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A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design
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作者 陈志刚 张杨 +4 位作者 罗卫军 张仁平 杨富华 王晓亮 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1654-1656,共3页
We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate using a new kind of electron beam (EB) lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change th... We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate using a new kind of electron beam (EB) lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change the aspect ratio (ratio of top gate dimension to gate length) and modify the shape of the T-gate freely. Therefore, we obtain a 0.18μm gate-length AlGaN/GaN HEMT with a unity current gain cutoff frequency (fT) of 65GHz. The aspect ratio of the T-gate is 10. These single finger devices also exhibit a peak extrinsic transconductance of 287mS/mm and a maximum drain current as high as 980mA/mm. 展开更多
关键词 GAN HEMT t-gate layout
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Optimality of T-gate for generating magic resource
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作者 Xiaohui Li Shunlong Luo 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2023年第4期1-9,共9页
In the stabilizer formalism of fault-tolerant quantum computation,stabilizer states serve as classical objects,while magic states(non-stabilizer states)are a kind of quantum resource(called magic resource)for promotin... In the stabilizer formalism of fault-tolerant quantum computation,stabilizer states serve as classical objects,while magic states(non-stabilizer states)are a kind of quantum resource(called magic resource)for promoting stabilizer circuits to universal quantum computation.In this framework,the T-gate is widely used as a non-Clifford gate which generates magic resource from stabilizer states.A natural question arises as whether the T-gate is in some sense optimal for generating magic resource.We address this issue by employing an intuitive and computable quantifier of magic based on characteristic functions(Weyl transforms)of quantum states.We demonstrate that the qubit T-gate,as well as its qutrit extension,the qutrit T-gate,are indeed optimal for generating magic resource among the class of diagonal unitary operators.Moreover,up to Clifford equivalence,the T-gate is essentially the only gate having such an optimal property.This reveals some intrinsic optimal features of the T-gate.We further compare the T-gate with general unitary gates for generating magic resource. 展开更多
关键词 stabilizer formalism Pauli group Clifford group quantifiers of magic t-gate
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Group frames via magic states with applications to SIC-POVMs and MUBs
3
作者 Lingxuan Feng Shunlong Luo 《Communications in Theoretical Physics》 2025年第1期41-53,共13页
