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ZnMgO/ZnO异质结构中极化对二维电子气的影响
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作者 周远明 田锋 +5 位作者 钟才 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期140-144,共5页
基于ZnMgO/ZnO异质结构模型,从压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了ZnMgO势垒层的厚度、Mg组分和应变弛豫度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能... 基于ZnMgO/ZnO异质结构模型,从压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了ZnMgO势垒层的厚度、Mg组分和应变弛豫度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能带偏移对计算结果进行了分析讨论。结果表明通过改变Mg组分和应变弛豫度可以调节异质界面两边的极化强度不连续性,进而有效地调控异质结中的二维电子气。 展开更多
关键词 znmgo/zno异质结 二维电子气 极化
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调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气
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作者 周远明 钟才 +4 位作者 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期138-141,共4页
基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电... 基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子,通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控异质结中的二维电子气。采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础。 展开更多
关键词 znmgo/zno异质结 二维电子气 调制掺杂
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基于ZnMgO/ZnO的紫外波段DFB半导体激光器的仿真分析 被引量:1
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作者 沈瑞 胡芳仁 《光通信研究》 北大核心 2017年第1期34-36,60,共4页
根据TMM(传输矩阵理论),对采用ZnMgO/ZnO为工作物质的紫外波段DFB(分布反馈)半导体激光器的结构进行设计与仿真。当占空比为0.5,光栅周期为92.5nm,光栅高度为65nm时,得到了364.8nm出射波长。通过改变有源层的厚度,分析了不同有源层厚度... 根据TMM(传输矩阵理论),对采用ZnMgO/ZnO为工作物质的紫外波段DFB(分布反馈)半导体激光器的结构进行设计与仿真。当占空比为0.5,光栅周期为92.5nm,光栅高度为65nm时,得到了364.8nm出射波长。通过改变有源层的厚度,分析了不同有源层厚度时激光器阈值电流与输出功率的关系。仿真结果表明,有源层太厚会减弱对载流子的限制作用,使阈值电流增大;而有源层太薄时,波导层对光子的限制效果减弱,导致损耗增大,功率下降,阈值电流增大。所以合理选取有源层厚度可改善DFB激光器的电流功率特性。 展开更多
关键词 分布反馈半导体激光器 氧化镁锌/氧化锌 布拉格光栅 紫外波段
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ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED的紫外电致发光 被引量:7
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作者 宿世臣 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期821-824,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性。异质结的电致发光强... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性。异质结的电致发光强度随着注入电流的增大而逐渐增强。室温下在注入电流为20 mA时,电致发光光谱由位于370 nm和430 nm的两个发光峰构成。通过异质结的电致发光光谱与ZnO和GaN材料的光致发光光谱相比较确认:位于370 nm的发光来源于ZnO的自由激子,这主要是利用了ZnMgO/ZnO/ZnMgO的双异质结结构,这种双异质结结构能够阻挡ZnO中的电子进入GaN中,而GaN中的空穴可以进入到ZnO层中。盖层的ZnMgO作为一个限制层,能够提高载流子的复合效率,从而实现ZnO异质结的室温电致激子发光。 展开更多
关键词 zno GAN znmgo 电致发光
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立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术 被引量:1
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作者 唐利斌 段瑜 +7 位作者 郑云 张筱丹 赵俊 周旭昌 吴刚 黄晖 宋炳文 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第2期91-95,共5页
首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替... 首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37eV)大。AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的。 展开更多
关键词 zno量子点 znmgo 化学溶液法 椭圆偏振光谱 X射线衍射
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在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构和光学性质(英文) 被引量:2
6
作者 李树玮 小池一步 矢野满明 《光散射学报》 2004年第1期90-94,共5页
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO... 氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形貌。通过调节ZnMgO材料镁的组份,生长了禁带宽度可调的宽禁带材料。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20O薄膜材料的透射和吸收光谱性质,观察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20O材料的吸收边的蓝移现象等。以上说明了我们用分子束外延生长 收稿日期:2003 07 22·09·  第1期StructuralandOpticalCharacterizationofZnOandZnMgOFilmsona-planesapphiresbyMolecularBeamEpitaxy2004年设备成功的生长了高质量的氧化锌和组份渐变的ZnMgO薄膜材料。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 分子束外延生长 光致发光 透射光谱 半导体材料 禁带宽度 镁酸锌
