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无创机械通气患者呼吸驱动指标与吸痰后血氧饱和度剧烈下降的相关性研究
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作者 荆晨晨 王艳如 +2 位作者 王淑娟 徐辉辉 邢卿 《中国全科医学》 北大核心 2025年第20期2516-2522,共7页
背景无创正压通气技术是治疗慢性阻塞性肺疾病急性加重的重要手段之一,无创正压通气治疗结合气道廓清技术可有效避免患者气管插管,缩短住院时间。慢性阻塞性肺疾病急性加重期(AECOPD)的病理特点使常规评估气道内吸引的指征失去指导价值... 背景无创正压通气技术是治疗慢性阻塞性肺疾病急性加重的重要手段之一,无创正压通气治疗结合气道廓清技术可有效避免患者气管插管,缩短住院时间。慢性阻塞性肺疾病急性加重期(AECOPD)的病理特点使常规评估气道内吸引的指征失去指导价值,频繁或延迟的气道内痰液吸引均不利于患者急性期的正压通气治疗。目的分析无创正压通气的AECOPD患者呼吸驱动指标(ROX指数与VOX指数)与吸痰后血氧饱和度(SpO_(2))剧烈下降的相关性及呼吸驱动指标对吸痰时机的预测价值。方法采用便利抽样法,于2022年10月—2023年11月,选取青岛市市立医院急诊监护室(EICU)住院的140例AECOPD行无创正压通气的患者为研究对象。于患者行无创正压通气24 h内及吸痰时监测并计算ROX指数和VOX指数,评估患者吸痰后SpO_(2)剧烈下降(>10%)的发生率和持续时间。分析ROX指数、VOX指数与吸痰后SpO_(2)剧烈下降的相关性,并绘制ROX指数、VOX指数预测吸痰后SpO_(2)剧烈下降发生的受试者工作特征(ROC)曲线。结果140例患者24 h内累计吸痰861次,98例(70.0%)患者发生吸痰后SpO_(2)剧烈下降;96例(68.6%)患者吸痰后SpO_(2)剧烈下降发生率≥60%;75例(53.6%)患者吸痰后SpO_(2)剧烈下降持续时间16~30 s,10例(7.1%)患者吸痰后SpO_(2)剧烈下降持续时间>30 s。基线ROX指数、吸痰前1 h ROX指数与吸痰后SpO_(2)剧烈下降发生率及持续时间均呈负相关(P<0.05),基线VOX指数、吸痰前1 h VOX指数与吸痰后SpO_(2)剧烈下降发生率及持续时间均呈正相关(P<0.05)。基线VOX指数预测吸痰后SpO_(2)剧烈下降的ROC曲线下面积为0.970(95%CI=0.939~0.967),最佳截断值为0.0074;吸痰前1 h VOX指数预测吸痰后SpO_(2)剧烈下降的ROC曲线下面积为0.893(95%CI=0.826~0.959),最佳截断值为0.0087。结论当行无创通气1 h后VOX指数≥0.0074,吸痰前1 h内VOX指数≥0.0087时,应警惕患者吸痰后SpO_(2)剧烈下降的发生。 展开更多
关键词 慢性阻塞性肺疾病 无创通气 抽吸 经皮血气监测 ROX指数 VOX指数
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它粉碎了码流音乐“平淡无味”的谎言 AUDIOBYTE Super HUB 原生I^(2)S多功能码流播放器
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作者 Alan Sircom 剑萍(编译) 《视听前线》 2025年第8期22-25,共4页
上-代AUDIOBYTE产品向世界展示了在Hi-End超级明星Rockna背后的人可以将他们最好的作品以更接地气的价格呈现出来。Hydra系列的三款产品(Hydra VOX解码器、Hydra ZAP电源以及Hydra HUB电子转盘)向音响界表明其设计师Nicolae Jitariu不... 上-代AUDIOBYTE产品向世界展示了在Hi-End超级明星Rockna背后的人可以将他们最好的作品以更接地气的价格呈现出来。Hydra系列的三款产品(Hydra VOX解码器、Hydra ZAP电源以及Hydra HUB电子转盘)向音响界表明其设计师Nicolae Jitariu不仅知道如何制作一些最好的数字音频系统,而且还能生产出无需支付高昂价格就可拥有的高性能设备。 展开更多
关键词 AUDIOBYTE Rockna Hydra系列 Hydra VOX解码器
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VOx/SBA-15催化剂上甲苯气相部分氧化 被引量:7
3
作者 王彬 房克功 +1 位作者 陈建刚 孙予罕 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期94-98,共5页
采用等体积浸渍法制备了不同负载量的VOx/SBA-15催化剂。UV-Vis和H2-TPR等表征结果表明,在较低钒负载量下,钒物种的分散程度较高,主要以孤立的VO43-以及少量聚合体V-O-V形式存在;钒负载量较高时会有大量的聚合体V-O-V甚至晶相V2O5出现,... 采用等体积浸渍法制备了不同负载量的VOx/SBA-15催化剂。UV-Vis和H2-TPR等表征结果表明,在较低钒负载量下,钒物种的分散程度较高,主要以孤立的VO43-以及少量聚合体V-O-V形式存在;钒负载量较高时会有大量的聚合体V-O-V甚至晶相V2O5出现,而且,催化剂的酸性随着钒物种的高度分散而降低。甲苯气相部分氧化反应结果表明,随着钒负载量的提高,苯甲醛的选择性先升后降,CO、CO2等选择性逐渐提高。这是由于催化剂存在大量的聚合体V-O-V和晶相V2O5时,聚集态钒物种表面较多的酸量促使苯甲醛深度氧化。在相同钒负载量下,催化剂VOx/SBA-15的钒物种分散状态优于VO/MCM-41和VO/SiO,从而使得催化剂VO/SBA-15呈现较高的苯甲醛选择性。 展开更多
