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SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 被引量:4
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作者 徐静平 吴海平 +1 位作者 黎沛涛 韩弼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期200-205,共6页
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁... 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 . 展开更多
关键词 sic n—M0sFET sio2/sic界面 迁移率
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SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 被引量:2
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作者 王德君 赵亮 +3 位作者 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期944-949,共6页
采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的... 采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的可靠性.结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面,同时存在着Si^,Si^2+,Si^3+ 3种低值氧化物,变角分析表明,一个分层模型适合于描述该过+渡区的成分分布.建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度.结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压(C-V)测试分析,揭示了过渡区成分与界面态的直接关系. 展开更多
关键词 sio2/sic界面 4H—sic ADXPS 界面态 缺陷
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SiO_2/SiC界面过渡区结构研究 被引量:1
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作者 朱巧智 王德君 +1 位作者 赵亮 李秀圣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期259-261,共3页
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1~1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界... 采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1~1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。 展开更多
关键词 sio2/sic界面 4H-sic 变角X射线光电子能谱 缺陷
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用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成 被引量:4
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作者 赵亮 王德君 +2 位作者 马继开 陈素华 王海波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期121-125,共5页
利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较... 利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较多,除Si^+成分外,还存在Si^2+和Si^3+两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜
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SiO_2-SiC基复合材料吸波性能的研究 被引量:2
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作者 关莉 范冰冰 +4 位作者 李凯 刘琛 张艳红 王海龙 张锐 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期514-517,共4页
首先利用溶胶-凝胶法制备SiO2-SiC复合粉体,采用SEM、XRD、DSC-TG等技术对复合粉体进行表征。结果表明,溶胶-凝胶法能够制备具有核-壳结构SiO2-SiC复合粉体。再将SiO2-SiC复合粉体与BaTiO3、Fe3O4以及环氧树脂以不同比例进行混合固化制... 首先利用溶胶-凝胶法制备SiO2-SiC复合粉体,采用SEM、XRD、DSC-TG等技术对复合粉体进行表征。结果表明,溶胶-凝胶法能够制备具有核-壳结构SiO2-SiC复合粉体。再将SiO2-SiC复合粉体与BaTiO3、Fe3O4以及环氧树脂以不同比例进行混合固化制得吸波材料样品,采用矢量网络分析仪测量样品的反射率。结果表明,SiO2-SiC复合粉体具有一定的吸波效果,20%含量的SiO2-SiC复合粉体样品在18GHz时反射率达–2.07dB,BaTiO3、Fe3O4的加入实现复合吸波效果,当SiO2-SiC:BaTiO3:Fe3O4=6:2:2(体积分数,下同)时,在5.75GHz时反射率达到–13.97dB,合格带宽为10.08GHz。 展开更多
关键词 吸波材料 复合吸波 sio2-sic 反射率
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炭纤维表面SiC/SiO_2抗氧化涂层的溶胶凝胶法制备 被引量:10
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作者 夏克东 吕春祥 杨禹 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期208-214,共7页
采用溶胶凝胶法,并经高温热处理在炭纤维表面制备SiC/SiO2陶瓷涂层。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射、扫描电镜等分析SiC/SiO2涂层的结构与形貌。通过热重分析研究炭纤维涂层前后的抗氧化性能。结果表明,均匀、无裂纹的SiC/SiO2涂层... 采用溶胶凝胶法,并经高温热处理在炭纤维表面制备SiC/SiO2陶瓷涂层。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射、扫描电镜等分析SiC/SiO2涂层的结构与形貌。通过热重分析研究炭纤维涂层前后的抗氧化性能。结果表明,均匀、无裂纹的SiC/SiO2涂层可改善炭纤维的抗氧化性能,而且涂层炭纤维的抗氧化性能随着溶胶浓度和热处理温度的升高而增加。与原始炭纤维相比,具有300nm涂层厚度的炭纤维起始氧化温度提高了200℃。但是当涂层超过一定厚度时,涂层开裂脱落,炭纤维的抗氧化性能降低。SiC/SiO2涂层炭纤维的拉伸强度与原始纤维相比降低了37.7%,在700℃等温氧化90 min,涂层纤维的拉伸强度为1.37GPa,仍保留一定的强度。 展开更多
