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Ag/ZnTe复合薄膜在近红外区域的非线性特性
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作者 李欣颖 王赫聪 +3 位作者 于智聪 杨子昆 杜斯佳 孙文军 《材料科学》 2025年第3期390-397,共8页
通过精确调控磁控溅射工艺参数,成功制备了一系列具有不同功率的银纳米基膜。随后,以这些基膜为生长平台,促进了具有不同结构特征的碲化锌薄膜的形成。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、X射线衍射及紫外–可见分光光度计等... 通过精确调控磁控溅射工艺参数,成功制备了一系列具有不同功率的银纳米基膜。随后,以这些基膜为生长平台,促进了具有不同结构特征的碲化锌薄膜的形成。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、X射线衍射及紫外–可见分光光度计等多种表征手段,全面研究了复合薄膜的微观结构、晶体质量及带隙特性。同时,利用四点探针法深入研究了样品的霍尔效应行为,系统分析了其电导性能。Z扫描实验结果表明,所制备的薄膜表现出优异的非线性吸收性能,且该性能可通过调控银纳米薄膜的溅射能量实现优化。基于飞秒Z扫描技术,我们进一步研究了复合体系在800纳米波长下的非线性光学特性。研究结果表明,纯碲化锌薄膜以及复合结构薄膜均表现出反饱和吸收现象与自散焦特性。值得注意的是,与纯碲化锌薄膜相比,复合薄膜的非线性光学性能显著提升。得益于其超快非线性光学响应特性,此类复合薄膜在光学限幅器与全光开关等实际应用领域展现出广阔的应用前景。Ag nanofilm bases at different powers were prepared by adjusting the magnetron sputtering parameters, and the base film was used to induce the growth of ZnTe films with different structures. The morphology, crystal quality and bandgap of the composite films were characterized using scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Raman spectroscopy, x-ray diffraction and UV-Vis spectrophotometer, and the Hall effect properties of the samples were evaluated using the four-point probe method. The z-scan tests revealed that these films have excellent nonlinear absorption properties, which can be tuned by the sputtering power of the Ag nanofilms. Nonlinear optical responses at 800 nm of the composite system Ag/ZnTe were further analyzed with a femtosecond Z-scan technique. In our results, it was clarified that both ZnTe and Ag/ZnTe films with composite structure exhibit RSA as well as self-dispersion behavior. Importantly, such composite films exhibited substantial improvements in nonlinear optical properties, contrast with single ZnTe films. These composite films with ultrafast nonlinear optical response will have a positive impact on practical applications such as optical limiter devices and all-optical switching devices. 展开更多
关键词 Ag/znte复合薄膜 磁控溅射 非线性光学特性
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ZnTe Cu薄膜的制备及其性能 被引量:27
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作者 郑家贵 张静全 +3 位作者 蔡伟 黎兵 蔡亚平 冯良桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期171-176,共6页
用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170... 用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170℃开始出现类 Cu Te、类 Cu2 Te相以及 Cu0、Cu+离解的结果导致电导温度关系异常 ,应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为 11.6 % ,面积为 0 .5 2 cm2 的 Cd S/Cd Te/Zn Te∶ 展开更多
关键词 znte:Cu薄脂 共蒸发法 多晶薄膜 太阳电池
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应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试 被引量:5
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作者 王仍 方维政 +10 位作者 赵培 张雷 葛进 袁诗鑫 张惠尔 胡淑红 戴宁 陈晓姝 吴晓君 何山 王钢 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期940-943,共4页
利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5~20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见一红外波段的透... 利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5~20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见一红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz. 展开更多
关键词 Te溶剂方法 znte单晶 XRD THZ
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ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究 被引量:4
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作者 钟永强 郑家贵 +7 位作者 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 雷智 李卫 武莉莉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期598-601,共4页
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小... 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。 展开更多
关键词 znte多晶薄膜 光电子能谱 退火 CuxTe
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Zn空位及Cu掺杂对ZnTe电子结构及光学性质的影响 被引量:4
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作者 李清芳 胡舸 +3 位作者 姚靖 张双 魏胜 封文江 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1135-1143,共9页
利用基于密度泛函理论框架下的平面波赝势法和广义梯度近似,计算分析了ZnTe结构本体、掺入杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Te)及Zn空位(Zn0.875Te)体系的晶格常数及缺陷形成能,得到了不同体系的态密度、能带结构、集居数、介电函数、损失函数、... 利用基于密度泛函理论框架下的平面波赝势法和广义梯度近似,计算分析了ZnTe结构本体、掺入杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Te)及Zn空位(Zn0.875Te)体系的晶格常数及缺陷形成能,得到了不同体系的态密度、能带结构、集居数、介电函数、损失函数、吸收光谱、光电导率、复折射率及反射率。结果表明,掺杂Cu和Zn空位对ZnTe的晶胞参数、能带结构以及光学性质都产生了一定程度的影响。由于空位及杂质能级的引入,缺陷体系体积减小,晶胞参数也产生了一定的改变,同时缺陷体系禁带宽度减小并给受主能级价带顶提供n型电导性;此外,缺陷体系吸收光谱产生红移,电子在可见光区的跃迁明显增强并出现介电峰,改善了ZnTe的光学性质。 展开更多