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ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
7
作者 朱振邦 顾书林 +4 位作者 朱顺明 叶建东 黄时敏 顾然 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期449-452,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。... 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。 展开更多
关键词 zno/znmgo 异质结场效应管 迁移率
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多孔片状ZnMgO的制备及光催化降解废水中有机染料性能
8
作者 刘文蓉 白卯娟 《化工科技》 2025年第5期27-33,共7页
Mg掺杂ZnO的研究为优化ZnO的能带结构和表面特性提供了重要途径。通过Mg掺杂,ZnO的光吸收范围得以扩展,光生载流子的分离效率显著提高,进而增强了其在光催化净化有机污染物的效能。采用水热法合成了掺杂不同w(Mg)的ZnO样品。通过XRD、SE... Mg掺杂ZnO的研究为优化ZnO的能带结构和表面特性提供了重要途径。通过Mg掺杂,ZnO的光吸收范围得以扩展,光生载流子的分离效率显著提高,进而增强了其在光催化净化有机污染物的效能。采用水热法合成了掺杂不同w(Mg)的ZnO样品。通过XRD、SEM、TEM等手段对样品的晶体构造、外观形态及元素分布情况进行了表征分析。通过光催化降解实验,考察了Mg掺杂对ZnO光催化性能的影响,实验证实,20%ZnMgO光催化30min可完全降解罗丹明B(RhB),降解速率常数(0.112 1min^(-1))显著高于其他样品。结合UV-Vis和光电化学测试,揭示了Mg掺杂对ZnO能带结构和光生载流子分离效率的调控机制。 展开更多
关键词 有机污染物去除 zno znmgo 光催化降解
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Recent progress of ZnMgO ultraviolet photodetector 被引量:6
9
作者 杨佳霖 刘可为 申德振 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期18-26,共9页
The ultra-violet(UV) detection has a wide application in both civil and military fields.ZnO is recognized as one of ideal materials for fabricating the UV photodetectors due to its plenty of advantages,such as wide ... The ultra-violet(UV) detection has a wide application in both civil and military fields.ZnO is recognized as one of ideal materials for fabricating the UV photodetectors due to its plenty of advantages,such as wide bandgap,low cost,being environment-friendly,high radiation hardness,etc.Moreover,the alloying of ZnO with MgO to make ZnMgO could continually increase the band gap from ~ 3.3 eV to ~ 7.8 eV,which allows both solar blind and visible blind UV radiation to be detected.As is well known,ZnO is stabilized in the wurtzite structure,while MgO is stabilized in the rock salt structure.As a result,with increasing the Mg content,the crystal structure of ZnMgO alloy will change from wurtzite structure to rock salt structure.Therefore,ZnMgO photodetectors can be divided into three types based on the structures of alloys,namely,wurtzite-phase,cubic-phase and mixed-phase devices.In this paper,we review recent development and make the prospect of three types of ZnMgO UV photodetectors. 展开更多
关键词 zno znmgo UV PHOTODETECTOR
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Numerical Verification of Transition’s Energies of Excitons in Quantum Well of ZnO with the Finite Difference Method
10
作者 Bassirou Lô Serigne Bira Gueye 《Journal of Modern Physics》 2016年第3期329-334,共6页
This paper shows that the experimental results of quantum well energy transitions can be found numerically. The cases of several ZnO-ZnMgO wells are considered and their excitonic transition energies were calculated u... This paper shows that the experimental results of quantum well energy transitions can be found numerically. The cases of several ZnO-ZnMgO wells are considered and their excitonic transition energies were calculated using the finite difference method. In that way, the one-dimensional Schrödinger equation has been solved by using the BLAS and LAPACK libraries. The numerical results are in good agreement with the experimental ones. 展开更多
关键词 Quantum Well zno-znmgo Finite Difference Method EXCITON Transition Energy
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Ultraviolet and Deep-Ultraviolet Emissions from c-MgxZn1-xO/MgO Ultrathin Multilayer Heterostructures