关键词 溶胶凝胶 炭纤维 抗氧化 sic sio2涂层
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纳米SiO_2包覆SiC填充改性UHMWPE的热性能 被引量:3
7
作者 黄安民 苏荣锦 刘燕青 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期48-52,共5页
采用纳米粒子表面包覆处理技术制备了纳米碳化硅/超高摩尔质量聚乙烯(SiC/UHMWPE)复合材料,并用傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重分析(TG)和差示扫描量热(DSC)进行了测试表征。结果表明:纳米SiC经包覆处理后... 采用纳米粒子表面包覆处理技术制备了纳米碳化硅/超高摩尔质量聚乙烯(SiC/UHMWPE)复合材料,并用傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重分析(TG)和差示扫描量热(DSC)进行了测试表征。结果表明:纳米SiC经包覆处理后表面有一层均匀致密的SiO2,包覆处理能改善SiC在UHMWPE基体中的分散效果。当SiC质量分数为5%时,UHMWPE/SiC复合材料具有较高的耐热性能和热导率,这是由于纳米粒子包覆改性纳米SiC与UHMWPE基体均匀分散并形成良好的结合界面,增加了填料对UHMWPE的成核作用,提高其结晶度和耐热性能。 展开更多
关键词 纳米包覆 纳米二氧化硅 纳米碳化硅 超高摩尔质量聚乙烯 热性能
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SiC/SiO_2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的制备及应用 被引量:2
8
作者 孙维民 金浩宇 +2 位作者 赵兴凯 史桂梅 郑卓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期22151-22154,共4页
采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量... 采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量分析等手段研究了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的相结构、形貌、粒度、表面组成和氧化特性。用粘度计和VSM研究了制备的磁性润滑油的粘度和饱和磁化强度。 展开更多
关键词 sic/sio2 纳米粒子 核/壳结构 磁性润滑油
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高温气冷堆燃料元件基体石墨的SiC/SiO2抗氧化涂层研究 被引量:3
9
作者 周家斌 付志强 +4 位作者 王成彪 吕建国 唐春和 梁彤祥 赵宏生 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期27-30,共4页
提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义。通过热力学分析确认了SiC/SiO2复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性。结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温... 提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义。通过热力学分析确认了SiC/SiO2复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性。结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温气冷堆燃料元件基体石墨表面制备出SiC/SiO2复合涂层;对涂覆SiC/SiO2复合涂层的高温气冷堆燃料元件基体石墨在各种氧化条件下的氧化行为进行了分析。结果表明在高温气冷堆用石墨可能遇到的多种氧化条件下,SiC/SiO2复合涂层均能够保持长期稳定并显著改善基体石墨的抗氧化性能。 展开更多
关键词 高温气冷堆 石墨 sic/sio2复合涂层 抗氧化性能
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SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究 被引量:1
10
作者 朱巧智 王德君 赵亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期339-342,共4页
高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技... 高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。 展开更多
关键词 4H碳化硅 金属氧化物半导体 二氧化硅/碳化硅界面 变角X射线光电子能谱 湿氧二次氧化
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化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析 被引量:1
11
作者 付志强 周家斌 +4 位作者 王成彪 唐春和 梁彤祥 赵宏生 ROBIN Jean-charles 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期68-71,共4页
SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系,但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明:载... SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系,但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明:载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要;合适的沉积温度为1100-1200℃;最佳反应物浓度为:SiCl4摩尔分数为1%-2%,沉积SiC涂层时CH4与SiCl4的摩尔比为1,沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4摩尔比为2,通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。 展开更多
关键词 sic/sio2复合涂层 化学气相沉积 热力学分析
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SiC_f/SiO_2复合材料的制备及界面层对其力学性能的影响 被引量:2
12
作者 张标 周万城 +3 位作者 于威 罗发 丁冬海 朱冬梅 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1041-1044,1063,共5页
