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Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成
1
作者
李国正
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期231-233,237,共4页
提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在〈１００〉ｎ＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊形波导电光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．
关键词
集成光学
调制器
探测器
异质结
锗
硅
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职称材料
题名
Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成
1
作者
李国正
机构
西安交通大学
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期231-233,237,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在〈１００〉ｎ＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊形波导电光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．
关键词
集成光学
调制器
探测器
异质结
锗
硅
Keywords
semiconductor devices
,
integrated optics
,
modulator
,
detector
,
ge/si heterojunction
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成
李国正
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
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