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淀积SiO2层后hFH值的增大现象
1
作者 雍成文 《半导体杂志》 1989年第2期55-55,共1页
关键词 sio2层 hFH值 超高频 晶体管 淀积
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对淀积SiO2层后hFE值增大现象的探讨
2
作者 雍成文 《上海半导体》 1989年第2期52-53,共2页
关键词 平面晶体管 淀积sio2层 hFE值
全文增补中
SiO_2氧化层在DI MOX法制备SiC_p/Al_2O_3-Al复合材料中的作用机制 被引量：2
3
作者 林营 杨海波 王芬 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2005年第4期21-24,32,共5页
利用直接金属氧化法制备了SiC颗粒增强Al2O3-Al基复合材料,借助于XRD、光学金相显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对该复合材料的微观结构进行了观测,分析了SiO2氧化层的形成在复合材料制备过程中的作用。结果表明,SiO2层可以防止材料粉化现象... 利用直接金属氧化法制备了SiC颗粒增强Al2O3-Al基复合材料,借助于XRD、光学金相显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对该复合材料的微观结构进行了观测,分析了SiO2氧化层的形成在复合材料制备过程中的作用。结果表明,SiO2层可以防止材料粉化现象的发生,缩短反应的孕育期,并可避免材料的胞状生长,促进材料的致密化。 展开更多
关键词 SiCp/Al2O3-Al复合材料 直接金属氧化法 sio2层的作用 AL基复合材料 sio2 制备过程 氧化层 SICP 扫描电镜(SEM) SIC颗粒增强
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用变角XPS技术定量计算超薄SiO_2层厚度
4
作者 严少平 汪贵华 +1 位作者 李锋 顾广颐 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第3期452-455,共4页
采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析... 采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。 展开更多
关键词 变角XPS技术 定量计算 超薄sio2层 超薄栅氧化层 厚度测量 薄膜 MOS集成器件 金属-氧化物-半导体器件
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Si/SiO_2和SiN_x/SiO_2多层膜的室温光致发光 被引量：2
5
作者 陈青云 徐明 +4 位作者 段满益 陈卫东 丁迎春 纪红萱 沈益斌 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期680-684,共5页
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可... 采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。 展开更多
关键词 Si/sio2多层膜 SiNx/sio2多层膜 红外吸收 光致发光
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Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光 被引量：3
6
作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多
关键词 Si/SiNx/sio2多层膜 红外吸收 光致发光
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ZrO_2/SiO_2多层膜的化学法制备研究 被引量：4
7
作者 杨帆 沈军 +4 位作者 吴广明 孙骐 付甜 张志华 王珏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期326-330,共5页
　分别以ZrOCl2·8H2O和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶 凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法分别在K9玻璃和单晶硅片上制备了ZrO2/SiO2多层膜。采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO2/SiO2多层膜中膜层... 　分别以ZrOCl2·8H2O和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶 凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法分别在K9玻璃和单晶硅片上制备了ZrO2/SiO2多层膜。采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO2/SiO2多层膜中膜层开裂和膜间渗透等问题。应用扫描电子显微镜观测了薄膜的表面和剖面微观形貌,并用椭偏仪测得薄膜的厚度和折射率,研究了薄膜厚度、折射率与热处理温度、紫外光处理时间的关系,对所获得薄膜的紫外 可见、红外光谱进行了分析。用输出波长1064nm,脉宽15ns的电光调Q激光系统产生的强激光进行了单层膜的辐照实验,结果发现溶剂替换后激光损伤阈值有所提高。 展开更多
