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晶向对SnO2:F透明导电玻璃特性的影响
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作者 羊亿 罗友良 +3 位作者 刘敏 何胜 黄芳 黄素梅 《电子器件》 CAS 2008年第1期233-235,238,共4页
本文利用超声喷雾法制备了SnO2:F透明导电薄膜,SnCl4·5H2O与NH4F分别用作锡源与氟掺杂,玻璃衬底温度控制在360℃。X射线衍射仪、扫描电镜、紫外可见分光光度计与四探针仪分别用于表征样品的晶体结构、表面形貌、透光率与面电阻... 本文利用超声喷雾法制备了SnO2:F透明导电薄膜,SnCl4·5H2O与NH4F分别用作锡源与氟掺杂,玻璃衬底温度控制在360℃。X射线衍射仪、扫描电镜、紫外可见分光光度计与四探针仪分别用于表征样品的晶体结构、表面形貌、透光率与面电阻。研究结果表明:超声喷雾沉积的SnO2:F薄膜主要为四方晶系的多晶薄膜,并且随着沉积条件的改变,在(110)、(220)晶向出现不同程度的择优取向,其中在(200)晶向上择优取向生长的薄膜面电阻明显低于(110)晶向,最低可达到5Ω/□,所有样品透光率都较高,在450-1000nm范围内的平均透光率可达到80-90%。 展开更多
关键词 sno2:f 超声喷雾法 择优取向 透光率 面电阻
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二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO2∶F薄膜及其性能研究 被引量:1
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作者 陈峰 张振华 +2 位作者 赵会峰 鲍思权 姜宏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第24期6-10,15,共6页
采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO_2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H_2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过... 采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO_2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H_2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶SnO_2薄膜。通过与单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱体所制备薄膜的性能进行比较,结果表明,两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构,利用DMTC不仅可以制备出与MBTC性能相近的薄膜,同时薄膜表面更加均匀。 展开更多
关键词 二甲基二氯化锡 化学气相沉积法 sno2f薄膜
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超声热解法制备SnO2:F薄膜加热管及其性能研究
3
作者 施卫 侯磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1160-1164,1168,共6页
采用超声喷涂热解淀积方法将SnO2:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO2:F薄膜为多晶结构,平均粒径50nm.分析了薄膜中F取代SnO2中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理,解释了不同的工艺条... 采用超声喷涂热解淀积方法将SnO2:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO2:F薄膜为多晶结构,平均粒径50nm.分析了薄膜中F取代SnO2中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理,解释了不同的工艺条件对薄膜的结构、光电特性的影响,确定了制备SnO2:F薄膜加热管的最佳工艺条件.该条件下制备的薄膜的电阻率达4×10-4Ω·cm,可见光透过率高于90%,功率密度平均可达35 W/cm2. 展开更多
关键词 薄膜技术 sno2:f薄膜 光电特性 超声喷涂热解法
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水热法合成F掺杂SnO2/石墨烯复合材料及其光催化性能研究 被引量:1
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作者 刘锐 赵建国 +1 位作者 潘启亮 邢宝岩 《山西大同大学学报(自然科学版)》 2019年第4期6-8,2,共3页
采用水热合成法,合成得到F掺杂SnO2/石墨烯复合材料,采用SEM、EDX和XRD等手段对产物进行表征。在可见光的照射下,研究其对罗丹明6G(R6G)的光催化降解效果。结果表明,F掺杂SnO2/石墨烯复合材料可以在60min将10mg/LR6G溶液完全降解。
关键词 水热法 f掺杂sno2 纳米复合材料 光催化
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喷雾热解法制备SnO2:Sb+F透明导电薄膜
5
作者 赵高扬 魏征 +1 位作者 郅晓 张卫华 《中国材料科技与设备》 2006年第5期83-85,共3页
采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度... 采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度550℃的条件下,制备的SnO2:Sb+F薄膜具有最佳的导电性能及较高的透光率,薄膜方阻达25Ω/□,电阻率为7.5×10^-4Ω·cm,平均可见光透过率为77.4%,辐射率e=0.208,表现出了较好的低辐射性。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 sno2:Sb+f 喷雾热解 光电性能 大面积