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作者 余萍 邱东江 吴惠桢 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第10期2688-2691,共4页
Cubic phase MgxZn1-x O/MgO multilayer heterostructures (c-Mgx Zn1-xO/MgO MHs) are grown on Si(100) and quartz substrates by reactive electron beam evaporation at low temperature (250℃). Cross-sectional morpholo... Cubic phase MgxZn1-x O/MgO multilayer heterostructures (c-Mgx Zn1-xO/MgO MHs) are grown on Si(100) and quartz substrates by reactive electron beam evaporation at low temperature (250℃). Cross-sectional morphology observations by field-emission scanning electron microscopy show the legible interfaces of c-MgxZn1-x O/MgO MHs. X-ray diffraction demonstrates that c-MgxZn1-xO/MgO MHs are of highly (100)-oriented. Optical trans- mission investigations of c-Mgx Zn1-x O/MgO MHs on quartz substrates reveal the coexistence of the two phases, c-MgxZn1-xO and MgO. Photoluminescence examination indicates the emergence of deep-ultraviolet emission centred at about 290nm along with the blue shift of the ultraviolet emission from 405nm to 39Gnm when the nominal thickness of c-MgxZn1-xO well layers of MHs is diminished to 3nm, which is probably originated from quantum confinement effect. 展开更多
关键词 zno/znmgo MULTIQUANTUM WELLS THIN-FILMS ROOM-TEMPERATURE QUANTUM-WELLS BAND-GAP MGXZN1-XO GROWTH SUBSTRATE SI(111) ALLOY
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射频磁控溅射制备的ZnMgO薄膜结构和光学性能 被引量:3
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作者 黄秋柳 方亮 +3 位作者 郭北斗 阮海波 吴芳 孔春阳 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1021-1025,共5页
采用射频磁控溅射法,在石英衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.00~0.16)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和光致发光(PL)光谱等分析了薄膜的结构、形貌和光学特性。结果表明:当x≤0.10时薄膜保持六角纤锌... 采用射频磁控溅射法,在石英衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.00~0.16)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和光致发光(PL)光谱等分析了薄膜的结构、形貌和光学特性。结果表明:当x≤0.10时薄膜保持六角纤锌矿结构,而x=0.16时已出现MgO立方相;所有薄膜晶粒大小均匀,在100~150 nm之间;透光率在80%以上;薄膜带隙Eg与Mg含量呈线性关系;薄膜PL谱由较弱的紫外发光峰和较强的可见发光带组成,随Mg含量的增加紫外发光峰蓝移。 展开更多
关键词 znmgo zno 晶体结构 光学性能 磁控溅射
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High-quality ZnO growth, doping, and polarization effect
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作者 汤琨 顾书林 +3 位作者 叶建东 朱顺明 张荣 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第3期1-13,共13页
The authors have reported their recent progress in the research field of ZnO materials as well as the corresponding global advance. Recent results regarding(1) the development of high-quality epitaxy techniques,(2... The authors have reported their recent progress in the research field of ZnO materials as well as the corresponding global advance. Recent results regarding(1) the development of high-quality epitaxy techniques,(2) the defect physics and the Te/N co-doping mechanism for p-type conduction, and(3) the design, realization,and properties of the ZnMgO/ZnO hetero-structures have been shown and discussed. A complete technology of the growth of high-quality ZnO epi-films and nano-crystals has been developed. The co-doping of N plus an isovalent element to oxygen has been found to be the most hopeful path to overcome the notorious p-type hurdle. High mobility electrons have been observed in low-dimensional structures utilizing the polarization of ZnMgO and ZnO.Very different properties as well as new physics of the electrons in 2DEG and 3DES have been found as compared to the electrons in the bulk. 展开更多
关键词 zno homo-and hetero-epitaxy native defects p-type doping tellurium-nitrogen co-doping znmgo/zno hetero-structure
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