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A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design
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作者 陈志刚 张杨 +4 位作者 罗卫军 张仁平 杨富华 王晓亮 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1654-1656,共3页
We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate using a new kind of electron beam (EB) lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change th... We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate using a new kind of electron beam (EB) lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change the aspect ratio (ratio of top gate dimension to gate length) and modify the shape of the T-gate freely. Therefore, we obtain a 0.18μm gate-length AlGaN/GaN HEMT with a unity current gain cutoff frequency (fT) of 65GHz. The aspect ratio of the T-gate is 10. These single finger devices also exhibit a peak extrinsic transconductance of 287mS/mm and a maximum drain current as high as 980mA/mm. 展开更多
关键词 GAN HEMT t-gate layout
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Optimality of T-gate for generating magic resource
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作者 Xiaohui Li Shunlong Luo 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2023年第4期1-9,共9页
In the stabilizer formalism of fault-tolerant quantum computation,stabilizer states serve as classical objects,while magic states(non-stabilizer states)are a kind of quantum resource(called magic resource)for promotin... In the stabilizer formalism of fault-tolerant quantum computation,stabilizer states serve as classical objects,while magic states(non-stabilizer states)are a kind of quantum resource(called magic resource)for promoting stabilizer circuits to universal quantum computation.In this framework,the T-gate is widely used as a non-Clifford gate which generates magic resource from stabilizer states.A natural question arises as whether the T-gate is in some sense optimal for generating magic resource.We address this issue by employing an intuitive and computable quantifier of magic based on characteristic functions(Weyl transforms)of quantum states.We demonstrate that the qubit T-gate,as well as its qutrit extension,the qutrit T-gate,are indeed optimal for generating magic resource among the class of diagonal unitary operators.Moreover,up to Clifford equivalence,the T-gate is essentially the only gate having such an optimal property.This reveals some intrinsic optimal features of the T-gate.We further compare the T-gate with general unitary gates for generating magic resource. 展开更多
关键词 stabilizer formalism Pauli group Clifford group quantifiers of magic t-gate
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TERNARY (T-GATE) INPUT VECTOR MAP AND ITS APPLICATION
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作者 唐桂明 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1992年第10期860-864,共5页