We connect magic(non-stabilizer)states,symmetric informationally complete positive operator valued measures(SIC-POVMs),and mutually unbiased bases(MUBs)in the context of group frames,and study their interplay.Magic st... We connect magic(non-stabilizer)states,symmetric informationally complete positive operator valued measures(SIC-POVMs),and mutually unbiased bases(MUBs)in the context of group frames,and study their interplay.Magic states are quantum resources in the stabilizer formalism of quantum computation.SIC-POVMs and MUBs are fundamental structures in quantum information theory with many applications in quantum foundations,quantum state tomography,and quantum cryptography,etc.In this work,we study group frames constructed from some prominent magic states,and further investigate their applications.Our method exploits the orbit of discrete Heisenberg-Weyl group acting on an initial fiducial state.We quantify the distance of the group frames from SIC-POVMs and MUBs,respectively.As a simple corollary,we reproduce a complete family of MUBs of any prime dimensional system by introducing the concept of MUB fiducial states,analogous to the well-known SIC-POVM fiducial states.We present an intuitive and direct construction of MUB fiducial states via quantum T-gates,and demonstrate that for the qubit system,there are twelve MUB fiducial states,which coincide with the H-type magic states.We compare MUB fiducial states and SIC-POVM fiducial states from the perspective of magic resource for stabilizer quantum computation.We further pose the challenging issue of identifying all MUB fiducial states in general dimensions. 展开更多
关键词 Group frames magic states MUBs SIC-POVMs quantum t-gates
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照相机支架注塑模具设计 被引量:1
4
作者 金华军 《中国塑料》 北大核心 2025年第8期120-123,共4页
照相机支架产品结构复杂,精度要求高,外观面要求无任何缺陷,成型工艺及模具设计有较高的难度。经工艺验证,采用动模潜伏浇口,塑料熔体通过产品上增加的工艺薄片进入型腔,以保证产品的成型质量。该产品有4处需要设计侧向抽芯与分型结构,... 照相机支架产品结构复杂,精度要求高,外观面要求无任何缺陷,成型工艺及模具设计有较高的难度。经工艺验证,采用动模潜伏浇口,塑料熔体通过产品上增加的工艺薄片进入型腔,以保证产品的成型质量。该产品有4处需要设计侧向抽芯与分型结构,其中2处为动模侧的斜向侧抽。借鉴双分型面模具结构的分型原理,采用固定在支承板上的斜抽块作为传动元件,利用支承板与动模板之间的开模力驱动斜向侧滑块在斜抽块的斜向T型槽内运动,迫使斜向侧滑块沿主型芯内的斜孔移动设定距离,实现斜向侧抽。试模结果表明,模具设计结构合理,动作可靠,产品质检合格。 展开更多
关键词 相机支架 潜伏浇口 工艺薄片 斜向侧抽芯 斜向T型槽
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血清生物标志物在肺炎支原体肺炎患儿病情发展及预后评估中的应用价值 被引量:1
5
作者 王璐 李丹梅 司利钢 《中国医刊》 2025年第2期172-176,共5页
目的探究血清生物标志物嘌呤能离子通道型受体7(P2X7R)、T细胞免疫球蛋白黏蛋白分子3(TIM3)表达水平在肺炎支原体肺炎(MPP)患儿病情发展及预后评估中的应用价值。方法选取2021年10月至2023年10月于哈尔滨医科大学附属第六医院就诊的MPP... 目的探究血清生物标志物嘌呤能离子通道型受体7(P2X7R)、T细胞免疫球蛋白黏蛋白分子3(TIM3)表达水平在肺炎支原体肺炎(MPP)患儿病情发展及预后评估中的应用价值。方法选取2021年10月至2023年10月于哈尔滨医科大学附属第六医院就诊的MPP患儿183例作为MPP组,另选取同期来哈尔滨医科大学附属第六医院体检的健康儿童150例作为健康组。将MPP组根据病情严重程度进一步分为重症组(n=82)与轻症组(n=101),根据预后情况进一步分为良好组(n=139)与不良组(n=44)。比较分析MPP组和健康组、重症组和轻症组、良好组与不良组的血清P2X7R、TIM3表达水平,采用多因素logistic回归分析影响MPP患儿病情严重程度的独立危险因素。采用受试者操作特征(ROC)曲线分析血清P2X7R、TIM3对MPP患儿预后的评估价值。结果与健康组相比,MPP组血清P2X7R、TIM3表达水平均显著上升,差异有统计学意义(P<0.05)。重症组血清P2X7R、TIM3表达水平明显高于轻症组,差异有统计学意义(P<0.05)。重症组MPP患儿肺外并发症、肺实变占比以及C反应蛋白、白细胞计数、D-二聚体水平均高于轻症组,差异有统计学意义(P<0.05)。多因素logistic回归分析结果显示,肺实变、C反应蛋白、D-二聚体、血清P2X7R、TIM3是影响MPP患儿病情严重程度的独立危险因素(P<0.05)。不良组血清P2X7R、TIM3表达水平明显高于良好组,差异有统计学意义(P<0.05)。血清P2X7R、TIM3及两者联合评估MPP患儿预后的曲线下面积分别为0.775(95%CI 0.690~0.859)、0.756(95%CI 0.669~0.843)、0.844(95%CI 0.783~0.906),两者联合对MPP患儿预后评估的敏感度及曲线下面积高于血清P2X7R、TIM3单独评估(P<0.05)。结论MPP患儿血清P2X7R、TIM3表达水平与病情发展和预后有关,血清P2X7R、TIM3表达水平升高可加重患儿病情,不利于MPP患儿预后,血清P2X7R、TIM3两者联合对MPP患儿预后评估有一定应用价值。 展开更多
