系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行...系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。展开更多
文摘系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。
