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金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化 被引量：2
1
作者 胡飞 宋李梅 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期274-279,320,共7页
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析... 金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。 展开更多
关键词 MOS控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间
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提高晶闸管di/dt能力的研究 被引量：1
2
作者 夏吉夫 潘福泉 关艳霞 《电源技术应用》 2014年第4期17-22,共6页
从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
关键词 晶闸管 di dt能力 放大门极 短路点 扩展速度 强触发
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高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量极限值 被引量：1
3
作者 刘宝生 余岳辉 +1 位作者 梁琳 周郁明 《通信电源技术》 2006年第5期1-2,8,共3页
文章由等离子体双极漂移方程和临界预充电荷条件出发,得出高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量表达式。从外电路和器件结构本身两方面分析了RSD的di/dt耐量的影响因素,并提出了改善di/dt耐量的措施,测试结果证明了理论分析的正确性。
关键词 脉冲功率技术 RSD 半导体开关 di/dt特性
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分段式电流舵D/A转换器抗di/dt噪声设计
4
作者 陈中盟 姚若河 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-5,共5页
设计了一个8位50MHzD/A转换器(DAC),采用5+3分段式电流舵差分输出结构,其中高5位采用温度计码方式译码,低3位采用二进制译码方式;从各电路模块设计结构上提高DAC抗di/dt噪声的能力;设计了一个低交叉点开关驱动电路,有效地降低了输出毛刺... 设计了一个8位50MHzD/A转换器(DAC),采用5+3分段式电流舵差分输出结构,其中高5位采用温度计码方式译码,低3位采用二进制译码方式;从各电路模块设计结构上提高DAC抗di/dt噪声的能力;设计了一个低交叉点开关驱动电路,有效地降低了输出毛刺,减小了数字电路di/dt噪声的影响。采用VIS0.35μmCMOS工艺进行仿真,结果表明,微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)均小于0.15LSB。 展开更多
关键词 D/A转换器 电流舵 微分非线性 积分非线性 di/dt噪声
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脉冲开关用6英寸高di/dt晶闸管的研制 被引量：2
5
作者 王政英 姚震洋 +2 位作者 操国宏 唐智慧 唐革 《大功率变流技术》 2014年第2期23-26,共4页
针对脉冲开关用晶闸管对di/dt耐量的高要求,阐述了晶闸管的导通过程和di/dt的失效机理。通过选用适当的硅单晶参数,调整P基区浓度分布,优化门极图形,采用双负角造型工艺,设计并试制出6英寸脉冲开关用晶闸管。该晶闸管的脉冲峰值电流可达... 针对脉冲开关用晶闸管对di/dt耐量的高要求,阐述了晶闸管的导通过程和di/dt的失效机理。通过选用适当的硅单晶参数,调整P基区浓度分布,优化门极图形,采用双负角造型工艺,设计并试制出6英寸脉冲开关用晶闸管。该晶闸管的脉冲峰值电流可达300 kA,di/dt耐量超过3 000 A/μs,试验表明其具有良好的稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 6英寸晶闸管 脉冲开关 di dt P基区 门极图形
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提高晶闸管di/dt能力的研究
6
作者 夏吉夫 潘福泉 关艳霞 《变频技术应用》 2013年第4期49-53,共5页
从di／dt损坏机制、定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
关键词 晶闸管 di dt能力 放大门极 短路点 扩展速度 强触发
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提高晶闸管di/dt能力的研究 被引量：1
7
作者 高占成 潘福泉 关艳霞 《电力电子》 2013年第3期25-28,24,共5页
从di/dt损坏机制、定量公式入手,分析了国内外有关di/dt的著作、文章,研究了提高晶闸管器件di/dt能力的各种有效方法,给出了一个常规新设计及其研究成果。
