标优越，具有良好的工业应用前景。 展开更多

关键词 蚀铜液 乙醇胺 蚀刻速率 侧蚀因子

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碱性蚀刻液影响因素的研究 被引量：7

9

作者 莫凌 李德良 +1 位作者 杨焰 李佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期54-56,共3页

为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-... 为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-的质量浓度为4．8～6．5mol／L，pH为8．2～9．0，操作温度为48～55℃；2）正交试验结果表明，在Cu^2＋的质量浓度为160g／L，Cl^-的质量浓度为5．5mol／L，pH为8．8，操作温度为50℃时，蚀刻状态最好，静态蚀刻速率可达到5．84um／min。 展开更多

关键词 碱性蚀刻液 蚀刻速率 正交试验 影响因素

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40μm/40μm精密线路制作工艺优化 被引量：5

10

作者 朱梦 吴道新 +3 位作者 肖忠良 张文静 吴蓉 周光华 《印制电路信息》 2016年第6期18-21,共4页

文章通过对不同设计方式的基板面铜铜厚范围、线路补偿、铜箔材料进行蚀刻因子的测试,并对蚀刻因子进行对比分析寻找其中的差异与规律,从而得到最适合高密集线路即40μm/40μm线路生产的控制参数。

关键词 蚀刻因子 铜厚 补偿值 线宽

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微种植体表面酸蚀喷砂处理对周围骨组织NGF表达的影响 被引量：3

11

作者 武秀萍 Hee Moonkyung +3 位作者 李冰 陈显久 熊雯 冯云霞 《山西医科大学学报》 CAS 2015年第3期231-233,F0003,共4页

目的探讨酸蚀喷砂处理对微种植体周围骨整合过程中神经生长因子(NGF)表达的影响。方法 36枚微种植体随机分为2组,种植体表面进行SLA(酸蚀喷砂)处理为SLA组(n=18),种植体表面未进行处理为对照组(n=18)。选取6只Beagle犬下颌骨为植入区,... 目的探讨酸蚀喷砂处理对微种植体周围骨整合过程中神经生长因子(NGF)表达的影响。方法 36枚微种植体随机分为2组,种植体表面进行SLA(酸蚀喷砂)处理为SLA组(n=18),种植体表面未进行处理为对照组(n=18)。选取6只Beagle犬下颌骨为植入区,每只犬一侧植入3枚SLA种植体(实验组),对侧植入3枚未经SLA处理的微种植体(对照组)。在实验初始、4周、6周时分别于下颌骨左右侧各植入1枚,实验8周时处死动物,获得愈合时间8周组、4周组、2周组的微种植体骨标本,并进行免疫组织化学观察及NGF平均光密度值测定。结果免疫组织化学显示2周时实验组和对照组NGF的染色强度最强,4周、8周时实验组染色强度减弱。而对照组4周时染色强度仍较高,8周减弱。2周时实验组NGF平均光密度值高于对照组(P<0.05),4周时实验组低于对照组(P<0.05),8周时NGF平均光密度值实验组与对照组差异无统计学意义(P>0.05)。两两比较发现除对照组2周与4周组无显著差异外(P>0.05),各组间差异均具有统计学意义(P<0.05)。结论对微种植体表面进行SLA处理,可以促进骨整合的形成,具有良好的初期稳定性,可以进行早期负载。 展开更多

关键词 微种植体 酸蚀喷砂 神经生长因子 骨整合

暂未订购

运用光蚀刻技术制造金属光栅盘 被引量：2

12

作者 金轸裕 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1996年第3期85-90,共6页

光蚀刻技术广泛应用于金属部件的成型和加工，本文介绍用光蚀刻技术制造金属光栅盘的方法及其中的几个主要问题。

关键词 光蚀刻 光化学加工 光致抗蚀剂 金属光栅盘

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蓝宝石衬底上二维亚波长增透结构的设计分析 被引量：2

13

作者 徐启远 刘正堂 +1 位作者 李阳平 闫峰 《微细加工技术》 2007年第6期18-20,共3页

利用等效介质理论、薄膜理论研究了二维亚波长结构的增透设计,以蓝宝石衬底为例,研究了二维亚波长结构的增透设计,分析了该结构的周期、占空比、高度等参数对增透率的影响,通过分析找到了合适的结构参数。结果表明,当二维亚波长结构的... 利用等效介质理论、薄膜理论研究了二维亚波长结构的增透设计,以蓝宝石衬底为例,研究了二维亚波长结构的增透设计,分析了该结构的周期、占空比、高度等参数对增透率的影响,通过分析找到了合适的结构参数。结果表明,当二维亚波长结构的等效折射率等于增透镀层材料的折射率、刻蚀高度等于单层理想增透膜的厚度时,这种结构具有良好的增透效果。采用蓝宝石双面设计二维亚波长结构后,在3μm^5μm波段的平均透过率可达99.25%。 展开更多