关键词 znte 第一性原理 电子结构 光学性质
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PVT法生长ZnTe晶体的技术 被引量:3
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作者 李晖 徐永宽 +2 位作者 程红娟 史月增 郝建民 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第10期671-674,共4页
采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件... 采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件进行一系列籽晶扩大实验。发现适当缩小温差、增加生长压强有益于籽晶横向扩展。当温差缩小到35℃,压强增加到230 mbar(1 mbar=102 Pa),生长出了直径45 mm、厚度8 mm的ZnTe单晶。观察发现,晶体表面存在明显的孪晶线,孪晶线产生原因为生长前籽晶边缘有破损,导致生长过程突变。取其较大的单晶进行XRD测试,结果显示该ZnTe单晶具有良好的〈111〉晶向和结晶质量。 展开更多
关键词 碲化锌(znte 物理气相传输(PVT) 单晶 多晶 籽晶
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Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算 被引量:4
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作者 李文明 吴一 +2 位作者 刘晨吉 郑树凯 闫小兵 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期405-409,447,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。 展开更多
关键词 znte 共掺杂 密度泛函理论
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碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测(英文) 被引量:3
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作者 王仍 葛进 +5 位作者 方维政 张惠尔 胡淑红 戴宁 李栋 马国宏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-3,15,共4页
通过Te熔剂方法生长出<110>晶向的ZnTe单晶,利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下,Te熔剂方法生长的&... 通过Te熔剂方法生长出<110>晶向的ZnTe单晶,利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下,Te熔剂方法生长的<110>晶向的ZnTe晶体表现出良好的THz辐射性能,室温下激发频谱可达3THz以上. 展开更多
关键词 znte单晶 太赫兹时域光谱系统(THz—TDS) Te溶剂方法
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退火温度对ZnTe薄膜结构和性能的影响 被引量:2
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作者 钟柳明 王占勇 +3 位作者 金敏 张伟荣 刘文庆 徐家跃 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期76-79,共4页
采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上通过室温溅射和原位退火制备了ZnTe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等研究了退火温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:薄膜具有明显的<110... 采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上通过室温溅射和原位退火制备了ZnTe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等研究了退火温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:薄膜具有明显的<110>择优生长特征。随着退火温度的升高,薄膜结晶质量逐渐提高,晶粒长大,透过率增加;但过高的退火温度降低了晶体的结晶质量和透过率。当退火温度为280℃时,ZnTe薄膜具有最好的结晶质量,平均透过率达到90%左右。 展开更多
关键词 znte薄膜 脉冲激光沉积 退火温度 结构 性能
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Dy掺杂ZnTe薄膜的结构及光学特性 被引量:4
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作者 李忠贤 李蓉萍 吴蓉 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期50-53,共4页
利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征。结果表明,当原子配比Zn∶Te=1∶0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜。稀土Dy掺... 利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征。结果表明,当原子配比Zn∶Te=1∶0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜。稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但使薄膜光吸收增大而光学带隙减小。 展开更多
关键词 znte薄膜 光学特性 真空蒸发 稀土掺杂
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Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能 被引量:2
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作者 邹凯 李蓉萍 +2 位作者 刘永生 田磊 冯松 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期35-41,共7页
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂... 采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响。结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型。Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强。 展开更多
关键词 znte薄膜 Sb掺杂 真空蒸发 光学性能 电学性能
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ZnTe插层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响 被引量:4
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作者 宋慧瑾 鄢强 +7 位作者 郑家贵 冯良桓 武莉莉 张静全 蔡伟 蔡亚平 李卫 黎兵 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期105-109,共5页
从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll over)和光照、高正偏压下光暗I V曲线相交(Crossover)现象。通过对比有无插层的CdTe太阳电池在C V、I V特性和光谱响应的不同,肯定了插层对改善背接触特性的作用;发现它... 从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll over)和光照、高正偏压下光暗I V曲线相交(Crossover)现象。通过对比有无插层的CdTe太阳电池在C V、I V特性和光谱响应的不同,肯定了插层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器件前结CdS/CdTe的二极管特性和短波光谱响应。实验结果还表明,不掺杂的ZnTe对提高器件的效率是必要的。恰当的不掺杂层厚度和退火温度能最有效地改进CdTe太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著。 展开更多
