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薄膜电致发光器件中电子的谷间分布被引量：6: 1; 作者赵辉王永生徐征《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期702-705,共4页; 基于对谷间散射过程的讨论，利用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了ＺｎＳ型薄膜电致发光器件中电子的谷间分布．得出了谷间分布的瞬态过程、不同电场下的谷间分布．这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据．同时。; 关键词薄膜电致发光 tfeld 电子谷间分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnS∶Mn^(2+)薄膜电致发光器件中电子散射过程的研究被引量：1: 2; 作者赵辉王永生 +2 位作者徐征王丽辉徐叙瑢《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期307-309,共3页; 研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各种散射过程进行了比较，发现极化光学声子散射及谷间散射较为重要，杂质散射的重要性... 展开更多; 关键词电子输运电致发光散射薄膜 tfeld; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnS 电致发光材料中电离杂质的散射: 3; 作者于光辉徐征 +1 位作者赵辉王永生《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第5期34-36,共3页; 基于量子理论中分波法的思想，利用相移分析的方法，建立了电致发光材料中电离杂质对电子散射的物理模型，通过数值分析，得出了散射概率随电子能量、温度、杂质电荷及杂质浓度的变化规律．; 关键词散射硫化锌电离杂质 tfeld 电致发光材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜电致发光器件中硫空位的散射作用被引量：2: 4; 作者赵辉徐征 +1 位作者王永生于光辉《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1999年第2期99-101,共3页; 利用分波法计算了薄膜电致发光器件中硫空位对电子的散射速率，并将其与其它散射机制进行了比较。研究了散射速率与电子能量及温度的关系，并比较了硫空位俘获电子前后的散射速率。提出硫空位的存在是阻碍获得高亮度蓝色薄膜电致发光器... 展开更多; 关键词电致发光空位散射薄膜 tfeld; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程被引量：1: 5; 作者赵辉王永生 +1 位作者徐征徐叙瑢《中国科学（E辑）》 CSCD 1999年第2期174-179,共6页; 利用MonteCarlo方法 ,研究了薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程 ,得出了电子平均动能、平均漂移速度及能谷转移过程随时间的变化规律 .电子输运的瞬态时间约为 2 0 0fs,瞬态长度约为 30～ 40nm .界面发射出的电子平均动能只影响瞬... 展开更多; 关键词电子输运瞬态过程 tfeld 电致发光器件; 原文传递

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