薄膜太阳电池系列讲座(12) 硅基薄膜太阳电池(四)
被引量:1
摘要
图16为以等离子体内SiH3为生长前驱物模式的硅薄膜沉积示意图。
此模型中假设在SiH3离子落向衬底之前,表面将被H覆盖。首先SiH4在等离子体内与电子发生碰撞,(1)电子将自己的动能给予SiH4,使其分解成SiH3和H原子;(2)SiH3附着于衬底表面;
出处
《太阳能》
2012年第9期9-12,共4页
Solar Energy
同被引文献6
-
1Shigeru K, Kensaku K, Takahiko S, et al. Hybrid an-tireflection structure with moth eye and multilayer coating for organic photovoltaics[J]. Journal of Coating Technology and Research, 2015(1) :33-47.
-
2曹良丹,张旭升,杨果,帅永,谈和平.太阳能电池陷光结构辐射特性研究[J].工程热物理学报,2012,33(4):673-676. 被引量:2
-
3孙峤,吴鹏.基于磁场三维动态导磁球上的磁性液体行为研究[J].新技术新工艺,2013(1):19-21. 被引量:1
-
4于晓明,赵静,侯国付,张建军,张晓丹,赵颖.PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究[J].物理学报,2013,62(12):1-7. 被引量:4
-
5冯旭东,张伟,郑喜军.塑壳电池封装质量影响因素研究[J].新技术新工艺,2013(8):99-101. 被引量:2
-
6贾玉坤,杨仕娥,郭巧能,陈永生,郜小勇,谷锦华,卢景霄.非晶硅太阳电池宽光谱陷光结构的优化设计[J].物理学报,2013,62(24):306-311. 被引量:7
-
1张晓丹,赵颖,熊绍珍.薄膜太阳电池系列讲座(16) 硅基薄膜太阳电池(八)[J].太阳能,2012(17):20-21.
-
2戴国梁,王永成,耿志远,吕玲玲,王冬梅.SiH_3与NO_2反应机理的理论研究[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2005,18(4):522-526. 被引量:3
-
3戴国梁,吕玲玲,王冬梅,王永成,耿志远.SiH_3+O_2(~3Σg)反应路径的理论研究[J].西北师范大学学报(自然科学版),2005,41(5):43-46.
-
4刘艳红,赵景祥,刘继红,张桂玲,戴柏青.二茂铁取代物的理论研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2006,22(3):67-69. 被引量:1
-
5杨颙,张为俊,高晓明,裴世鑫,邵杰,黄伟,屈军,刘安玲.SiH3+O(^3P)反应机理的理论研究[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2005,18(5):740-744. 被引量:2
-
6王长林.二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法[J].包头职业技术学院学报,2008,9(3):7-8. 被引量:2
-
7Zang Hang Wang Zhiguang Wei Kongfang Sun Jianrong Yao Cunfeng Shen Tielong Ma Yizhun Yang Chengshao Pang Lilong Zhu Yabin.Raman Investigation of ZnO Films after Ion Implantation[J].近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版,2008(1):56-56.
-
8B.Olofinjana,G.O.Egharevba,M.A.Eleruja,C.Jeynes,A.V.Adedeji,O.O.Akinwunmi,B.A.Taleatu,C.U.Mordi,E.O.B.Ajayi.Synthesis and Some Properties of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Molybdenum Oxysulphide Thin Films[J].Journal of Materials Science & Technology,2010,26(6):552-557. 被引量:1
-
9田承云,曹大均,章宗穰,朱建中,张国雄.基于聚吡咯的平面型葡萄糖传感器的研究[J].分析化学,1998,26(7):854-857. 被引量:10
-
10薛刚,彭龙,张怀武.Crystal Structure and Magnetic Properties of Sm2 Fe17-Nδ Thin Films Deposited on Si (100) Substrates[J].Chinese Physics Letters,2009,26(9):251-254.