关键词 嘌呤能离子通道型受体7 T细胞免疫球蛋白黏蛋白分子3 肺炎支原体肺炎 生物标志物 儿童 预后
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E波段高效率GaN功率放大器MMIC
6
作者 廖龙忠 何美林 +3 位作者 毕胜赢 梅崇余 周国 付兴中 《微纳电子技术》 2025年第9期11-16,共6页
研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/... 研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/mm,峰值跨导为540 mS/mm,小信号下测试截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为110 GHz和240 GHz。采用上述工艺设计了GaN功率放大器MMIC,在工作电压18 V、电流密度200 mA/mm的测试条件下,在71~78 GHz频段内,其饱和输出功率为33.0~33.5 dBm,饱和输出功率密度达到2.49 W/mm,功率附加效率大于14.8%,功率附加效率最大值达到21.1%,线性增益大于19.0 dB。该MMIC可广泛用于5G通信发射前端。 展开更多
关键词 5G通信 T型栅 高效率 GaN功率放大器 单片微波集成电路(MMIC)
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T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究
7
作者 倪志远 白霖 +2 位作者 林罡 鲍诚 章军云 《电子技术应用》 2025年第4期40-44,共5页
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅... 对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析,为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。 展开更多
关键词 GaN HEMT T型栅 ESD 栅脚栅帽 总栅宽
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T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究
8
作者 彭宏伟 赵小寒 +3 位作者 陈祎纯 陈睿凌 王青松 徐大为 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第3期54-58,共5页
T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结... T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结果深入剖析了T型栅PMOS器件跨导双峰效应的内部机理,并从温度、主栅尺寸和次栅尺寸三个方面分析阐述了其对双峰效应的影响。最终,基于T型栅PMOS器件版图结构,提出了一种可抑制双峰效应的改进方案,通过了仿真和流片验证,可以很好地用于SOI工艺T型栅PMOS结构电路设计中。 展开更多
关键词 T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD
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TERNARY (T-GATE) INPUT VECTOR MAP AND ITS APPLICATION
9
作者 唐桂明 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1992年第10期860-864,共5页
It is obviously advantageous to use single-pattern cell ternary tree (T-gate)network to obtain ternary logic function. Many scholars at home and abroad have done much in minimization of T-gate realization of multiple-... It is obviously advantageous to use single-pattern cell ternary tree (T-gate)network to obtain ternary logic function. Many scholars at home and abroad have done much in minimization of T-gate realization of multiple-valued logic. It is generally acknowledged that it is necessary to try N! times in order to get an optimal result. However, using the Input Vector Map presented here, which is as simple and convenient as Binary Karnaugh Map, we can get an optimal result by trying only N times. 展开更多
关键词 INPUT VECTOR CONTROL order TERNARY TREE (t-gate)
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基于T-S模糊故障树和剩余寿命的离心泵健康评估方法 被引量:2
10