It is obviously advantageous to use single-pattern cell ternary tree (T-gate)network to obtain ternary logic function. Many scholars at home and abroad have done much in minimization of T-gate realization of multiple-... It is obviously advantageous to use single-pattern cell ternary tree (T-gate)network to obtain ternary logic function. Many scholars at home and abroad have done much in minimization of T-gate realization of multiple-valued logic. It is generally acknowledged that it is necessary to try N! times in order to get an optimal result. However, using the Input Vector Map presented here, which is as simple and convenient as Binary Karnaugh Map, we can get an optimal result by trying only N times. 展开更多
关键词 INPUT VECTOR CONTROL order TERNARY TREE (t-gate)
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Group frames via magic states with applications to SIC-POVMs and MUBs
4
作者 Lingxuan Feng Shunlong Luo 《Communications in Theoretical Physics》 2025年第1期41-53,共13页
We connect magic(non-stabilizer)states,symmetric informationally complete positive operator valued measures(SIC-POVMs),and mutually unbiased bases(MUBs)in the context of group frames,and study their interplay.Magic st... We connect magic(non-stabilizer)states,symmetric informationally complete positive operator valued measures(SIC-POVMs),and mutually unbiased bases(MUBs)in the context of group frames,and study their interplay.Magic states are quantum resources in the stabilizer formalism of quantum computation.SIC-POVMs and MUBs are fundamental structures in quantum information theory with many applications in quantum foundations,quantum state tomography,and quantum cryptography,etc.In this work,we study group frames constructed from some prominent magic states,and further investigate their applications.Our method exploits the orbit of discrete Heisenberg-Weyl group acting on an initial fiducial state.We quantify the distance of the group frames from SIC-POVMs and MUBs,respectively.As a simple corollary,we reproduce a complete family of MUBs of any prime dimensional system by introducing the concept of MUB fiducial states,analogous to the well-known SIC-POVM fiducial states.We present an intuitive and direct construction of MUB fiducial states via quantum T-gates,and demonstrate that for the qubit system,there are twelve MUB fiducial states,which coincide with the H-type magic states.We compare MUB fiducial states and SIC-POVM fiducial states from the perspective of magic resource for stabilizer quantum computation.We further pose the challenging issue of identifying all MUB fiducial states in general dimensions. 展开更多
关键词 Group frames magic states MUBs SIC-POVMs quantum t-gates
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血清生物标志物在肺炎支原体肺炎患儿病情发展及预后评估中的应用价值 被引量:2
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作者 王璐 李丹梅 司利钢 《中国医刊》 2025年第2期172-176,共5页