关键词 ZrO2/sio2多层膜 氧化锆 二氧化硅 化学法制备 溶胶-凝胶工艺 紫外光处理 激光损伤阈值 旋转镀膜法
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快速热退火对a_Si:H/SiO_2多层膜光致发光的影响 被引量：2
8
作者 马忠元 韩培高 +6 位作者 黄信凡 隋妍萍 陈三钱波 李伟 徐岭 徐骏 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2005年第1期55-60,共6页
采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影... 采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影响 .研究发现对a_Si:H/SiO2 多层膜作快速热退火处理 ,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰 .研究了不同退火条件下发光峰的变化 .通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析 ,探讨了a_Si:H/SiO2 多层膜在不同退火温度下的光致发光机理 . 展开更多
关键词 a-Si:H/sio2多层膜 光致发光 快速热退火
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TiAlN/SiO_2纳米多层刀具涂层的微观结构和超硬效应研究 被引量：3
9
作者 王均涛 刘平 +3 位作者 杨丽红 李伟 刘新宽 马凤仓 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第22期2757-2761,共5页
通过磁控溅射方法制取了一系列不同SiO2厚度的TiAlN/SiO2纳米多层涂层,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和纳米压痕仪分别对该涂层的微观结构和力学性能进行了表征和测量。研究表明:当非晶态的SiO2厚度约小... 通过磁控溅射方法制取了一系列不同SiO2厚度的TiAlN/SiO2纳米多层涂层,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和纳米压痕仪分别对该涂层的微观结构和力学性能进行了表征和测量。研究表明:当非晶态的SiO2厚度约小于1nm时,SiO2在TiAlN模板作用下转变为晶体结构,并与TiAlN呈共格外延生长,出现超硬效应;当SiO2厚度为0.6nm时,其硬度和弹性模量分别高达37GPa和393GPa;当SiO2厚度超过1nm时,SiO2逐渐转变为非晶结构并且破坏了多层涂层的共格外延生长,硬度随之降低。因此,可以利用该方法制备出机械性能好且耐高温氧化性的刀具涂层,以满足现代切削的需要。 展开更多
关键词 超硬效应 TiAlN/sio2纳米多层涂层 共格外延生长 非晶晶化
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SiO_2内保护层对LiB_3O_5晶体倍频增透膜损伤阈值的影响 被引量：2
10
作者 于爱芳 范飞镝 +2 位作者 刘中星 朱镛 陈创天 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期603-606,共4页
利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨。实验结果表明:保护层... 利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨。实验结果表明:保护层的加入把由基底膜层界面缺陷吸收所决定的阈值改变到由HfO2膜层内缺陷吸收所决定的阈值,显著提高了倍频增透膜的抗激光损伤能力。 展开更多
关键词 LiB3O5 sio2内保护层 倍频增透膜 激光损伤阈值 损伤形貌
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磁性Fe_3O_4@SiO_2@N_3多层纳米复合粒子的制备 被引量：1
11
作者 高巍 李兰 +2 位作者 耿芹 谢洪涛 杨浩鹏 《广州化工》 CAS 2019年第2期39-41,60,共4页
采用部分还原法制备Fe_3O_4磁性纳米颗粒(MNP),通过反相微乳液法在磁性Fe_3O_4纳米颗粒表面包覆SiO_2且其表面由叠氮(-N3)基团进行修饰,制备了一种新Fe_3O_4@SiO_2@N3复合材料。TEM和IR对材料形态结构及包覆情况的分析,显示SiO_2包覆在F... 采用部分还原法制备Fe_3O_4磁性纳米颗粒(MNP),通过反相微乳液法在磁性Fe_3O_4纳米颗粒表面包覆SiO_2且其表面由叠氮(-N3)基团进行修饰,制备了一种新Fe_3O_4@SiO_2@N3复合材料。TEM和IR对材料形态结构及包覆情况的分析,显示SiO_2包覆在Fe_3O_4表面,形成尺寸约为50 nm,硅球结构清晰较为均匀,单分散性好的复合结构。其与3-叠氮丙基三乙氧基硅烷接枝叠氮基团,形成尺寸为70 nm左右的三层复合结构。该复合材料具有良好的分散性,可作为合成磁性纳米应用材料的中间体。 展开更多