关键词 VOx/SBA-15 催化氧化 甲苯 苯甲醛 钒基催化剂
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非制冷红外探测器用VO_x薄膜的制备 被引量:10
4
作者 李华高 杨子文 刘爽 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期38-40,共3页
介绍了一种采用反应溅射工艺 ,通过控制不同气氛的分布制备VOx 薄膜的方法 ,并制备出电阻温度系数 (TCR)优于 - 2 %的非制冷红外探测器用VOx 薄膜。其XPS、XRD分析结果表明 ,薄膜的生长情况与制备工艺条件有密切关系。
关键词 非制冷红外探测器 VOx薄膜 反应溅射 电阻温度系数
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La2O3掺杂对V2O5-WO3/TiO2催化剂SCR性能的影响 被引量:5
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作者 赵梦梦 陈梦寅 +5 位作者 李尚相 张鹏举 赵辉 唐富顺 阮乐 杨宏斌 《钢铁钒钛》 CAS 北大核心 2017年第1期60-68,共9页
通过共沉淀法将La组分掺入到TiO_2载体中,采用浸渍法将V和W组分负载到La_2O_3-TiO_2复合氧化物上,制备出V2O5-WO3/La_2O_3-TiO_2催化剂。考察不同La_2O_3掺杂量对其NH3催化还原NO性能的影响,同时通过多种物理化学手段进行表征分析。XRD,... 通过共沉淀法将La组分掺入到TiO_2载体中,采用浸渍法将V和W组分负载到La_2O_3-TiO_2复合氧化物上,制备出V2O5-WO3/La_2O_3-TiO_2催化剂。考察不同La_2O_3掺杂量对其NH3催化还原NO性能的影响,同时通过多种物理化学手段进行表征分析。XRD,NH_3-in situ DRIFTS,H_2-TPR,XPS和UV-vis DRS测试结果表明,元素La与Ti以La-O-Ti键相互作用,生成高度分散的镧物种,也使得TiO_2具有更好的热稳定性,但由于LaO_x物种与VO_x物种和WO_x物种之间的相互作用,降低了催化剂的氧化还原性和表面Brnsted酸数量,从而降低了其催化活性。 展开更多
关键词 V2O5-WO3/TIO2催化剂 多相催化 掺杂 NH3选择性催化还原NOx LaTiOx复合氧化物 VOx物种
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VO_x/SiO_2催化剂上正丁烷催化脱氢制正丁烯 被引量:5
6
作者 胥月兵 陆江银 +1 位作者 钟梅 王吉德 《天然气化工—C1化学与化工》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期26-30,共5页
在微型固定床反应器上考察了催化剂的焙烧温度、钒氧化物负载量、反应温度、H2/n-C4H10比及空速对负载法制备的VOx/SiO2催化剂上正丁烷催化脱氢制正丁烯的反应性能的影响。结果表明:V2O5负载量为12%(质量分数)、焙烧温度为550℃为最佳... 在微型固定床反应器上考察了催化剂的焙烧温度、钒氧化物负载量、反应温度、H2/n-C4H10比及空速对负载法制备的VOx/SiO2催化剂上正丁烷催化脱氢制正丁烯的反应性能的影响。结果表明:V2O5负载量为12%(质量分数)、焙烧温度为550℃为最佳催化剂制备条件,反应温度在590~600℃,氢烃摩尔比为1~2及空速在(2~4)×103ml/(h·g)范围可获得最佳正丁烯收率30.6%;正丁烯中1-丁烯及2-丁烯产物分布受反应温度影响较大,而几乎不受氢烃比和空速的影响。 展开更多
关键词 VOx/SiO2催化剂 正丁烷 催化脱氢 正丁烯
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基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响 被引量:4
7
作者 吴淼 胡明 温宇峰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期471-473,487,共4页
以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在... 以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200°C时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0.03/°C,并发现基片温度越高,薄膜在室温附近的电阻率越低,电阻温度系数绝对值也越小。 展开更多
关键词 五氧化二钒 真空蒸发 退火 VOx薄膜 基片温度 电阻温度系数
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VO_x薄膜的sol-gel法制备 被引量:2
8
作者 曾亦可 吴帮军 +1 位作者 姜胜林 邓传益 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期22-24,共3页