目的探究血清生物标志物嘌呤能离子通道型受体7(P2X7R)、T细胞免疫球蛋白黏蛋白分子3(TIM3)表达水平在肺炎支原体肺炎(MPP)患儿病情发展及预后评估中的应用价值。方法选取2021年10月至2023年10月于哈尔滨医科大学附属第六医院就诊的MPP... 目的探究血清生物标志物嘌呤能离子通道型受体7(P2X7R)、T细胞免疫球蛋白黏蛋白分子3(TIM3)表达水平在肺炎支原体肺炎(MPP)患儿病情发展及预后评估中的应用价值。方法选取2021年10月至2023年10月于哈尔滨医科大学附属第六医院就诊的MPP患儿183例作为MPP组,另选取同期来哈尔滨医科大学附属第六医院体检的健康儿童150例作为健康组。将MPP组根据病情严重程度进一步分为重症组(n=82)与轻症组(n=101),根据预后情况进一步分为良好组(n=139)与不良组(n=44)。比较分析MPP组和健康组、重症组和轻症组、良好组与不良组的血清P2X7R、TIM3表达水平,采用多因素logistic回归分析影响MPP患儿病情严重程度的独立危险因素。采用受试者操作特征(ROC)曲线分析血清P2X7R、TIM3对MPP患儿预后的评估价值。结果与健康组相比,MPP组血清P2X7R、TIM3表达水平均显著上升,差异有统计学意义(P<0.05)。重症组血清P2X7R、TIM3表达水平明显高于轻症组,差异有统计学意义(P<0.05)。重症组MPP患儿肺外并发症、肺实变占比以及C反应蛋白、白细胞计数、D-二聚体水平均高于轻症组,差异有统计学意义(P<0.05)。多因素logistic回归分析结果显示,肺实变、C反应蛋白、D-二聚体、血清P2X7R、TIM3是影响MPP患儿病情严重程度的独立危险因素(P<0.05)。不良组血清P2X7R、TIM3表达水平明显高于良好组,差异有统计学意义(P<0.05)。血清P2X7R、TIM3及两者联合评估MPP患儿预后的曲线下面积分别为0.775(95%CI 0.690~0.859)、0.756(95%CI 0.669~0.843)、0.844(95%CI 0.783~0.906),两者联合对MPP患儿预后评估的敏感度及曲线下面积高于血清P2X7R、TIM3单独评估(P<0.05)。结论MPP患儿血清P2X7R、TIM3表达水平与病情发展和预后有关,血清P2X7R、TIM3表达水平升高可加重患儿病情,不利于MPP患儿预后,血清P2X7R、TIM3两者联合对MPP患儿预后评估有一定应用价值。 展开更多
关键词 嘌呤能离子通道型受体7 T细胞免疫球蛋白黏蛋白分子3 肺炎支原体肺炎 生物标志物 儿童 预后
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照相机支架注塑模具设计 被引量:1
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作者 金华军 《中国塑料》 北大核心 2025年第8期120-123,共4页
照相机支架产品结构复杂,精度要求高,外观面要求无任何缺陷,成型工艺及模具设计有较高的难度。经工艺验证,采用动模潜伏浇口,塑料熔体通过产品上增加的工艺薄片进入型腔,以保证产品的成型质量。该产品有4处需要设计侧向抽芯与分型结构,... 照相机支架产品结构复杂,精度要求高,外观面要求无任何缺陷,成型工艺及模具设计有较高的难度。经工艺验证,采用动模潜伏浇口,塑料熔体通过产品上增加的工艺薄片进入型腔,以保证产品的成型质量。该产品有4处需要设计侧向抽芯与分型结构,其中2处为动模侧的斜向侧抽。借鉴双分型面模具结构的分型原理,采用固定在支承板上的斜抽块作为传动元件,利用支承板与动模板之间的开模力驱动斜向侧滑块在斜抽块的斜向T型槽内运动,迫使斜向侧滑块沿主型芯内的斜孔移动设定距离,实现斜向侧抽。试模结果表明,模具设计结构合理,动作可靠,产品质检合格。 展开更多
关键词 相机支架 潜伏浇口 工艺薄片 斜向侧抽芯 斜向T型槽
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E波段高效率GaN功率放大器MMIC
7
作者 廖龙忠 何美林 +3 位作者 毕胜赢 梅崇余 周国 付兴中 《微纳电子技术》 2025年第9期11-16,共6页
研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/... 研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/mm,峰值跨导为540 mS/mm,小信号下测试截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为110 GHz和240 GHz。采用上述工艺设计了GaN功率放大器MMIC,在工作电压18 V、电流密度200 mA/mm的测试条件下,在71~78 GHz频段内,其饱和输出功率为33.0~33.5 dBm,饱和输出功率密度达到2.49 W/mm,功率附加效率大于14.8%,功率附加效率最大值达到21.1%,线性增益大于19.0 dB。该MMIC可广泛用于5G通信发射前端。 展开更多
关键词 5G通信 T型栅 高效率 GaN功率放大器 单片微波集成电路(MMIC)
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T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究
8
作者 倪志远 白霖 +2 位作者 林罡 鲍诚 章军云 《电子技术应用》 2025年第4期40-44,共5页
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅... 对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析,为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。 展开更多
关键词 GaN HEMT T型栅 ESD 栅脚栅帽 总栅宽
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T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究
9
作者 彭宏伟 赵小寒 +3 位作者 陈祎纯 陈睿凌 王青松 徐大为 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第3期54-58,共5页
T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结... T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结果深入剖析了T型栅PMOS器件跨导双峰效应的内部机理,并从温度、主栅尺寸和次栅尺寸三个方面分析阐述了其对双峰效应的影响。最终,基于T型栅PMOS器件版图结构,提出了一种可抑制双峰效应的改进方案,通过了仿真和流片验证,可以很好地用于SOI工艺T型栅PMOS结构电路设计中。 展开更多