关键词 磁性纳米 sio2层包覆 叠氮 部分还原法 反相微乳液
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SiO_2层晶化对TiN/SiO_2纳米多层膜结构和性能的影响 被引量：2
12
作者 魏仑 邵楠 +1 位作者 梅芳华 李戈扬 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期478-484,共7页
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同SiO2调制层厚的TiN/SiO2纳米多层膜.利用X射线衍射,X射线能量色散谱、扫描电子显微镜、高分辨电子显微镜和微力学探针表征和研究了多层膜的生长结构和力学性能.结果表明,具有适当厚度(0.45-0.9nm... 采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同SiO2调制层厚的TiN/SiO2纳米多层膜.利用X射线衍射,X射线能量色散谱、扫描电子显微镜、高分辨电子显微镜和微力学探针表征和研究了多层膜的生长结构和力学性能.结果表明,具有适当厚度(0.45-0.9nm)的SiO2调制层,在溅射条件下通常为非晶态,在TiN层的模板作用下晶化并与TiN层共格外延生长,形成具有强烈(111)织构的超晶格柱状晶多层膜;与此相应,纳米多层膜产生了硬度和弹性模量异常增高的超硬效应(最高硬度达45GPa).随着SiO2层厚度的继续增加,SiO2层转变为非晶态,阻断了多层膜的共格外延生长,使纳米多层膜形成非晶SiO2层和纳米晶TiN层的多层结构,多层膜的硬度和弹性模量逐渐下降. 展开更多
关键词 无机非金属材料 TiN/sio2纳米多层膜 外延生长 非晶晶化 超硬效应
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Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究 被引量：1
13
作者 马自军 马书懿 《物理实验》 2008年第5期12-15,共4页
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主... 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素. 展开更多
关键词 Si/sio2多层膜 I-V特性 射频磁控溅射 电流输运
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a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理
14
作者 马忠元 韩培高 +7 位作者 李伟 陈三 钱波 徐骏 徐岭 黄信凡 陈坤基 冯端 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期76-79,共4页
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层... 采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系. 展开更多
关键词 a-Si:H/sio2多层膜 NC-SI 光致发光
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溶胶凝胶法制备SiO_2/TiO_2多层膜工艺研究 被引量：1
15
作者 杨帆 沈军 +4 位作者 吴广明 孙骐 李小丽 张志华 付甜 《安阳师范学院学报》 2003年第2期31-34,共4页
采用溶胶-凝胶工艺,使用旋涂方法在单晶硅片、石英玻璃和K9玻璃上制备SiO2/TiO2系列多层膜。采用椭偏仪、透射电镜等对所制得的多层膜的性能进行了研究。结果表明实验条件对SiO2/TiO2多层膜的制备非常重要。通过对实验条件的改善与优化... 采用溶胶-凝胶工艺,使用旋涂方法在单晶硅片、石英玻璃和K9玻璃上制备SiO2/TiO2系列多层膜。采用椭偏仪、透射电镜等对所制得的多层膜的性能进行了研究。结果表明实验条件对SiO2/TiO2多层膜的制备非常重要。通过对实验条件的改善与优化,可以镀制出性能优良的SiO2/TiO2多层膜,以用于微型谐振腔、滤光片、一维光子晶体和传统的光学高反膜的研究。 展开更多
关键词 sio2/TiO2多层膜 制备工艺 溶胶-凝胶法 旋涂方法 光学高反膜 薄膜性能
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干涉法测量SiO_2层厚度
16
作者 王林 《信阳师范学院学报（自然科学版）》 CAS 1990年第1期44-46,共3页
本文从干涉原理出发,介绍干涉现象在半导体工艺上的应用。
关键词 sio2层 干涉法 半导体工艺 测量
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退火温度对Ta2O5/SiO2多层反射膜结构和应力特性的影响 被引量：8
17
作者 刘保剑 段微波 +4 位作者 李大琪 余德明 陈刚 王天洪 刘定权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期172-178,共7页