关键词 CDTE znte CdS 器件性能 插层 光伏 太阳电池 光谱响应 I-V曲线 I-V特性 电流饱和 接触特性 退火温度 填充因子 二极管 压下 掺杂 短波
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稀土Dy掺杂ZnTe薄膜光学性能及其XPS研究 被引量:4
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作者 李忠贤 王呼生 +2 位作者 刘永生 张海霞 周涛 《真空》 CAS 2014年第3期33-36,共4页
本文采用真空蒸发法,在玻璃衬底上制备了稀土元素Dy掺杂的ZnTe薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的物相结构、表面形貌、光学特性、元素成分等进行了测试。XRD测试结果表明,薄膜的结构均为立方晶系... 本文采用真空蒸发法,在玻璃衬底上制备了稀土元素Dy掺杂的ZnTe薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的物相结构、表面形貌、光学特性、元素成分等进行了测试。XRD测试结果表明,薄膜的结构均为立方晶系闪锌矿结构,择优取向为(111)晶面,Dy掺杂会使(111)峰强减弱;透射光谱表明Dy掺杂会使薄膜的光学带隙减小;XPS分析表明,薄膜的主要成分为ZnTe,掺杂后Zn和Te的特征峰均向高能端发生移动。。 展开更多
关键词 真空蒸发 znte薄膜 Dy掺杂 XPS
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真空蒸发制备ZnTe薄膜性能 被引量:5
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作者 李蓉萍 荣利霞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期293-297,共5页
利用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得ZnTe薄膜。在室温下利用Zn和Te单质制备ZnTe薄膜成膜困难且性能起伏不定 ,通过对不同工艺条件的比较选择 ,发现在衬底温度大于 90℃时制备的样品是一种性能稳定具有良好光学特性的薄膜。提高衬底温度后... 利用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得ZnTe薄膜。在室温下利用Zn和Te单质制备ZnTe薄膜成膜困难且性能起伏不定 ,通过对不同工艺条件的比较选择 ,发现在衬底温度大于 90℃时制备的样品是一种性能稳定具有良好光学特性的薄膜。提高衬底温度后 ,ZnTe薄膜具有沿 [0 0 2 ]晶向择优取向 ,并由灰黑色不透明变成砖红色透明 ,透过率在可见光范围内明显升高。 展开更多
关键词 znte薄膜 真空蒸发 制备
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〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究 被引量:1
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作者 王仍 林杏潮 +8 位作者 张丽萍 张可锋 焦翠玲 陆液 邵秀华 陆荣 葛进 胡淑红 戴宁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2209-2214,共6页
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用... 根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据. 展开更多
关键词 太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 znte单晶 〈331〉晶向
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ZnTe/Si(211)与ZnTe/GaAs(211)异质结构的热应变研究 被引量:1
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作者 王元樟 庄芹芹 +1 位作者 黄海波 蔡丽娥 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期226-230,共5页
通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现,在(211)面上进行异质外延,两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈... 通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现,在(211)面上进行异质外延,两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈现各向异性,且沿两个方向上的表面曲率半径亦存在差异。Zn Te/Ga As(211)样品的激光干涉测量结果与理论计算较为吻合,均为同一数量级的表面曲率半径方向为负的张应变,Zn Te/Si(211)样品的测量结果则存在较大差异。由于Si衬底在高温脱氧的过程中产生了表面曲率半径方向为正的塑性形变,在一定程度上降低了外延Zn Te后异质结构的弯曲程度,减小了热失配应变。 展开更多
关键词 热应变 znte SI GAAS 异质结构
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微重力ZnTe:Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析 被引量:1
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作者 王仍 陆液 +1 位作者 焦翠灵 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期47-49,59,共4页
利用Te熔剂方法,在天宫二号飞船上成功地生长了ZnTe:Cu晶体.微重力下生长的晶体质量优于地面生长的晶体,相同实验条件下,天宫二号上生长的晶体尺寸明显大于地面尺寸.通过阴极荧光光谱(CL)无损检测技术测试了5 kV、15 kV、25 kV高压下的Z... 利用Te熔剂方法,在天宫二号飞船上成功地生长了ZnTe:Cu晶体.微重力下生长的晶体质量优于地面生长的晶体,相同实验条件下,天宫二号上生长的晶体尺寸明显大于地面尺寸.通过阴极荧光光谱(CL)无损检测技术测试了5 kV、15 kV、25 kV高压下的ZnTe:Cu晶体的阴极荧光图谱及光谱. 展开更多
关键词 微重力 znte:Cu晶体 阴极荧光光谱(CL)
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ZnTe薄膜性能研究 被引量:1
18
作者 杨富 南景宇 +3 位作者 蔡道林 刘伟东 孟旭东 冯浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-137,共3页
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计... 用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙。 展开更多
关键词 znte:Cu薄膜 共蒸发法 退火
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CdSe/ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研究 被引量:1
19
作者 侯永田 金鹰 +2 位作者 张树霖 李杰 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期208-212,共5页
在CdSe/ZnTe超晶格中观察到了超晶格的微观界面模的基础上,本文主要研究了这种微观界面模的多声子散射,结果表明我们首次观察到了达4级的微观界面模的多声子喇曼散射,它具有不同于光学类体模多声子谱的光谱特征及共振行为... 在CdSe/ZnTe超晶格中观察到了超晶格的微观界面模的基础上,本文主要研究了这种微观界面模的多声子散射,结果表明我们首次观察到了达4级的微观界面模的多声子喇曼散射,它具有不同于光学类体模多声子谱的光谱特征及共振行为,通过分析,我们认为这种不同正是微观界面模具有强烈的局域特性的反映. 展开更多
关键词 多声子散射 喇曼光谱 CdSe/znte
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