以碳化硅(SiC)纤维为增强体,采用真空浸渍法制备了2.5维连续SiC纤维增韧的SiO2基(SiCf/SiO2)复合材料,研究了SiC纤维编织体上不同的界面层对SiCf/SiO2复合材料力学性能的影响.化学气相渗透(CVI)法制备的热解碳(PyC)和PyC/SiC双层界面层... 以碳化硅(SiC)纤维为增强体,采用真空浸渍法制备了2.5维连续SiC纤维增韧的SiO2基(SiCf/SiO2)复合材料,研究了SiC纤维编织体上不同的界面层对SiCf/SiO2复合材料力学性能的影响.化学气相渗透(CVI)法制备的热解碳(PyC)和PyC/SiC双层界面层分别使材料的抗弯强度由无界面层的52.2 MPa提高至67.4 MPa和180.3 MPa,但均使材料的韧性降低.用扫描电镜观察了材料的断口形貌,结果表明,PyC和PyC/SiC层不仅提高了材料的抗弯强度,而且增加了基体同纤维间的结合力,使基体有效地将载荷传递给纤维.PyC/SiC层能有效地保护SiC纤维,防止烧结过程中释放出的结晶水对纤维的损伤,有助于提高材料的力学性能. 展开更多
关键词 sic纤维 硅溶胶 真空浸渍 力学性能 界面层 功能材料
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纳米SiC和SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6的力学性能及摩擦磨损性能 被引量:5
13
作者 张静 何春霞 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期937-939,共3页
采用注塑成型法制备纳米SiC和SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6尼龙复合材料,对PA6复合材料的力学性能和摩擦学性能进行了实验研究,采用扫描电子显微镜观察分析磨损表面形貌。结果表明:纳米SiC或SiO2与玻璃纤维混杂填料能使PA6尼龙复合材料的... 采用注塑成型法制备纳米SiC和SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6尼龙复合材料,对PA6复合材料的力学性能和摩擦学性能进行了实验研究,采用扫描电子显微镜观察分析磨损表面形貌。结果表明:纳米SiC或SiO2与玻璃纤维混杂填料能使PA6尼龙复合材料的拉伸强度和表面硬度增大。纳米SiO2与玻璃纤维混杂填料能使复合材料耐磨损性提高,以5%SiO2与玻璃纤维混杂填充耐磨性最佳;而纳米SiC与玻璃纤维混杂填料导致复合材料的磨损量增大,纳米SiC或SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6复合材料的摩擦系数都低于尼龙材料。 展开更多
关键词 PA6 纳米sic纳米sio2 力学性能 摩擦学性能
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Al_2O_3-SiC-SiO_2-C自流浇注料流变行为的研究 被引量:1
14
作者 王战民 李少飞 +2 位作者 周丽红 曹喜营 李再耕 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期166-169,共4页
利用新开发的全组分浇注料流变仪,采用循环剪切、双重循环剪切和恒定剪切等方式,从滞后圈面积、时间触变系数和拆散触变系数等三个方面,研究了典型高炉出铁沟用Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料的触变性、剪切稀化等流变行为和流变特性。... 利用新开发的全组分浇注料流变仪,采用循环剪切、双重循环剪切和恒定剪切等方式,从滞后圈面积、时间触变系数和拆散触变系数等三个方面,研究了典型高炉出铁沟用Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料的触变性、剪切稀化等流变行为和流变特性。结果表明:新开发的全组分浇注料流变仪可以较好地表征浇注料的流变行为和流变特性;Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料循环剪切时上行线和下行线呈顺时针方向,表现为正触变性,下行线具有近Bingham的流体特征,为有一定屈服值的假塑性体,屈服应力指数τy为0.29,n=0.2884,k=0.2137;浇注料的时间触变系数B为0.0022,拆散触变系数M为0.061;浇注料在恒定剪切速度的作用下具有明显的剪切稀化现象。 展开更多
关键词 流变性能 触变性 Al2O3-sic-sio2-C质自流浇注料 全组分浇注料流变仪
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核壳结构SiC/SiO_2 纳米线的低温合成与表征 被引量:1
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作者 赵春荣 杨娟玉 +1 位作者 丁海洋 卢世刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期971-976,共6页
以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(... 以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明;SiC/SiO2纳米线长可达数毫米,单根SiC/SiO2纳米线由直径30 nm的β-SiC晶体为内核和厚度约12 nm的无定形SiO2壳层组成;室温下SiC/SiO2纳米线的PL发光峰与β-SiC单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后,讨论了核壳结构SiC/SiO2纳米线的生成机制。 展开更多
关键词 sic sio2核壳结构纳米线 碳热还原 酚醛树脂 光致发光
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SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响 被引量:1
16
作者 刘莉 杨银堂 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期392-396,共5页
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量... 为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO_2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化. 展开更多
关键词 sic/sio2界面粗糙度 界面态密度 场效应迁移率
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热处理在金刚石表面热蒸镀覆SiO_2/SiC晶体复合涂层
17
作者 梁宝岩 张旺玺 +4 位作者 王艳芝 徐世帅 闫帅帅 王俊和 穆云超 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期180-184,共5页