关键词 晶闸管 di dt能力 放大门极 短路点 扩展速度
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提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径 被引量：2
8
作者 颜廷刚 鲁广斌 任伟忠 《信息技术》 2002年第9期67-68,共2页
介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理 ,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法 ,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率 。
关键词 耐受能力 晶闸管 di/dt 通态电流上升率 抑制方法
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浅析广州地铁二号线直流系统di/dt和△I保护 被引量：2
9
作者 刘俊 《科技创新与应用》 2016年第10期185-185,共1页
文章分析了广州地铁二号线直流系统电流上升率di/dt和电流增量△I保护原理和动作过程,给出了保护整定原则以及广州地铁二号线1500V直流断路器的整定参数。
关键词 直流系统 di/dt △I 保护原理 整定原则 参数
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因di/dt过高烧毁大功率可控硅机理的研究
10
作者 岳庆来 王富治 李宝川 《煤矿机电》 北大核心 1990年第5期9-12,共4页
在大容量、高电压可控硅的应用中,常出现可控硅局部过热而损坏的事故。究其原因,大多是因可控硅电流扩散速度远小于线路di/dt数值所致。其解决办法是:采用扩散速度快的可控硅,但因其价格昂贵而无法推广。现根据可控硅触发电流大,扩散速... 在大容量、高电压可控硅的应用中,常出现可控硅局部过热而损坏的事故。究其原因,大多是因可控硅电流扩散速度远小于线路di/dt数值所致。其解决办法是:采用扩散速度快的可控硅,但因其价格昂贵而无法推广。现根据可控硅触发电流大,扩散速度亦大的特点,可采用强触发方式。当感性负载时还必须用双强窄脉冲触发,也可以在主回路中串接空心电感及在过压保护回路中串联一定的电阻来限制di/dt的数值。文中还就脉冲变压器的设计问题作了说明。 展开更多
关键词 高di/dt 电气设备 可控硅 烧毁
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Rogowski di/dt微分电流传感器 被引量：1
11
作者 颜重光 《仪表技术》 2003年第2期47-47,52,共2页
介绍di/dt电流传感器的结构。
关键词 di/dt电流传感器 结构 工作原理 电能表
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简易试验直接测量直流电流变化率di/dt
12
作者 于科新 《上海大中型电机》 2010年第1期1-3,共3页
介绍了电流变化率di/dt对直流电动机换向的影响。对直接测量电流变化率di/dt的原理、试验装置、测试线路进行了详细的介绍。并就直流电动机的结构设计上如何提高电机的快速响应特性提出建议。
关键词 直流电动机 换向 电流变化率di/dt
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R推出采用主动di／dt控制、适合汽车电机控制的高集成AUIR3330S智能电源开关
13
《电子世界》 2011年第7期8-8,共1页
国际整流器公司近日推出具备主动di／dt控制功能的AUIR3330S智能电源开关，可大大减少传导电磁干扰和开关损耗，从而简化汽车电机驱动应用中的设计并降低整体系统成本。
关键词 智能电源开关 di/dt 电机控制 汽车 高集成 国际整流器公司 传导电磁干扰 控制功能
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提高光控晶闸管灵敏度和di／dt耐量的方法
14
作者 吴鼎祥 《黑龙江电子技术》 1990年第2期37-40,共4页
关键词 光控 晶闸管 灵敏度 di/dt耐量
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Rogowski di／dt微分电流传感器
15
作者 颜重光 《世界产品与技术》 2002年第10期27-28,共2页
关键词 电流传感器 电能表 di/dt微分 Rogowski线圈原理
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CTM-DI磁力仪观测质量的探讨 被引量：4
16
作者 王治业 姜华 《地震地磁观测与研究》 2006年第B08期64-69,共6页
介绍了CTM-DI磁力仪的性能及应用,根据实践经验提出了在使用该仪器过程中应注意的几个问题。
关键词 CTM—di磁力仪 di仪性能 如何提高观测质量
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犹如魔法 DTS Headphone：X
17
作者 家祺 《视听前线》 2017年第1期64-65,共2页
DIS Headphone：X并不是新事物，其实DTS和多个手机厂商和播放软件合作了很久，都在里面添加Headphone：X功能了。