作者 王语嘉 李金波 +1 位作者 侯继洁 马波 《机电工程》 CAS 北大核心 2024年第12期2272-2281,共10页
针对现有离心泵健康评估方法只考虑单部件,无法客观反映离心泵真实健康状态的问题,提出了一种考虑多部件的基于T-S模糊故障树和剩余寿命的离心泵健康评估方法。首先,对离心泵故障进行了T-S模糊故障树建模,在故障树中用T-S门连接了部件... 针对现有离心泵健康评估方法只考虑单部件,无法客观反映离心泵真实健康状态的问题,提出了一种考虑多部件的基于T-S模糊故障树和剩余寿命的离心泵健康评估方法。首先,对离心泵故障进行了T-S模糊故障树建模,在故障树中用T-S门连接了部件与离心泵,用T-S门规则表征了部件失效概率与离心泵失效概率的影响关系;然后,根据部件的劣化可监测性,采用了基于Wiener过程或Weibull分布的寿命预测方法,根据部件的状态监测数据或历史失效记录,计算了部件的失效概率;最后,根据部件失效概率和T-S门算法,计算了离心泵失效概率和健康因子,得到了离心泵健康状态及其使用和维修建议,并将该健康评估方法应用于离心泵试验台数据集、西安交通大学和SY公司合作开发的(XJTU-SY)数据集。研究结果表明:离心泵试验台中离心泵健康因子为0.789,健康状态为比较健康,该方法综合考虑多部件对离心泵进行状态评估;采用XJTU-SY数据集进行验证可知,相较于基于单部件的健康评估方法,该方法评估健康因子始终低于0.6,且降至0.4的时间明显提前于基于单部件的健康评估方法,评估结果更准确。该方法可为离心泵健康评估方法的改进提供参考。 展开更多
关键词 离心泵 T-S模糊故障树 健康状态评估 健康因子 失效概率计算 T-S门算法
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基于TS-DBN的地铁牵引系统可靠性分析
11
作者 席欢 钟倩文 +2 位作者 柴晓冬 郑树彬 文静 《计算机与数字工程》 2024年第5期1310-1316,共7页
论文提出一种结合连续时间T-S动态故障树和贝叶斯网络(TS-DBN)的可靠性评估方法来模拟实际运营过程中牵引系统的动静态失效行为。首先,构建基于牵引系统单元结构的故障树模型;然后,通过应用T-S动态门的时序规则,给出T-S门的逻辑定义,进... 论文提出一种结合连续时间T-S动态故障树和贝叶斯网络(TS-DBN)的可靠性评估方法来模拟实际运营过程中牵引系统的动静态失效行为。首先,构建基于牵引系统单元结构的故障树模型;然后,通过应用T-S动态门的时序规则,给出T-S门的逻辑定义,进而计算子节点后验概率及重要度参数;将敏感节点进行排序,建立系统连续时间状态下的稳定度函数数学模型。该方法能够直观地反映牵引系统结构单元的敏感薄弱环节,可以为后续维修策略优化提供理论参考。 展开更多
关键词 轨道交通 牵引系统 T-S动态门 贝叶斯网络 可靠性分析
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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
12
作者 封瑞泽 曹书睿 +4 位作者 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期329-333,共5页
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.... 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。 展开更多
关键词 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) INGAAS/INALAS 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽
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基于优化故障树模型的液压机械可靠性评估
13
作者 徐冠军 黄正华 《成都工业学院学报》 2024年第4期21-25,共5页
针对现有液压机械可靠性评估方法存在的评估时间过长、评估结果精度较差等问题,提出基于优化故障树模型的可靠性评估方法。确定液压机械全部故障类型及逻辑关系,建立液压机械故障树模型,采用T-S模糊门取代逻辑门优化故障树模型。利用层... 针对现有液压机械可靠性评估方法存在的评估时间过长、评估结果精度较差等问题,提出基于优化故障树模型的可靠性评估方法。确定液压机械全部故障类型及逻辑关系,建立液压机械故障树模型,采用T-S模糊门取代逻辑门优化故障树模型。利用层次分析法(AHP)测定中间事件重要度,应用T-S模糊门规则对底事件故障概率与模糊数进行设定与计算,获取液压机械故障概率,从而计算出液压机械可靠性评估结果。实验结果显示:该方法的评估时间为4.8 s,液压机械可靠性评估结果与实际结果相同。 展开更多
关键词 可靠性评估 液压机械 T-S模糊门 优化故障树模型 中间事件重要度
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一种减少CNOT门数量的Clifford+T电路化简算法
14
作者 卜登立 《渤海大学学报(自然科学版)》 2024年第4期288-294,共7页
T门数量或T门深度是常用的评价容错Clifford+T电路的成本指标.然而Clifford+T电路中的CNOT门对量子计算效率的影响也不能被忽略.为减少Clifford+T电路的CNOT门数量,设计了一种使用模板电路化简Clifford+T电路的算法.使用Clifford+T电路... T门数量或T门深度是常用的评价容错Clifford+T电路的成本指标.然而Clifford+T电路中的CNOT门对量子计算效率的影响也不能被忽略.为减少Clifford+T电路的CNOT门数量,设计了一种使用模板电路化简Clifford+T电路的算法.使用Clifford+T电路验证所设计化简算法的结果表明,所设计的化简算法能够在不改变T门数量和不增加T门深度的前提下,将Clifford+T电路的CNOT门数量平均减少12.58%,同时将CNOT门深度平均降低5.35%. 展开更多
关键词 Clifford+T电路 CNOT门 模板电路 化简
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逻辑门控递药系统用于肿瘤免疫治疗前沿进展
15
作者 林舒彤 谢亚雄 +2 位作者 候博 李敏 于海军 《中国肿瘤临床》 CAS CSCD 北大核心 2024年第17期888-895,共8页
