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SiH3+O(^3P)反应机理的理论研究 被引量:2
1
作者 杨颙 张为俊 +5 位作者 高晓明 裴世鑫 邵杰 黄伟 屈军 刘安玲 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期740-744,共5页
利用abinitio方法对SiH3+O(3P)反应进行了理论研究,在MP2/6-311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,并在QCISD(T)/6-311+G(d,p)水平上进行单点能计算.计算结果表明,SiH3+O(3P)→IM1→TS3→IM2... 利用abinitio方法对SiH3+O(3P)反应进行了理论研究,在MP2/6-311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,并在QCISD(T)/6-311+G(d,p)水平上进行单点能计算.计算结果表明,SiH3+O(3P)→IM1→TS3→IM2→TS8→HOSi+H2为主反应通道,其他可能存在的次要产物有HSiOH+H、H2SiO+H和HSiO+H2.HOSi、HSiO和HSiOH(cis)还可能进一步解离生成SiO.另外,计算结果对SiH4+O(3P)反应机理中存在的争议给出了可能的解释,认为Withnall等人在实验中观察到的产物HSiOH、H2SiO和SiO并不是SiH4+O(3P)反应的直接产物,而是来自副反应SiH3+O(3P). 展开更多
关键词 从头计算法 sih3 O(^3P) 过渡态
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SiH_3与NO_2反应机理的理论研究 被引量:3
2
作者 戴国梁 王永成 +2 位作者 耿志远 吕玲玲 王冬梅 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第4期522-526,共5页
采用密度泛函B3LYP/6311G和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6311G方法计算研究了SiH3与NO2的反应机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证.研究结果表明,SiH3与NO2是一多... 采用密度泛函B3LYP/6311G和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6311G方法计算研究了SiH3与NO2的反应机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证.研究结果表明,SiH3与NO2是一多通道多步骤的反应,经过缔合,氢转移和离解等复杂过程,最终得到5种产物. 展开更多
关键词 反应机理 sih3 NO2 密度泛函
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SiH_3+O_2(~3Σg)反应路径的理论研究
3
作者 戴国梁 吕玲玲 +2 位作者 王冬梅 王永成 耿志远 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2005年第5期43-46,共4页
采用密度泛函B3LYP/6-311G**和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G**方法计算并研究了SiH3与O2(3Σg)反应的机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,并用频率分析方法和内禀反应坐标(IRC)进行了计算,对过渡态进行了验证.结果表明... 采用密度泛函B3LYP/6-311G**和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G**方法计算并研究了SiH3与O2(3Σg)反应的机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,并用频率分析方法和内禀反应坐标(IRC)进行了计算,对过渡态进行了验证.结果表明:SiH3+O2(3Σg)反应可经多条路径和多个步骤,经缔合、氢转移和离解得到SiH3O2,SiH2O2+H,SiH2O+OH,SiH3O+O,SiHO2+H2等产物. 展开更多
关键词 反应机理 sih3 氧气 密度泛函
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用变分过渡态理论研究CH_3SiH_3+H→CH_3SiH_2+H_2反应动力学
4
作者 张庆竹 刘传朴 +2 位作者 王少坤 谢新记 顾月姝 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2000年第1期20-24,共5页
用变分过渡态理论对CH3SiH3与H的抽提反应进行了理论研究;利用从头算计算了反应体系的构型、振动频率和能量等信息;计算了温度在298—1700K内反应的速率常数和穿透系数。结果表明,在室温下,变分对于此反应影响较大... 用变分过渡态理论对CH3SiH3与H的抽提反应进行了理论研究;利用从头算计算了反应体系的构型、振动频率和能量等信息;计算了温度在298—1700K内反应的速率常数和穿透系数。结果表明,在室温下,变分对于此反应影响较大,隧道效应特别明显,计算得到的速率常数和实验值符合得很好。 展开更多
关键词 变分过渡态 速率常数 CH3sih3 H 抽提反应动力学
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薄膜太阳电池系列讲座(12) 硅基薄膜太阳电池(四) 被引量:1
5
作者 张晓丹 赵颖 熊绍珍 《太阳能》 2012年第9期9-12,共4页
图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图。 此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前,表面将被H覆盖。首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞,(1)电子将自己的动能给予SiH4,使其分解成SiH3和H原子;(2)SiH3附着于... 图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图。 此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前,表面将被H覆盖。首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞,(1)电子将自己的动能给予SiH4,使其分解成SiH3和H原子;(2)SiH3附着于衬底表面; 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 硅基 sih3 衬底表面 SIH4 等离子 薄膜沉积 示意图
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SiH_3自由基与NO反应机理的理论研究
6
作者 郑天龙 黎安勇 +1 位作者 王素纹 苗树青 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期32-37,共6页