关键词 dtS 魔法 播放软件 手机厂商 diS
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一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
18
作者 孙新淇 杨禹霄 +4 位作者 邓时雨 陈资文 刘超 孙瑞泽 陈万军 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期346-352,共7页
提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电... 提出一种新的利用雪崩触发的MOS控制晶闸管(AT-MCT),在电容脉冲放电中实现了高电流峰值、高电流上升能力(di/dt)及非工作状态的非激活保护功能。器件结构包含P-body中的高掺杂雪崩层(N-AL)以及阴极区域和MOS结构分离的N+。当施加栅极电压时,MOS产生的沟道将N-drift电势转移至N-AL中,高掺杂N-AL中由于电场尖峰而发生雪崩,产生的电子-空穴对作为晶闸管的基极电流使AT-MCT快速建立自反馈机制;同时,由于雪崩建立的正反馈过程大大改善了瞬态载流子二维传输效应,增加了瞬态开启过程中元胞的有效导通区域,从而实现更加高效的能量转化。AT-MCT相比于阴极短路的MCT(CS-MCT),电流峰值提高了40%,di/dt能力提升了31%。此外,通过对N-AL掺杂浓度的设计,可实现在非工作状态下的非激活保护功能,提升脉冲功率系统的可靠性。 展开更多
关键词 雪崩 电流峰值 高电流上升能力(di/dt) 瞬态载流子二维传输效应 非激活保护
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一种SiC MOSFET双阈值检测短路保护电路设计与研究
19
作者 谭亚雄 刘元 +1 位作者 张梦洋 郭珺灏 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第21期8544-8554,I0023,共12页
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metaloxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)功率密度大、短路耐受能力差,因此快速可靠的短路保护电路设计对SiC MOSFET应用尤为重要。传统di/dt检测短路保护电路抗干扰能... 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metaloxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)功率密度大、短路耐受能力差,因此快速可靠的短路保护电路设计对SiC MOSFET应用尤为重要。传统di/dt检测短路保护电路抗干扰能力弱、检测灵活性差,且发生负载故障时短路电流峰值高,难以满足SiC MOSFET实际应用中短路保护需求。该文提出一种灵活性高、可靠性强的SiC MOSFET双阈值检测短路保护电路,以消除两种短路电流阈值之间的限制关系;提出RD并联支路及检测支路滤波电感设计,可有效抑制高频杂散信号对检测电路的干扰,降低负载故障短路电流峰值的同时提高了可靠性;最后,设计并研制短路保护电路样机,在电压为300、400、500V的条件下进行实验验证。结果表明,该设计可以实现硬开关故障和负载故障≤200_ns的快速保护,负载故障检测速度与传统方法对比提升20%以上;当母线电压为500V,同等条件下负载故障短路电流峰值较传统方法降低了25%。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 短路保护 di/dt检测 短路测试 双阈值检测
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改进混合型限流断路器限流特性及换流电弧能量分析 被引量：12
20
作者 王晨 庄劲武 +2 位作者 江壮贤 刘路辉 武瑾 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1356-1361,共6页
混合型限流断路器兼备了机械开关良好的静态特性和固态开关无弧快速分断的动态特性,是国际上断路器研究的新方向。为了对高di/dt电流下混合型限流断路器的换流电弧能量进行分析,在已研制出的两种混合型限流断路器样机基础上,开展了相同... 混合型限流断路器兼备了机械开关良好的静态特性和固态开关无弧快速分断的动态特性,是国际上断路器研究的新方向。为了对高di/dt电流下混合型限流断路器的换流电弧能量进行分析,在已研制出的两种混合型限流断路器样机基础上,开展了相同实验线路参数和设定动作值条件下的两种限流断路器方案的对比实验。改进方案可将电流上升率di/dt为18A/μs的短路电流限制到7.5kA,分断动作时间1ms,相比于初始方案,改进方案分断速度更快,限流能力更强。进而计算了2种方案在不同短路电流上升率下的换流电弧能量,并分析了电弧能量对触头烧蚀特性的影响。改进方案能够有效地降低换流电弧能量,减小电弧对触头的烧蚀,提高触头寿命。研究表明改进方案更适合需要多次分断高di/dt短路电流的应用场合。 展开更多
关键词 混合型限流断路器 换流 电弧能量 短路 高di/dt 触头烧蚀
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