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ZnS/PS复合体系的制备和性能表征 被引量：1
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作者 王彩凤 李清山 +1 位作者 胡波 伊厚会 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期375-378,共4页
以电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计分别对ZnS/PS复合体系的晶体结构、形貌和光致发光(PL... 以电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计分别对ZnS/PS复合体系的晶体结构、形貌和光致发光(PL)特性进行了研究。XRD结果表明,制备的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长,生长温度较高的样品的XRD衍射峰强度较大。SEM图像显示,生长温度较高的ZnS薄膜表面较致密平整。室温下的PL谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰发生蓝移。较高的生长温度下,ZnS的自激活发光强度较大,而PS的红光强度较低且峰位红移。根据三基色叠加的原理,ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加在一起,ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射,为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。 展开更多
关键词 光致发光 白光 脉冲激光沉积 zns/ps
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退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响 被引量：3
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作者 王彩凤 李清山 +1 位作者 胡波 梁德春 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1805-1808,共4页
用脉冲激光沉积法(PLD)在多孔硅(PS)衬底上生长ZnS薄膜,分别在300℃、400℃和500℃下真空退火。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了退火对ZnS薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,并测量了ZnS/PS复合体系的光致发光(PL)谱和异质结... 用脉冲激光沉积法(PLD)在多孔硅(PS)衬底上生长ZnS薄膜,分别在300℃、400℃和500℃下真空退火。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了退火对ZnS薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,并测量了ZnS/PS复合体系的光致发光(PL)谱和异质结的I-V特性曲线。研究表明,ZnS薄膜仅在28.5°附近存在着(111)方向的高度取向生长,由此判断薄膜是单晶立方结构的-βZnS。随着退火温度的升高,-βZnS的(111)衍射峰强度逐渐增大,且ZnS薄膜表面变得更加均匀致密,说明高温退火可以有效地促进晶粒的结合并改善结晶质量。ZnS/PS复合体系的PL谱中,随着退火温度升高,ZnS薄膜的自激活发光强度增大,而PS的发光强度减小,说明退火处理更有利于ZnS薄膜的发光。根据三基色叠加的原理,ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,ZnS/PS体系可以发射出较强的白光。但过高的退火温度会影响整个ZnS/PS体系的白光发射。ZnS/PS异质结的I-V特性曲线呈现出整流特性,且随着退火温度的升高其正向电流增加。 展开更多
关键词 薄膜光学 光致发光(PL) 退火 脉冲激光沉积(PLD) zns/ps
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