期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

淀积SiO2层后hFH值的增大现象

在线阅读 下载PDF
导出
作者 雍成文
出处 《半导体杂志》 1989年第2期55-55,共1页
关键词 SiO2层 hFH值 超高频 晶体管 淀积
分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
半导体杂志
1989年 第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部