关键词 T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD
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高频GaN HEMT工艺器件制备
10
作者 刘澎博 《广西科技大学学报》 2025年第6期109-116,127,共9页
随着5G通信技术的快速发展,传统半导体器件的性能局限在高频高压、低能耗应用场景中日益凸显。以氮化镓(GaN)为核心的第三代半导体材料,凭借其优异的宽禁带特性、高电子迁移率和二维电子气效应,为突破高频器件性能瓶颈提供了全新解决方... 随着5G通信技术的快速发展,传统半导体器件的性能局限在高频高压、低能耗应用场景中日益凸显。以氮化镓(GaN)为核心的第三代半导体材料,凭借其优异的宽禁带特性、高电子迁移率和二维电子气效应,为突破高频器件性能瓶颈提供了全新解决方案。本研究通过对光刻步骤中的欧姆接触进行介绍并对其工艺进行优化,对铝镓氮势垒层减薄,增强金属/半导体界面对二维电子气的调控能力,使得接触电阻从1.37Ω降至0.33Ω,有效提升了器件性能。同时采用优化的浮空T型栅工艺对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行制作,通过旋涂三层电子束光刻胶可以优化T型结构,通过调整第三层胶的分子量,仅需一次曝光与一次显影即可直接获得浮空T型栅结构。本文方法显著简化了传统工艺中多次曝光或多次显影的繁琐步骤,制作出栅长为100 nm、栅帽宽度为500 nm、源漏间距为3μm的器件,其峰值跨导为312 mS;栅压为2 V时,其饱和电流可以达到496 mA;其最大截止频率为36 GHz,最大振荡频率为100 GHz。本文所研究的浮空T型栅优化工艺在保持线宽高精度的同时也能保证器件的成品率,为高频GaN高电子迁移率晶体管提供了关键技术路径。 展开更多
关键词 浮空T型栅极 接触电阻 最大截止频率 最高振荡频率 峰值跨导 高电子迁移率晶体管
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三值逻辑函数RDSOP形式的代数理论和T门实现 被引量:7
11
作者 姜恩华 姜文彬 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期1132-1137,共6页
三值逻辑函数简化的不相交SOP(RDSOP)形式是一种很有用的代数形式,研究表明,它在T门网络的设计和化简方面有重要应用.利用三值格代数的基本运算和主要性质,讨论了三值函数RDSOP形式的代数理论和算法,并给出了应用实例.利用以三值T门... 三值逻辑函数简化的不相交SOP(RDSOP)形式是一种很有用的代数形式,研究表明,它在T门网络的设计和化简方面有重要应用.利用三值格代数的基本运算和主要性质,讨论了三值函数RDSOP形式的代数理论和算法,并给出了应用实例.利用以三值T门网络可以实现任意三值逻辑函数的原理,提出了基于RDSOP形式的三值T门网络最小化设计的一种方法,并给出了实例.从给出的实例可以看出,该方法是有效且可行的. 展开更多
关键词 多值逻辑 T门网络 RDSOP形式 最小化 逻辑设计 计算机辅助设计
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90nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用 被引量:2
12
作者 孙希国 刘如青 +2 位作者 刘永强 崔玉兴 付兴昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期611-615,共5页
采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的... 采用PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的问题。开发了90 nm自对准双凹槽T型栅电子束三层胶光刻工艺技术。应用90 nmT型栅工艺制作了W波段GaAs PHEMT功率放大器及V波段Ga As PHEMT低噪声放大器。测试结果表明,在频率为90~96 GHz、源漏电压5 V、栅源电压-0.3 V、输入功率13 dBm时,功率放大器电路输出功率为20.8 dBm,功率增益为7.8 dB;在频率为57~64 GHz、源漏电压2.5 V、漏极电流55 m A时,低噪声放大器增益大于24 dB,带内噪声系数小于3.5 dB,验证了该工艺技术的可行性和可应用性。 展开更多
关键词 90 nm T型栅 电子束直写 双凹槽结构 三层胶结构 GAAS PHEMT
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T-S模糊故障树重要度分析方法 被引量:46
13
作者 姚成玉 张荧驿 +1 位作者 王旭峰 陈东宁 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1261-1268,共8页
传统部件重要度分析方法建立在布尔逻辑门的基础上,需要精确已知部件之间的联系,并且不能全面考虑部件所有状态及部件之间的联系对多状态系统可靠性的影响。针对上述问题,首先通过给出传统二态、多态逻辑门的T-S门规则形式,验证了T-S模... 传统部件重要度分析方法建立在布尔逻辑门的基础上,需要精确已知部件之间的联系,并且不能全面考虑部件所有状态及部件之间的联系对多状态系统可靠性的影响。针对上述问题,首先通过给出传统二态、多态逻辑门的T-S门规则形式,验证了T-S模糊故障树分析方法的可行性,进而将传统二态和多态部件重要度分析方法推广到T-S模糊故障树中,提出了T-S重要度概念及其计算方法,包括T-S结构、概率及关键重要度。然后,与传统部件重要度分析方法进行算例对比与分析,验证方法的可行性。最后,给出了液压系统T-S模糊故障树分析及其重要度计算实例。 展开更多
关键词 故障树 重要度 T-S模型 逻辑门
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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 被引量:3
14
作者 孙加兴 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 谢常青 伊福庭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期358-360,共3页