采用密度泛函B3LYP/6-311G++(d,p)和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G++(d,p)方法研究了SiH3与NO在单重态势能面上的反应机理,全参数优化了反应势能面上的各驻点的几何构型,用内禀反应坐标(IRC)对过渡态进行了验证.找到以下反应路径R→... 采用密度泛函B3LYP/6-311G++(d,p)和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G++(d,p)方法研究了SiH3与NO在单重态势能面上的反应机理,全参数优化了反应势能面上的各驻点的几何构型,用内禀反应坐标(IRC)对过渡态进行了验证.找到以下反应路径R→IM01→TS01→P1(HSiNO+H2);R→IM01→TS02→IM02→TS03→IM04→TS06→P2(HSiN+H2O),产物P2经过1-2位氢迁移转化为最稳定的产物P3(HNSi+H2O);R→IM01→TS11→IM06→TS16→IM10→TS17→P4(HSiON+H2);R→IM01→TS11→IM06→TS18→P5(H2SiONH);R→IM01→TS11→IM06→TS19→P6(HSiONH2)等. 展开更多
关键词 反应机理 sih3自由基 NO 密度泛函理论
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SiH_3与C_6H_6反应机理的理论研究
7
作者 张兴辉 张德成 张伏龙 《甘肃联合大学学报(自然科学版)》 2009年第4期50-52,共3页
摘要:采用密度泛函理论(DFT)对SiH3自由基与C6H6反应机理进行了研究,在B3LYP/6-311G**水平上全参数优化了反应势能面上各驻点(反应物,中间体,过渡态和产物)的几何构型,通过内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证.研... 摘要:采用密度泛函理论(DFT)对SiH3自由基与C6H6反应机理进行了研究,在B3LYP/6-311G**水平上全参数优化了反应势能面上各驻点(反应物,中间体,过渡态和产物)的几何构型,通过内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证.研究结果表明,SiH3与C6H6可以通过两种不同反应通道形成不同产物. 展开更多
关键词 sih3 自由基 C6H6 反应机理 密度泛函
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SiH_3自由基与HNCO反应机理的理论研究
8
作者 张兴辉 张伏龙 《甘肃联合大学学报(自然科学版)》 2010年第1期67-69,82,共4页
采用量子化学UMP2方法,在6-311G**基组水平上对自由基SiH3与HNCO的反应机理进行了研究,全参数优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物,通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)确定了中间体和过渡态.计算结果表明SiH3自由基与HNCO的... 采用量子化学UMP2方法,在6-311G**基组水平上对自由基SiH3与HNCO的反应机理进行了研究,全参数优化了反应过程中的反应物、中间体、过渡态和产物,通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)确定了中间体和过渡态.计算结果表明SiH3自由基与HNCO的反应有三条可能的反应通道,其中反应通道SiH3+HN-CO→IM2或IM3→TS2→P2(SiH3NH+CO)反应势垒最低,为主反应通道. 展开更多
关键词 异氰酸 sih3自由基 反应机理
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SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析 被引量:1
9
作者 谭刚 吴嘉丽 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期34-37,共4页
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si... 以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。 展开更多
关键词 SiH2CL2-NH3-N2体系 LPCVD 氮化硅薄膜 淀积速率
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SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响 被引量:2
10
作者 梁吉连 刘平 +4 位作者 卢玉荣 张剑锋 王仕鹏 黄海燕 陆川 《太阳能》 2016年第4期39-41,19,共4页
利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率<2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率>2... 利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率<2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率>2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiN_x膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH_3/SiH_4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减<5%。 展开更多
关键词 SINX 减反射层 NH3/SiH4流量比 PID现象
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Synthesis of tetrahydroisoquinolines through TiCl4-mediated cyclization and Et3SiH reduction 被引量:1
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作者 Zeyu Shi Qiong Xiao Dali Yin 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第3期729-732,共4页
