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题名20V/10A UDMOSFET的研制
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作者
石广源
苏丹
阎冬梅
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机构
辽宁大学物理系
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出处
《辽宁大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第4期305-308,共4页
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基金
沈阳市科技局科研项目(1032029-2-06)
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文摘
简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,给出了UDMOSFET的制造工艺,重点讨论工艺难点,对测试结果进行了详细分析.
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关键词
udmosfet
沟槽
腐蚀
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Keywords
udmosfet
Trench
etch
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名低压UDMOSFET结构设计
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作者
石广源
唐宁
张志鹏
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机构
辽宁大学物理系
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出处
《辽宁大学学报（自然科学版）》
CAS
2007年第2期97-100,共4页
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基金
沈阳市科技局资助项目(1032029-2-06)
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文摘
对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想,分析了对其产生影响的一些相关因素,如特征电阻和击穿电压之间的平衡,寄生电容的设计考虑,以及在满足上述条件下的面积优化.最后对20V/10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算.
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关键词
品质因数
密勒效应
udmosfet
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Keywords
figure of merit
miller effect
udmosfet.
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名UDMOSFET特征导通电阻物理模型
被引量：1
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作者
王洪岩
王中文
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机构
辽宁大学物理系
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出处
《辽宁大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第1期46-48,共3页
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文摘
简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,重点讨论了特征导通电阻()与结构参数的关系,给出了的数学模型.该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点.
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关键词
udmosfet
导通电阻
特征电阻
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Keywords
udmosfet
on - state resistance
special resistance.
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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