通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜。测量结果表明,520℃热处理条件下的VOx薄膜样品的平均电阻温度系数达到了3.95%K–1。而470℃热处理下的VO... 通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜。测量结果表明,520℃热处理条件下的VOx薄膜样品的平均电阻温度系数达到了3.95%K–1。而470℃热处理下的VOx薄膜样品,其升降温阻温特性一致性很好,可用作高灵敏度红外探测器敏感元材料。 展开更多
关键词 电子技术 VOX SOL-GEL 薄膜 R-T特性
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TiO_2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响 被引量:4
9
作者 刘涛 李合琴 +3 位作者 刘丹 武大伟 吕晓庆 宋泽润 《真空》 CAS 北大核心 2011年第6期21-24,共4页
用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析... 用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明:在溅射气压为1 Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密,晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显。 展开更多
关键词 掺钨VOx薄膜 TiO2缓冲层 直流/射频反应磁控共溅射 光透过率
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射频磁控溅射制备氧化钒薄膜的研究 被引量:9
10
作者 马卫红 蔡长龙 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期159-163,共5页
氧化钒(VOx)薄膜是一种广泛应用于红外热成像探测的薄膜材料,研究VOx薄膜的制备工艺、获取高电阻温度系数(TCR)的VOx薄膜具有重要意义。以高纯金属钒作靶材,采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了VOx薄膜。主要研究了氩氧流量比以及功... 氧化钒(VOx)薄膜是一种广泛应用于红外热成像探测的薄膜材料,研究VOx薄膜的制备工艺、获取高电阻温度系数(TCR)的VOx薄膜具有重要意义。以高纯金属钒作靶材,采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了VOx薄膜。主要研究了氩氧流量比以及功率等工艺参数对薄膜TCR的影响,获得了较好的工艺参数。采用万用表和X射线光电子能谱仪(XPS)分别测试了不同条件下射频磁控溅射法制备的VOx薄膜的电阻特性和薄膜成分,测试结果表明,采用所获得的较好工艺参数制备的VOx薄膜TCR值大于1.8%。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧化钒(VOx)薄膜 电阻温度系数(TCR)
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THz焦平面探测器及其成像技术发展综述 被引量:5
11
作者 金伟其 田莉 +2 位作者 王宏臣 蔡毅 王鹏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第4期187-194,共8页
THz探测器作为THz成像系统的核心器件,一定程度上制约着THz成像技术的发展,鉴于单元/多元探测器的光机扫描成像模式存在的问题,THz焦平面探测器成像成为THz探测技术发展的方向。介绍了近年来国内外在THz焦平面探测器,特别是基于VOx的TH... THz探测器作为THz成像系统的核心器件,一定程度上制约着THz成像技术的发展,鉴于单元/多元探测器的光机扫描成像模式存在的问题,THz焦平面探测器成像成为THz探测技术发展的方向。介绍了近年来国内外在THz焦平面探测器,特别是基于VOx的THz焦平面探测器及其成像技术的研究进展,分析了THz焦平面探测器及其成像模式的发展前景。本文对于研究THz成像技术及应用的发展具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 THz成像 THz探测器 焦平面 VOx非制冷探测器 热释电非制冷探测器
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VOx(x=1~5)团簇结构与稳定性的DFT研究 被引量:2
12
作者 杜泉 王玲 +3 位作者 谌晓洪 王红艳 高涛 朱正和 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第1期23-30,共8页