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退火处理对SnO2:F薄膜光电性能的影响 被引量:4
6
作者 李铭 高倩 +2 位作者 刘涌 宋晨路 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期132-135,共4页
SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火(深加工)后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行... SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火(深加工)后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行不同的退火处理。并通过一系列的研究,结果发现,薄膜的结构、组成、电学、光学性能在氮气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SnO2∶F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火后下降明显。通过计算对比退火后SnO2∶F薄膜的晶格常数和晶胞尺寸,提出了一种对于薄膜Low-e性能下降的合理解释。 展开更多
关键词 LOW-E sno2f薄膜 退火 常压化学气相沉积
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退火气氛对SnO2:F薄膜low-e性能的影响(英文)
7
作者 高倩 李铭 +3 位作者 刘涌 宋晨路 葛言凯 韩高荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S3期304-309,共6页
SiO_2:F薄膜作为low-e玻璃的功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。对帮化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250 nm厚的SiO_2:F薄膜进行不同气氛的退火处理。结果发现,薄膜的电学、光学性能在氦气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化... SiO_2:F薄膜作为low-e玻璃的功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。对帮化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250 nm厚的SiO_2:F薄膜进行不同气氛的退火处理。结果发现,薄膜的电学、光学性能在氦气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SiO_2:F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火下降明显。但在空气中退火后,再在氮气保护下退火,性能会有所恢复。对该现象的机理也进行了研究。 展开更多
关键词 LOW-E sno2:f薄膜 退火 常压化学气相沉积
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水热法制备F/Mn共掺杂SnO2纳米粒子的合成与表征
8
作者 吴志军 郑威猛 +3 位作者 王俊生 唐莎 李文亚 吕维忠 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1126-1130,共5页
采用水热法制备了具有金红石结构的F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子,研究了碱源、pH值、掺杂剂、表面活性剂、煅烧温度对F/Mn共掺杂SnO2纳米粒子晶相、微观形貌、分散性和光学性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外/可见/近红外... 采用水热法制备了具有金红石结构的F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子,研究了碱源、pH值、掺杂剂、表面活性剂、煅烧温度对F/Mn共掺杂SnO2纳米粒子晶相、微观形貌、分散性和光学性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外/可见/近红外分光光度计对F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子进行了表征。结果表明,该方法可以获得较高的结晶度、较小的粒径和分散良好的F-Mn共掺杂SnO2纳米粒子。F-Mn共掺杂SnO2涂层具有较好采光的同时有较好的近红外屏蔽性能,其中可见光透过率约为90%,近红外阻隔率约为93%。 展开更多
关键词 f/Mn共掺杂sno2 水热 近红外屏蔽
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SnO_2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 被引量:7
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作者 苗莉 徐瑞松 马跃良 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期121-123,共3页
采用喷雾热分解(Spray pyrolysis)方法,以NH_4F、SnCl_2·2H_2O为原料,对反应液配方进行了优化,在普通玻璃衬底上制备出了光电性能优良的掺F二氧化锡透明导电薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV/V... 采用喷雾热分解(Spray pyrolysis)方法,以NH_4F、SnCl_2·2H_2O为原料,对反应液配方进行了优化,在普通玻璃衬底上制备出了光电性能优良的掺F二氧化锡透明导电薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV/VIS)对薄膜的结构、形貌、光学、电学特征进行了表征和分析。结果表明:在衬底温度为500℃,NH_4F/SnCl_2·2H_2O的质量百分比为20%,喷涂时间为15s时掺F二氧化锡薄膜的方块电阻最低达到6.2Ω/□,可见光透射率为86.95%,且薄膜晶粒均匀,表面形貌平整致密。 展开更多
关键词 sno2:f导电薄膜 喷雾热分解法 性能