A versatile and efficient telescoped reaction sequence for the synthesis of tetrahydroisoquinolines(THIQs)is reported that uses TiCl4 to promote cyclization of a benzylaminoacetal derivative and Et3SiH for reduction o... A versatile and efficient telescoped reaction sequence for the synthesis of tetrahydroisoquinolines(THIQs)is reported that uses TiCl4 to promote cyclization of a benzylaminoacetal derivative and Et3SiH for reduction of the intermediate 4-hydroxy-THIQ.This method is complimentary to the classical Pomeranz-Fritsch and related reactions since it tolerates electron-withdrawing substituents and allows access to 8-substituted THIQs. 展开更多
关键词 TETRAHYDROISOQUINOLINE TICL4 CYCLIZATION Et3SiH Telescoped REACTION
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TBAF-catalyzed cyclization of 6-hydroxyhex-2-ynoates and 7-hydroxyhept-2-ynoates
12
作者 Xiao Qing Wang Ping Jing Jia Su Ping Liu Wei Yu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2011年第8期931-934,共4页
Tetrabutyl ammonium fluoride(TBAF) was found to be capable of catalyzing the intramolecular hydroalkoxylation of 6- hydroxyhex-2-ynoates and 7-hydroxyhept-2-ynoates.The reaction could be used to prepare 2,5-substitu... Tetrabutyl ammonium fluoride(TBAF) was found to be capable of catalyzing the intramolecular hydroalkoxylation of 6- hydroxyhex-2-ynoates and 7-hydroxyhept-2-ynoates.The reaction could be used to prepare 2,5-substituted THF rings and 2,6- substituted THP rings. 展开更多
关键词 Tetrabutyl ammonium fluoride Et_3SiH TETRAHYDROFURAN TETRAHYDROPYRAN
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The effects of process conditions on the plasma characteristic in radio-frequency capacitively coupled SiH_4/NH_3/N_2 plasmas: Two-dimensional simulations
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作者 刘相梅 宋远红 +1 位作者 姜巍 易林 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第4期338-343,共6页
A two-dimensional (2D) fluid model is presented to study the behavior of silicon plasma mixed with SiH4 , N2 , and NH3 in a radio-frequency capacitively coupled plasma (CCP) reactor. The plasma–wall interaction ... A two-dimensional (2D) fluid model is presented to study the behavior of silicon plasma mixed with SiH4 , N2 , and NH3 in a radio-frequency capacitively coupled plasma (CCP) reactor. The plasma–wall interaction (including the deposition) is modeled by using surface reaction coefficients. In the present paper we try to identify, by numerical simulations, the effect of variations of the process parameters on the plasma properties. It is found from our simulations that by increasing the gas pressure and the discharge gap, the electron density profile shape changes continuously from an edge-high to a center-high, thus the thin films become more uniform. Moreover, as the N2 /NH3 ratio increases from 6/13 to 10/9, the hydrogen content can be significantly decreased, without decreasing the electron density significantly. 展开更多
关键词 capacitively coupled plasma process conditions effects SiH4/NH3/N2 discharges
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催化聚合十八烷基硅烷合成聚硅氧烷的研究进展 被引量:1
14
作者 王伟 杨晓云 +4 位作者 李琼华 石文 王尧 张金平 王家强 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期802-806,共5页
目前有关利用不同催化体系将长链烷基硅烷催化聚合成聚硅氧烷的报道较少,因此研究开发新型催化剂催化聚合烷基硅烷合成有机硅聚合物材料就成为当前研究的重要课题.介绍了目前催化聚合长链烷基硅烷合成聚硅氧烷的研究进展,并简述了其催... 目前有关利用不同催化体系将长链烷基硅烷催化聚合成聚硅氧烷的报道较少,因此研究开发新型催化剂催化聚合烷基硅烷合成有机硅聚合物材料就成为当前研究的重要课题.介绍了目前催化聚合长链烷基硅烷合成聚硅氧烷的研究进展,并简述了其催化聚合方法及其原理. 展开更多
关键词 催化聚合 十八烷基硅烷(C18H37sih3 ) 聚硅氧烷 金属纳米材料 金属硫化物
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