关键词 亚波长结构 增透 周期 占空比 高度

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SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究 被引量：1

14

作者 杜立群 郑昆明 +2 位作者 于明新 程浩浩 王舒萱 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第7期47-54,共8页

针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法。研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔阵列结构加... 针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法。研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔阵列结构加工效果的影响,探讨了微粒辅助掩膜电解加工的作用机制。实验结果表明:当SiC微粒质量浓度为6 g/L、直径为40μm、电解液流量为3000 mL/min时,加工定域性最佳,蚀刻因子为3.52。在微粒辅助掩膜电解加工过程中,微粒通过持续、高频的冲击作用有效去除了阳极表面的电解产物,增大了微孔刻蚀深度,限制了侧向刻蚀,最终提高了掩膜电解加工的定域性。 展开更多

关键词 奥氏体不锈钢 掩膜电解加工 碳化硅微粒 微孔阵列结构 定域性 蚀刻因子

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利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管 被引量：2

15

作者 李浩 林春 +2 位作者 周松敏 王溪 孙权志 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期223-227,共5页

碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反... 碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1 000.对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子. 展开更多

关键词 HGCDTE 雪崩光电二极管 离子束刻蚀 增益 过剩噪声因子

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碱性蚀刻液影响PCB蚀刻速率的因素研究 被引量：4

16

作者 王跃峰 王金来 +1 位作者 周乃正 信峰 《印制电路信息》 2013年第2期18-20,共3页

采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律。结果表明:在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度>Cu2+浓度>pH值>Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为(Cu2+... 采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律。结果表明:在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度>Cu2+浓度>pH值>Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为(Cu2+)=100g/L,(Cl-)=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76 m/min。 展开更多

关键词 正交试验 碱性蚀刻液 氯化铜 蚀刻速率 影响因素

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化学腐蚀法制作SERS活性衬底

17

作者 张建生 孙传东 +2 位作者 卢笛 苟增光 陈良益 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第1期45-47,共3页

本文给出一种简便的方法——化学腐蚀法，用来制备具有ＳＥＲＳ活性的衬底． 用这种方法制作的银片衬底，增强因子最大为４×１０４，而且其ＳＥＲＳ特性与腐蚀剂、腐蚀时间有关．同经氧化－还原过程垂处理之银片用化学沉积法制得... 本文给出一种简便的方法——化学腐蚀法，用来制备具有ＳＥＲＳ活性的衬底． 用这种方法制作的银片衬底，增强因子最大为４×１０４，而且其ＳＥＲＳ特性与腐蚀剂、腐蚀时间有关．同经氧化－还原过程垂处理之银片用化学沉积法制得的眼镜相比较，化学腐蚀之银片衬底增强效果较差． 展开更多

关键词 化学腐蚀 表面增强喇曼散射 增强因子 活性衬底

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酸压过程中酸蚀裂缝导流能力研究 被引量：33

18

作者 李年银 赵立强 +2 位作者 张倩 任晓宁 刘平礼 《钻采工艺》 CAS 北大核心 2008年第6期59-62,168,共4页

酸蚀裂缝导流能力是影响酸压效果的关键参数之一。由于酸岩反应随机性强,酸蚀裂缝导流能力难以准确预测。影响酸蚀裂缝导流能力的因素较多,采用自行研制的DP-I型裂缝导流能力试验仪,综合研究了岩石嵌入强度、闭合应力、酸液用量、酸接... 酸蚀裂缝导流能力是影响酸压效果的关键参数之一。由于酸岩反应随机性强,酸蚀裂缝导流能力难以准确预测。影响酸蚀裂缝导流能力的因素较多,采用自行研制的DP-I型裂缝导流能力试验仪,综合研究了岩石嵌入强度、闭合应力、酸液用量、酸接触时间、酸液滤失以及注酸排量等主要因素对酸蚀裂缝导流能力的影响。在理论计算模型方面,迄今为止主要包括N—K模型、Gangi"钉床"模型、Walsh模型、Tsang&Witherspoon孔隙模型和GongM模型,文章对各种计算模型进行了综合分析,就目前而言,国内外仍主要采用N-K经验关系式来预测酸蚀裂缝导流能力,其他模型因为所需参数难以确定,无法在实际中应用。 展开更多

关键词 酸压 酸蚀裂缝导流能力 计算模型

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改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀

19

作者 杨荣 李俊峰 钱鹤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期389-393,共5页

提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,... 提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,提高了品质因数;该技术同高阻SOI衬底技术相结合,制造的10nH螺旋电感的最大品质因数达到8.6。 展开更多

关键词 螺旋电感 品质因数 硅 铝 刻蚀

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对4J42合金蚀刻问题的初步研究

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作者 马玉春 张德健 +1 位作者 王志奇 宁宝群 《天津理工学院学报》 1999年第2期65-69,共5页

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ°的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快。

关键词 蚀刻 喷淋蚀刻 蚀刻因子 合金蚀刻 印制板

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