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低温制备透明SnO_2:F薄膜的光电性研究 被引量:3
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作者 雷智 冯良桓 +8 位作者 张静全 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 李卫 武莉莉 黎兵 夏庚培 鄢强 《光电子技术》 CAS 2004年第1期4-7,20,共5页
Sn O2 :F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上 ,对沉积装置进行了改进 ,同时对反应液配方进行了优化 ,在较低温度制备出透明 Sn O2 :F导电薄膜。用 XRD、UV/Vis、SEM、原子... Sn O2 :F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上 ,对沉积装置进行了改进 ,同时对反应液配方进行了优化 ,在较低温度制备出透明 Sn O2 :F导电薄膜。用 XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明 ,在 360°C沉积温度下制备的 Sn O2 :F薄膜 ,其方块电阻为 4.7Ω,( 2 0 0 )面择优取向明显 ,薄膜晶粒均匀 ,表面形貌有所改善 ,透明度有所提高。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 超声喷雾热解成膜 低温制备 sno2:f 透明度
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F掺杂对SnO_2薄膜组成、结构与光学性能的影响 被引量:4
11
作者 陈云霞 施玮 王克亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期24-28,共5页
以氯化亚锡、无水乙醇为主要原料,氢氟酸、氟硅酸和氟化铵为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备了不同F掺杂浓度的SnO2透明薄膜,考察了氢氟酸、氟硅酸和氟化铵三种不同掺杂源的分别加入对薄膜物相组成、光学透过率以及微观结构的影响。分析结... 以氯化亚锡、无水乙醇为主要原料,氢氟酸、氟硅酸和氟化铵为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备了不同F掺杂浓度的SnO2透明薄膜,考察了氢氟酸、氟硅酸和氟化铵三种不同掺杂源的分别加入对薄膜物相组成、光学透过率以及微观结构的影响。分析结果表明,F掺杂SnO2薄膜具有的是单一四方金红石相结构,且F的掺杂能抑制薄膜中SnO2晶粒的长大,三种掺杂源中,以0~14mol%氟硅酸掺杂的SnO2薄膜表观质量最佳,且可见光范围内的透过率在75~85%之间。 展开更多
关键词 f掺杂 sno2薄膜 组成与结构 光学性能 溶胶-凝胶法
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采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究 被引量:2
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作者 丁尔峰 崔容强 +3 位作者 周之斌 赵亮 于化丛 赵占霞 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期779-783,共5页
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF... 以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。 展开更多
关键词 超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD) sno2:f sno2:Sb NH4f Hf
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用超声喷雾热分解法制备SnO_2:F薄膜 被引量:2
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作者 陈全 崔容强 +2 位作者 徐东 Wolden COLIN 奚建平 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期97-100,共4页
采用超声喷雾热分解法沉积高性能掺氟二氧化锡(SnO2:F)透明导电膜(TCO),其最小方块电阻为9 Ω(400 nm厚),可见光透过率大于80%。X射线衍射(XRD)分析表明,SnO2:F薄膜为多晶结构;原子力显微镜(AFM)观察表明,SnO2:F薄膜平均粒径约为100 nm... 采用超声喷雾热分解法沉积高性能掺氟二氧化锡(SnO2:F)透明导电膜(TCO),其最小方块电阻为9 Ω(400 nm厚),可见光透过率大于80%。X射线衍射(XRD)分析表明,SnO2:F薄膜为多晶结构;原子力显微镜(AFM)观察表明,SnO2:F薄膜平均粒径约为100 nm。此外对石墨导热体和置于其上的玻璃基片两者之间的温度差别做了初步研究。 展开更多
关键词 超声喷雾热分解法 制备 sno2:f薄膜 金属氧化物薄膜 半导体材料
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喷雾热解法制备SnO_2∶F+Sb薄膜的结构及性能研究 被引量:1
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作者 钟明 赵高扬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1429-1431,1434,共4页
采用喷雾热解法在玻璃基板上制备了SnO2∶F+Sb薄膜,对薄膜的结构及性能进行了研究。用STM对薄膜表面进行表征,发现薄膜表面光滑平整,粗糙度Ra为16.283nm。四探针测试仪测定薄膜方阻为60Ω/□,电阻率为2.1×10-3Ω.cm。用XRD表征薄... 采用喷雾热解法在玻璃基板上制备了SnO2∶F+Sb薄膜,对薄膜的结构及性能进行了研究。用STM对薄膜表面进行表征,发现薄膜表面光滑平整,粗糙度Ra为16.283nm。四探针测试仪测定薄膜方阻为60Ω/□,电阻率为2.1×10-3Ω.cm。用XRD表征薄膜结构,薄膜为四方相多晶SnO2结构,说明掺杂没有该变薄膜结构。对薄膜的光学性能进行了测试,可见光透过率达到80%,在2500nm处的中远红外区反射率由镀膜前的6%上升到36%。按国家标准测试了镀膜玻璃耐酸碱稳定性,实验前后薄膜的可见光透过率变化<3%,符合国家标准。同时本研究还对镀膜玻璃的保温性能进行了测试,结果表明本实验制备的镀膜玻璃具有较好的保温性能。 展开更多