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,V的内层10个电子用相对论有效实势(RECP)近似,氧原子用全电子基组6-311++g(d),V的价电子用lanl2dz基组,对气态VOx(x=1~5)分子的几何构型、振动频率、垂直电子亲和能、垂直电离能和能级分布进行了理论研... 用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,V的内层10个电子用相对论有效实势(RECP)近似,氧原子用全电子基组6-311++g(d),V的价电子用lanl2dz基组,对气态VOx(x=1~5)分子的几何构型、振动频率、垂直电子亲和能、垂直电离能和能级分布进行了理论研究.该系列分子的基态电子态为:VO(4Σ),VO2(2A1),VO3(2A"),VO4(2A2),VO5(4B2).VOx(x=3~5)分子的基态都是立体结构,存在明显的John-Teller和Renner-Teller效应,对称性降低,稳定性增加.VOx(x=1~4)时,它们的第一垂直电离能随氧原子数增加而增加.VO3(2A″)分子的垂直电子亲和能最大,对电子的吸引力最大.VOx(x=1~4)分子的最高占据轨道随氧原子数增加而降低,但从VO4到VO5却没有这个规律.从电子跃迁来看,该系列分子中VO4最稳定,VO最不稳定.该系列分子基态的平均VO键键长随氧原子数增加而增长. 展开更多
关键词 VOx分子 密度泛函理论(DFT) 相对论有效实势(RECP) 结构和稳定性
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溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变 被引量:4
13
作者 陆松伟 侯立松 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期175-180,共6页
本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%... 本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%,红外光谱研究表明,x 值接近于2。 展开更多
关键词 VOx薄膜 半导体—金属相转变观象 溶胶—凝胶法
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真空退火对VO_x薄膜相结构及表面形貌的影响 被引量:8
14
作者 何延春 邱家稳 +3 位作者 郭宁 许旻 王洁冰 赵印中 《真空与低温》 2003年第3期148-151,共4页
以V2O5粉末为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备了V2O5凝胶膜,经过真空退火处理得到了以VO2为主的薄膜。利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同实验条件下得到的薄膜的物相和表面形貌进行分析,得出了VOx薄膜相结构及表面形貌与真空... 以V2O5粉末为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备了V2O5凝胶膜,经过真空退火处理得到了以VO2为主的薄膜。利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同实验条件下得到的薄膜的物相和表面形貌进行分析,得出了VOx薄膜相结构及表面形貌与真空退火条件之间的关系。 展开更多
关键词 真空退火 VOx薄膜 相结构 无机溶胶-凝胶法 表面形貌 相变特性
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脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究 被引量:1
15
作者 董翔 吴志明 +3 位作者 许向东 于贺 顾德恩 蒋亚东 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第1期66-70,共5页
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微... 室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293~368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制. 展开更多
关键词 氧化钒 脉冲直流溅射 占空比 电学性质 VOX
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V2O5负载量对V2O5/Al2O3氧化活化正庚烷催化裂解反应的影响 被引量:2
16
作者 胡晓燕 李春义 杨朝合 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2209-2216,共8页
采用X射线衍射, 低温氮气吸脱附, 氨气程序升温脱附和吡啶吸附红外光谱分析方法对不同活性组分负载量V2O5/Al2O3的性质进行了表征. 根据表面VOx单元密度, 推测V2O5负载量为20%-25% (w)对应着V2O5/Al2O3表面达单层覆盖状态; V2O5的负载使... 采用X射线衍射, 低温氮气吸脱附, 氨气程序升温脱附和吡啶吸附红外光谱分析方法对不同活性组分负载量V2O5/Al2O3的性质进行了表征. 根据表面VOx单元密度, 推测V2O5负载量为20%-25% (w)对应着V2O5/Al2O3表面达单层覆盖状态; V2O5的负载使Al2O3表面Lewis酸量减少, 并出现Br?nsted酸, 对应着氧化态VOx单元中的V―OH; 随着负载量的增加, Brφnsted酸量增加至负载量为20%时达到最大值. 对V2O5/Al2O3中活性组分负载量对其氧化活化正庚烷催化裂解反应的影响进行了考察. 结果表明, 在V2O5负载量为20%-25%时,V2O5/Al2O3的引入对正庚烷在HZSM-5平衡剂上催化裂解反应的促进作用最明显, 此时VOx单元在V2O5/Al2O3表面形成单层覆盖状态, 可提供最大量的表面晶格氧, 因而对正庚烷具有最强的氧化活化作用; V2O5负载量继续增加形成体相的V2O5和AlVO4, 不利于晶格氧参与正庚烷的转化, 因而反应性能有所下降. 展开更多