介质膜反射镜是星载激光测高仪系统中不可缺少的薄膜元件,其面形质量直接影响探测系统测距的分辨率和精度.本文采用离子束辅助电子束蒸发工艺在石英基底上沉积Ta2O5/SiO2多层反射膜,并在200—600℃的空气中做退火处理.通过X射线衍射、... 介质膜反射镜是星载激光测高仪系统中不可缺少的薄膜元件,其面形质量直接影响探测系统测距的分辨率和精度.本文采用离子束辅助电子束蒸发工艺在石英基底上沉积Ta2O5/SiO2多层反射膜,并在200—600℃的空气中做退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计及激光干涉仪等测试手段,系统研究了退火温度对Ta2O5/SiO2多层反射膜结构、光学性能以及应力特性的影响.结果表明:Ta2O5/SiO2多层反射膜退火后,膜层结构保持稳定,膜层表面粗糙度得到有效改善;反射膜在500—600℃退火后,残余应力由压应力向张应力转变;采用合适的退火温度可以有效释放Ta2O5/SiO2薄膜的残余应力,使薄膜与基底构成的介质膜反射镜具有较好的面形精度.本文的实验结果对退火工艺在介质膜反射镜面形控制技术方面的应用具有重要意义. 展开更多
关键词 光学薄膜 Ta2O5/sio2多层反射膜 退火 应力特性
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溶胶-凝胶法制备SiO_2/TiO_2多层膜的研究
18
作者 朱永安 陈碧芳 《嘉兴学院学报》 2012年第3期70-74,共5页
通过对溶胶、热处理温度以及溶胶-凝胶过程中反应和存放的环境温度及湿度等参数的调整,研究了在实验室条件下制备SiO2/TiO2多层膜的方法.已制备出折射率可调的溶胶,所镀制的SiO2薄膜折射率在1.18～1.41之间可调,TiO2薄膜折射率在1.80～2... 通过对溶胶、热处理温度以及溶胶-凝胶过程中反应和存放的环境温度及湿度等参数的调整,研究了在实验室条件下制备SiO2/TiO2多层膜的方法.已制备出折射率可调的溶胶,所镀制的SiO2薄膜折射率在1.18～1.41之间可调,TiO2薄膜折射率在1.80～2.20之间可调.采用椭偏仪、红外分光光度计、紫外-可见分光光度计等对所制得的多层膜的性能进行了研究,结果表明,实验条件对SiO2/TiO2多层膜的制备非常重要. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 sio2/TiO2多层膜 制备
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AlN/SiO_2纳米多层膜的超硬效应与高温抗氧化性 被引量：3
19
作者 吴莹 赵文济 +2 位作者 孔明 黄碧龙 李戈扬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期562-566,共5页
采用反应磁控溅射法制备了一系列不同SiO_2层厚的AlN/SiO_2纳米多层膜,利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、扫描电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能,研究了多层膜微结构与力学性能随SiO_2层厚的变化,考察了AlN/... 采用反应磁控溅射法制备了一系列不同SiO_2层厚的AlN/SiO_2纳米多层膜,利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、扫描电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能,研究了多层膜微结构与力学性能随SiO_2层厚的变化,考察了AlN/SiO_2纳米多层膜的高温抗氧化性.结果表明,受AlN层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的SiO_2层在厚度<0.6nm时被强制晶化为与AlN相同的六方结构赝晶体,并与AlN形成共格外延生长结构,多层膜相应产生硬度升高的超硬效应.SiO_2随自身层厚的进一步增加又转变为以非晶态生长,致使多层膜的外延生长结构受到破坏,其硬度也随之降低.高温退火研究表明,高硬度的AlN/SiO_2纳米多层膜的抗氧化温度为800℃,与AlN单层膜相当.SiO_2层的加入尽管能使多层膜获得较高硬度,但是并不能提高其抗氧化温度. 展开更多
关键词 AlN/sio2纳米多层膜 外延生长 超硬效应 抗氧化性
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超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)
20
作者 钟兴华 徐秋霞 《电子器件》 CAS 2007年第2期361-364,共4页
实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进... 实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构. 展开更多
关键词 击穿 Si3N4/sio2(N/O)叠层 可靠性 应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性
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