采用高温热蒸镀方法处理在金刚石表面镀覆上了SiO_2/SiC晶粒复合涂层,同时研究了热处理温度和Al助剂对金刚石表面形成SiO_2/SiC晶粒复合涂层的影响。研究结果表明,在较低温度(1400℃),金刚石表面形成许多SiC和SiO_2和SiC颗粒。当温度升... 采用高温热蒸镀方法处理在金刚石表面镀覆上了SiO_2/SiC晶粒复合涂层,同时研究了热处理温度和Al助剂对金刚石表面形成SiO_2/SiC晶粒复合涂层的影响。研究结果表明,在较低温度(1400℃),金刚石表面形成许多SiC和SiO_2和SiC颗粒。当温度升高到1450℃时,金刚石表面镀覆了良好的SiO_2/SiC复合涂层,形成了许多SiO_2和SiC颗粒、微米棒与晶须。Si粉中添加适量的Al(5 mass%)就会促进Si的蒸发,在1400℃时金刚石表面就会形成大量的SiO_2和SiC颗粒、微米棒与晶须。 展开更多
关键词 热镀覆处理 金刚石 二氧化硅/碳化硅复合涂层晶体
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碳复合材料的Si-SiO_2-SiC抗氧化涂层研究
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作者 王志发 赵斌 +2 位作者 李如椿 贾翠 卜景龙 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2006年第1期37-40,共4页
以石墨、白刚玉、矾土熟料、α-Al2O3为主要原料制备了碳复合材料的基体试样,将基体试样置于密闭的匣钵中并用Si颗粒包埋,经1600℃1h烧成。研究发现在高温及缺氧气氛条件下,埋Si基体试样烧后,在基体的表面反应形成了Si-SiO2-SiC涂层,反... 以石墨、白刚玉、矾土熟料、α-Al2O3为主要原料制备了碳复合材料的基体试样,将基体试样置于密闭的匣钵中并用Si颗粒包埋,经1600℃1h烧成。研究发现在高温及缺氧气氛条件下,埋Si基体试样烧后,在基体的表面反应形成了Si-SiO2-SiC涂层,反应过程的体积膨胀效应增加了表面涂层的密实度。在常压、空气中,烧后试样于1300℃分别进行0.4h和5h的氧化试验,结果表明随氧化时间的延长,试样表面的Si不断氧化,形成了连续、密实的SiO2薄膜,堵塞气体侵入的通道,赋予试样优良的抗氧化性能。在涂层与基体的结合部位为富含SiC的过渡连接层,在涂层的外表面为SiO2的表面涂层,涂层为具有良好抗热震性能的功能梯度涂层。 展开更多
关键词 碳复合材料 抗氧化性 Si—sio2-sic涂层
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SiC/SiO_2复合材料的制备及介电性能研究
19
作者 刘海涛 郑治祥 +3 位作者 王苏敏 祖立成 吕珺 徐光青 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期38-41,86,共5页
文章采用介电常数低的纳米SiO2粉体与SiC微粉通过机械球磨的方式进行混合,制得SiO2包覆SiC的复合粉体,经干压成型,在流动的高纯氩气保护下,常压烧结出结构均匀、介电性能良好的SiC/SiO2复合材料。通过EDS、XRD、SEM等手段进行表征,分析... 文章采用介电常数低的纳米SiO2粉体与SiC微粉通过机械球磨的方式进行混合,制得SiO2包覆SiC的复合粉体,经干压成型,在流动的高纯氩气保护下,常压烧结出结构均匀、介电性能良好的SiC/SiO2复合材料。通过EDS、XRD、SEM等手段进行表征,分析了原料配比、烧结温度、密度及显微结构等对材料介电性能的影响。结果表明:烧结温度低于1 000℃时,随着温度升高,材料的烧结密度降低,介电常数降低;温度高于1 000℃时,材料的密度和介电常数随温度升高而增加,介电损耗则随温度升高一直呈递减趋势;当烧结温度为1 100℃时,SiC与SiO2质量比为2∶1的试样获得了烧结密度为1.77g/cm3、介电常数为5.40和介电损耗为0.055的较好性能。 展开更多
关键词 复合材料 sic SI02 包覆 介电常数 介电损耗
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Oxidation behavior of C/C composites with SiC/ZrSiO_4-SiO_2 coating 被引量:4
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作者 李杨 肖鹏 +2 位作者 李专 罗威 周伟 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期397-405,共9页
A SiC/ZrSiO4?SiO2 (SZS) coating was successfully fabricated on the carbon/carbon (C/C) composites by pack cementation, slurry painting and sintering to improve the anti-oxidation property and thermal shock r... A SiC/ZrSiO4?SiO2 (SZS) coating was successfully fabricated on the carbon/carbon (C/C) composites by pack cementation, slurry painting and sintering to improve the anti-oxidation property and thermal shock resistance. The anti-oxidation properties under different oxygen partial pressures (OPP) and thermal shock resistance of the SZS coating were investigated. The results show that the SZS coated sample under low OPP, corresponding to the ambient air, during isothermal oxidation was 0.54% in mass gain after 111 h oxidation at 1500 ° C and less than 0.03% in mass loss after 50 h oxidation in high OPP, corresponding to the air flow rate of 36 L/h. Additionally, the residual compressive strengths (RCS) of the SZS coated samples after oxidation for 50 h in high OPP and 80 h in low OPP remain about 70% and 72.5% of those of original C/C samples, respectively. Moreover, the mass loss of SZS coated samples subjected to the thermal cycle from 1500 ° C in high OPP to boiling water for 30 times was merely 1.61%. 展开更多
关键词 C/C composite sic/Zrsio4-sio2 coating oxygen partial pressure ANTI-OXIDATION thermal shock residual compressive strength
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