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
关键词 X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺
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0.1μmT型栅PHEMT器件 被引量:5
15
作者 郑英奎 刘明 +1 位作者 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-480,共5页
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良... 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) . 展开更多
关键词 二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMT T型栅 异质结晶体管
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多介质工艺X射线光刻制作T形栅 被引量:1
16
作者 孙加兴 叶甜春 +2 位作者 谢常青 申云琴 刘刚 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期239-241,共3页
半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可... 半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可控 。 展开更多
关键词 光刻 X射线 赝质吉高电子迁移率晶体管 T形栅 多介质工艺 半导体器件
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镁合金缸盖罩T型浇注系统优化设计与数值模拟 被引量:2
17
作者 胡清明 刘杰 +2 位作者 李西兵 王世刚 林颖 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期532-535,共4页
基于现有镁合金汽车发动机缸盖罩T型浇注系统结构分析,对其横浇道厚度和排溢系统结构尺寸进行优化。结合压铸数值模拟软件JScast对其进行压铸数值模拟试验,确定压铸充填与凝固过程温度场分布情况及其金属液的流动情况,对其进行缩松、缩... 基于现有镁合金汽车发动机缸盖罩T型浇注系统结构分析,对其横浇道厚度和排溢系统结构尺寸进行优化。结合压铸数值模拟软件JScast对其进行压铸数值模拟试验,确定压铸充填与凝固过程温度场分布情况及其金属液的流动情况,对其进行缩松、缩孔和流痕等缺陷预测,并采取相应的措施以提高压铸充填效果和压铸件的质量。结果表明,优化后的铸件总体积较优化前减少2.5%,且充填效果良好,验证了压铸数值模拟技术的可靠性。 展开更多
关键词 T型浇注系统 数值模拟 JSCAST 温度场
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应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术 被引量:3
18
作者 谢常青 陈大鹏 +1 位作者 李兵 叶甜春 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期39-42,共4页
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被... PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米T形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于X射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米T形栅,而且它的生产效率非常高,T形栅的形状可以非常容易控制。 展开更多
关键词 PHEMT器件 光刻技术 T形栅 光学光刻 电子束光刻 X射线 集成电路
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混合控制变量序的三值T门网络化简方法 被引量:1
19
作者 刘观生 沈继忠 陈偕雄 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2002年第5期500-505,共6页
为获得 T门网络的最佳控制变量顺序 ,对于 n个变量的函数 ,用传统的方法需作 n!次搜索 ,如果考虑混合控制方式 ,则搜索的次数更多 .为了减少搜索次数 ,并尽可能得到更为简单的 T门网络 ,本文通过对真值表分割法的分析 ,并结合 T门网络... 为获得 T门网络的最佳控制变量顺序 ,对于 n个变量的函数 ,用传统的方法需作 n!次搜索 ,如果考虑混合控制方式 ,则搜索的次数更多 .为了减少搜索次数 ,并尽可能得到更为简单的 T门网络 ,本文通过对真值表分割法的分析 ,并结合 T门网络的特点 ,提出了一种用 T门实现三值逻辑函数的真值表分割法的改进算法 .该算法可实现混合控制变量序的 T门网络的最简或接近最简实现 ,且易于编程和上机操作 .最后还对几种 T门网络化简方法的优劣进行了比较 . 展开更多
关键词 混合控制变量序 化简方法 多值逻辑 T门网络 逻辑设计 三值逻辑函数 真值表分割法
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MCML/TG混合结构与三值T门和三值D-latch电路设计 被引量:2
20
作者 章专 连明超 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2012年第5期531-534,共4页
在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice... 在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,供电电压1.8V,对所设计的电路进行仿真,分析结果表明:电路逻辑功能正确;输入输出高低电平一致,具有较好的电压兼容性;功耗保持MCML结构的优势,基本与频率无关;与传统的CMOS电路相比,取得了较大的延迟优化. 展开更多
关键词 MOS电流模逻辑 MCML CMOS传输门 三值T门
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