关键词 V2O5/Al2O3 V2O5负载量 VOx结构形态 晶格氧 氧化活化
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基于数字信号处理的嗓音控制开关(VOX)算法研究 被引量:2
17
作者 张天骐 李伟 +1 位作者 林孝康 刘林 《应用声学》 CSCD 北大核心 2005年第3期157-163,共7页
本文提出了一种基于数字谱分析的嗓音控制开关(VOX,Voice-OperatedTransmit)的新算法,该算法简单、实用,在某种程度上克服了传统VOX算法的结构复杂、参数难调等局限,对噪声的鲁棒性也较好,而且易于用数字信号处理实现。首先利用信号功... 本文提出了一种基于数字谱分析的嗓音控制开关(VOX,Voice-OperatedTransmit)的新算法,该算法简单、实用,在某种程度上克服了传统VOX算法的结构复杂、参数难调等局限,对噪声的鲁棒性也较好,而且易于用数字信号处理实现。首先利用信号功率谱二次处理,提取出语音的平均幅度包络,然后对所得包络进行阈值处理、限幅放大,最后就得到VOX函数。理论分析和计算机模拟结果表明,该算法不仅能较为准确地提取出语音波形的平均幅度包络,而且能工作在较低的信噪比条件下。 展开更多
关键词 数字信号处理 控制开关 算法研究 嗓音 Voice 信号功率谱 二次处理 阈值处理 模拟结果 语音波形 VOX 谱分析 新算法 鲁棒性 包络 计算机 信噪比 幅度 平均 提取 限幅
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直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能 被引量:1
18
作者 聂竹华 李合琴 +2 位作者 都智 储汉奇 宋泽润 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期65-68,共4页
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射... 用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOX薄膜,经Ar气氛中450℃退火2 h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOX晶格;另外单晶硅片上制备的VOX薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。 展开更多
关键词 直流 射频磁控共溅射 VOx薄膜 W掺杂 相变温度 基底
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原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响 被引量:1
19
作者 孔令德 方辉 +5 位作者 魏虹 刘礼 周润生 铁筱滢 杨文运 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第4期319-322,共4页
氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余... 氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。 展开更多
关键词 离子束溅射沉积 SiOx/VOx双层膜 残余气体分析仪(RGA) 电阻温度系数(TCR)
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VO_x/SiO_2催化剂上正丁烷氧化脱氢 被引量:2
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作者 陆江银 杨朋坤 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第1期76-82,共7页
采用浸渍法制备了系列VOx/SiO2催化剂,研究了VOx负载量、反应温度、n-butane/O2,空速及反应时间对反应的影响.在反应温度为550℃,VOx负载为3%,n-butane/O2/N2=4/4/42(摩尔比),原料气重时空速为1.5×104mol.h-1.(g.cat)-1时最佳,此... 采用浸渍法制备了系列VOx/SiO2催化剂,研究了VOx负载量、反应温度、n-butane/O2,空速及反应时间对反应的影响.在反应温度为550℃,VOx负载为3%,n-butane/O2/N2=4/4/42(摩尔比),原料气重时空速为1.5×104mol.h-1.(g.cat)-1时最佳,此时正丁烷转化率和C4烯烃收率分别为40.1%和18.8%,并通过BET、XRD、NH3-TPD、H2-TPR、FT-IR对催化剂进行了表征,XRD,H2-TPR表征结果表明,在低负载量下,VOx能在载体上分散,高负载量时V2O5晶体出现.NH3-TPD表征结果说明,催化剂表面的酸性以弱酸位为主,催化剂活性钒物种表面的酸性增加会提高催化剂的活性,同时也会加剧正丁烷深度氧化反应的程度. 展开更多
关键词 VOx/SiO2催化剂 正丁烷 氧化脱氢
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