关键词 喷雾热解 sno2:f+Sb薄膜 镀膜玻璃
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Ti/SnO_2-F新型电极氧化降解全氟辛酸 被引量:1
15
作者 蒋超金 卓琼芳 +1 位作者 李静 杨波 《环境工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期6464-6468,共5页
采用溶胶-凝胶法制备F掺杂的Ti/SnO_2电极,用于水相中全氟辛酸(PFOA)的电氧化降解,实验考察了F或Sb掺杂、煅烧温度、氟掺杂量、老化时间及涂覆次数对PFOA降解效率的影响。结果表明,在煅烧温度为500℃,掺杂比Sn∶F=9∶0.25,老化时间10 d... 采用溶胶-凝胶法制备F掺杂的Ti/SnO_2电极,用于水相中全氟辛酸(PFOA)的电氧化降解,实验考察了F或Sb掺杂、煅烧温度、氟掺杂量、老化时间及涂覆次数对PFOA降解效率的影响。结果表明,在煅烧温度为500℃,掺杂比Sn∶F=9∶0.25,老化时间10 d,涂覆20次的条件下,F掺杂的Ti/SnO_2电极性能最好,反应30 min对PFOA的降解率达98%;而在相同电解条件下,Sb掺杂Ti/SnO_2电极降解PFOA效率仅61.7%。因此,F掺杂可有效提高SnO_2电极性能,有效氧化降解PFOA。 展开更多
关键词 f掺杂Ti/sno2电极 全氟辛酸 电氧化降解
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SnO_2:F透明导电薄膜及其物理特性
16
作者 胡启富 林秀森 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期525-528,共4页
本文中报道优质SnO_2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO_2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化... 本文中报道优质SnO_2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO_2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化结果。 展开更多
关键词 sno2:f 导电 薄膜 物理特性 透明
全文增补中
SiC_xO_y/SnO_2:F/TiO_2复合薄膜的制备及其性能
17
作者 陈莹莹 张溪文 +1 位作者 郭玉 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期908-910,共3页
本文制备了具有低反射率特性和光催化性能的三层复合薄膜SiCxOy/SnO2:F/TiO2。SiCxOy层直接沉积在玻璃基体上,作为障碍层避免离子从玻璃基板扩散到最外的功能层。而SnO2:F和TiO2作为功能层则分别使复合薄膜具有低反射率和光催化性能。利... 本文制备了具有低反射率特性和光催化性能的三层复合薄膜SiCxOy/SnO2:F/TiO2。SiCxOy层直接沉积在玻璃基体上,作为障碍层避免离子从玻璃基板扩散到最外的功能层。而SnO2:F和TiO2作为功能层则分别使复合薄膜具有低反射率和光催化性能。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对样品进行表征。与纯TiO2薄膜相比,复合薄膜由于表面粗糙,以及TiO2到SnO2层界面间的电子移动,表现出较高的光催化性能和亲水性。另一方面,由于SnO2:F层的低E特性,复合薄膜的远红外反射率随着TiO2薄膜厚度逐渐增加而减少。 展开更多
关键词 SiCxOy/sno2:f/TiO2 复合薄膜 低反射率 光催化性能 亲水性
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新型SnO_2∶F光透薄层光谱电化学池的研制
18
作者 吕刚 焦奎 +1 位作者 杨涛 吴俊峰 《青岛化工学院学报(自然科学版)》 2002年第1期15-18,共4页
用喷雾法制备了 Sn O2 ∶ F膜光透电极 ,其在可见光区的透光率与导电性能等均符合光谱电化学研究的要求 ,并且具有较宽的电位适用范围和较好的化学稳定性。用光谱恒电位技术和循环伏安法测定了铁氰化钾 /亚铁氰化钾体系的克式量电位 E0... 用喷雾法制备了 Sn O2 ∶ F膜光透电极 ,其在可见光区的透光率与导电性能等均符合光谱电化学研究的要求 ,并且具有较宽的电位适用范围和较好的化学稳定性。用光谱恒电位技术和循环伏安法测定了铁氰化钾 /亚铁氰化钾体系的克式量电位 E0 ′和电子转移数 n,获得了较好的重现性。 展开更多
关键词 新型 研制 喷雾热解 sno2:f膜光透电极 薄层光谱电化学 铁氰化钾 克式量电位E^0' 电子转移数n
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Using HF rather than NH_4F as doping source for spray-deposited SnO_2:F thin films 被引量:2
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作者 S.J.Ikhmayies R.N.Ahmad-Bitar 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2012年第3期791-796,共6页