免疫治疗已经逐渐成为癌症治疗的主流疗法之一。然而,由于肿瘤免疫抑制的生理环境,导致免疫细胞抗原的提取呈递能力较弱,细胞毒性T细胞的浸润激活不充分。并且,患者的个体差异和缺乏靶向的治疗分布会引发过度免疫激活或免疫抑制等不良反... 免疫治疗已经逐渐成为癌症治疗的主流疗法之一。然而,由于肿瘤免疫抑制的生理环境,导致免疫细胞抗原的提取呈递能力较弱,细胞毒性T细胞的浸润激活不充分。并且,患者的个体差异和缺乏靶向的治疗分布会引发过度免疫激活或免疫抑制等不良反应,导致免疫疗法对实体瘤的治疗效果并不理想。近年来,有许多学者将聚合物、核酸、细胞等具有根据信号输入进行逻辑处理能力的单元设计成免疫疗法的平台,使治疗平台在靶向肿瘤部位后,根据多种来自肿瘤微环境或外界信号输入进行逻辑处理,来达到时空可控的治疗目的。本文简要概述了基于合成纳米载体、核酸和嵌合抗原受体T细胞设计的逻辑门控治疗平台和其在肿瘤免疫治疗中的研究进展,并对各类平台的优缺点进行了总结和展望。 展开更多
关键词 逻辑门控递药系统 肿瘤免疫治疗 聚合物纳米平台 核酸逻辑平台 嵌合抗原受体T细胞
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三值逻辑函数RDSOP形式的代数理论和T门实现 被引量:7
16
作者 姜恩华 姜文彬 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期1132-1137,共6页
三值逻辑函数简化的不相交SOP(RDSOP)形式是一种很有用的代数形式,研究表明,它在T门网络的设计和化简方面有重要应用.利用三值格代数的基本运算和主要性质,讨论了三值函数RDSOP形式的代数理论和算法,并给出了应用实例.利用以三值T门... 三值逻辑函数简化的不相交SOP(RDSOP)形式是一种很有用的代数形式,研究表明,它在T门网络的设计和化简方面有重要应用.利用三值格代数的基本运算和主要性质,讨论了三值函数RDSOP形式的代数理论和算法,并给出了应用实例.利用以三值T门网络可以实现任意三值逻辑函数的原理,提出了基于RDSOP形式的三值T门网络最小化设计的一种方法,并给出了实例.从给出的实例可以看出,该方法是有效且可行的. 展开更多
关键词 多值逻辑 T门网络 RDSOP形式 最小化 逻辑设计 计算机辅助设计
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90nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用 被引量:2
17
作者 孙希国 刘如青 +2 位作者 刘永强 崔玉兴 付兴昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期611-615,共5页
采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的... 采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的问题。开发了90 nm自对准双凹槽T型栅电子束三层胶光刻工艺技术。应用90 nmT型栅工艺制作了W波段GaAs PHEMT功率放大器及V波段Ga As PHEMT低噪声放大器。测试结果表明,在频率为90~96 GHz、源漏电压5 V、栅源电压-0.3 V、输入功率13 dBm时,功率放大器电路输出功率为20.8 dBm,功率增益为7.8 dB;在频率为57~64 GHz、源漏电压2.5 V、漏极电流55 m A时,低噪声放大器增益大于24 dB,带内噪声系数小于3.5 dB,验证了该工艺技术的可行性和可应用性。 展开更多
关键词 90 nm T型栅 电子束直写 双凹槽结构 三层胶结构 GAAS PHEMT
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T-S模糊故障树重要度分析方法 被引量:45
18
作者 姚成玉 张荧驿 +1 位作者 王旭峰 陈东宁 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1261-1268,共8页
传统部件重要度分析方法建立在布尔逻辑门的基础上,需要精确已知部件之间的联系,并且不能全面考虑部件所有状态及部件之间的联系对多状态系统可靠性的影响。针对上述问题,首先通过给出传统二态、多态逻辑门的T-S门规则形式,验证了T-S模... 传统部件重要度分析方法建立在布尔逻辑门的基础上,需要精确已知部件之间的联系,并且不能全面考虑部件所有状态及部件之间的联系对多状态系统可靠性的影响。针对上述问题,首先通过给出传统二态、多态逻辑门的T-S门规则形式,验证了T-S模糊故障树分析方法的可行性,进而将传统二态和多态部件重要度分析方法推广到T-S模糊故障树中,提出了T-S重要度概念及其计算方法,包括T-S结构、概率及关键重要度。然后,与传统部件重要度分析方法进行算例对比与分析,验证方法的可行性。最后,给出了液压系统T-S模糊故障树分析及其重要度计算实例。 展开更多
关键词 故障树 重要度 T-S模型 逻辑门
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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 被引量:3
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作者 孙加兴 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 谢常青 伊福庭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期358-360,共3页
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
关键词 X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺
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0.1μmT型栅PHEMT器件 被引量:5
20
作者 郑英奎 刘明 +1 位作者 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-480,共5页
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良... 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) . 展开更多
关键词 二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMT T型栅 异质结晶体管
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