Fluorine doped tin oxide SnO2:F thin films were prepared by the spray pyrolysis (SP) technique on glass substrates by using SnC12.2H2O as a precursor and NH4F and HF as doping compounds. A comparison between the pr... Fluorine doped tin oxide SnO2:F thin films were prepared by the spray pyrolysis (SP) technique on glass substrates by using SnC12.2H2O as a precursor and NH4F and HF as doping compounds. A comparison between the properties of the films obtained by using the two doping compounds was performed by using I-V characteristics in the dark at room temperature, AC measurements, and transmittance. It is found that the films prepared by using HF have smaller resistivity, lower impedance and they are less capacitive than films prepared by using NH4F. In addition, these films have higher transmittance, higher optical bandgap energy and narrower Urbach tail width. These results are interesting for the use of SnO2:F as forecontact in CdS/CdTe solar cells. 展开更多
关键词 CdS/CdTe solar cells transparent conducting oxides spray pyrolysis DOPING
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Texture ZnO Thin-Films and their Application as Front Electrode in Solar Cells
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作者 Yue-Hui Hu Yi-Chuan Chen +4 位作者 Hai-Jun Xu Hao Gao Wei-Hui Jiang Fei Hu Yan-Xiang Wang 《Engineering(科研)》 2010年第12期973-978,共6页
In this paper, three kinds of textured ZnO thin-films (the first kind has the textured structure with both columnar and polygon, the second posses pyramid-like textured structure only, and the third has the textured s... In this paper, three kinds of textured ZnO thin-films (the first kind has the textured structure with both columnar and polygon, the second posses pyramid-like textured structure only, and the third has the textured structure with both crater-like and pyramid-like), were prepared by three kinds of methods, and the application of these ZnO thin-films as a front electrode in solar cell was studied, respectively. In the first method with negative bias voltage and appropriate sputtering parameters, the textured structure with columnar and polygon on the surface of ZnO thin-film are both existence for the sample prepared by direct magnetron sputtering. Using as a front electrode in solar cell, the photoelectric conversion efficiency Eff of 7.00% was obtained. The second method is that by sputtering on the ZnO:Al self-supporting substrate, and the distribution of pyramid-like was gained. Moreover, the higher (8.25%) photoelectric conversion efficiency of solar cell was got. The last method is that by acid-etching the as-deposited ZnO thin-film which possesses mainly both columnar and polygon structure, and the textured ZnO thin-film with both crater-like and pyramid-like structure was obtained, and the photoelectric conversion efficiency of solar cell is 7.10% when using it as front electrode. These results show that the textured ZnO thin-film prepared on self-supporting substrate is more suitable for using as a front electrode in amorphous silicon cells. 展开更多
关键词 TEXTURED ZnO Thin-film Solar Cells fRONT ELECTRODE MAGNETRON SPUTTERING Transparent Conducting Oxide Surface Of Micrograph sno2:f
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