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SOI光电子集成 被引量：4
1
作者 余金中 严清峰 +2 位作者 夏金松 王小龙 王启明 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期1-7,共7页
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无... SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。 展开更多
关键词 soi 光电子集成电路 光波导 soi光波导开关 阵列波导光栅 soi基光探测器
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一种基于SOI工艺的抗辐照电源管理芯片
2
作者 刘岩 肖忠侠 +3 位作者 庞佑兵 刘登学 杨帆 杨超 《微电子学》 北大核心 2025年第4期585-591,共7页
DC/DC变换器为计算机系统、通信系统、遥测遥控系统等提供稳定的电压以及电流,其中电源管理芯片是电源系统的核心控制单元。太空中各种电磁辐射带来的辐照效应给电子装备的性能指标、可靠性、使用寿命带来了巨大挑战。随着深空探索、商... DC/DC变换器为计算机系统、通信系统、遥测遥控系统等提供稳定的电压以及电流,其中电源管理芯片是电源系统的核心控制单元。太空中各种电磁辐射带来的辐照效应给电子装备的性能指标、可靠性、使用寿命带来了巨大挑战。随着深空探索、商业航天等行业的日益发展,对电源芯片抗辐照性能的需求越来越强烈。提出的PWM控制器基于双多晶自对准SOI互补双极工艺,电路采用抗辐照设计,实现了良好的抗辐照性能。具体而言,该芯片抗总剂量大于1000 Gy(Si),抗中子注量能力大于2×10^(13)n/cm^(2)。该款芯片已应用于多个项目,对于提高电源系统的抗辐照能力发挥了重要作用。 展开更多
关键词 抗辐照 电源芯片 soi工艺 PWM控制器
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SOI CMOS器件及其应用 被引量：1
3
作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2005年第4期52-54,共3页
介绍SOI技术及其形成方法。介绍SOICMOS器件的优点、全耗尽(FD)SOICMOS器件的特点及其应用。
关键词 soi技术 soi CMOS器件 薄膜soi CMOS器件 应用
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基于SOI-MEMS工艺的新型电容式三轴MEMS加速度计
4
作者 钟恺韬 韩国威 +1 位作者 赵永梅 宁瑾 《微纳电子技术》 2025年第10期85-94,共10页
设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电... 设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电容灵敏度等进行仿真。仿真结果表明,该加速度计可实现三轴检测且具有较高的灵敏度。所设计的梁结构可有效隔绝77%的位移扰动,驱动结构可实现自检测功能,限位防撞装置可确保器件安全工作。使用Bosch刻蚀工艺及气相氢氟酸(VHF)工艺完成基于绝缘体上硅(SOI)样片的器件制作。最后,对制作完成的器件进行性能测试,得到加速度计的标度因数为513270LSB/g,表明加速度计具有较高的数字输出灵敏度。器件X轴、Y轴、Z轴均方根(RMS)噪声分别为0.23、0.25和0.29mg,噪声信号功率谱密度分别为26、29和33μg/√Hz,偏置不稳定性分别为10.62、11.75和12.00μg,表明该加速度计具有较低的噪声水平和较高的三轴检测精度。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS)加速度计 电容式 三轴检测 绝缘体上硅(soi)-MEMS工艺 自检测
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补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件
5
作者 李旭泓 孙与飏 +1 位作者 刘腾 张加宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期995-1000,共6页
传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(soi) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制 宽安全工作区(SOA) 载流子电荷
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重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
6
作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(soi)工艺 单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
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基于22 nm FD SOI工艺的宽电压高能效运算电路设计
7
作者 杨雅楠 裴秉玺 +3 位作者 张光达 赵夏 钟智勇 何卫锋 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第11期8-14,共7页
基于22 nm FD-SOI工艺,设计并实现了覆盖0.2~0.8 V宽电压范围的高能效运算电路芯片。从架构设计、单元库选择、低功耗逻辑综合与物理设计4个层次对能效进行了对比分析与优化。通过对不同运算架构进行实现和仿真对比,筛选出综合表现最优... 基于22 nm FD-SOI工艺,设计并实现了覆盖0.2~0.8 V宽电压范围的高能效运算电路芯片。从架构设计、单元库选择、低功耗逻辑综合与物理设计4个层次对能效进行了对比分析与优化。通过对不同运算架构进行实现和仿真对比,筛选出综合表现最优的架构设计。评估不同沟道长度和阈值电压的标准单元库,混合使用高驱动单元与低泄漏单元以平衡性能与功耗,优化后的能效降至102.64 fJ/Op,较单一类型单元设计提升了17.5%。逻辑综合阶段应用DesignWare-LP流程,通过逻辑重组与低功耗单元替换提升能效6.7%;物理设计阶段控制单元密度,进一步降低寄生电容。对优化后的芯片进行流片验证,结果表明:在0.24 V工作电压下,加法器与乘法器能效分别达1.55 fJ/Op与14.1 fJ/Op,延迟均低于100 ns,有效弥补了现有方案在宽电压适应性或能效多维优化方面的不足。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 FD-soi 架构对比 单元库选择
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高温下SOI FinFET器件总剂量效应研究
8
作者 王子豪 刘景怡 +2 位作者 袁乔枫 郝博为 安霞 《现代应用物理》 2025年第3期115-120,共6页
实验研究了高温条件下SOI(silicon-on-insulator)FinFET器件的总剂量效应,并与室温辐照结果进行了对比。实验结果表明,对于P型SOI FinFET器件,高温辐照引起的电学参数变化量小于室温辐照结果,说明高温与总剂量效应对器件电学特性的影响... 实验研究了高温条件下SOI(silicon-on-insulator)FinFET器件的总剂量效应,并与室温辐照结果进行了对比。实验结果表明,对于P型SOI FinFET器件,高温辐照引起的电学参数变化量小于室温辐照结果,说明高温与总剂量效应对器件电学特性的影响趋势相反;而对于N型SOI FinFET器件,高温辐照后器件电学参数的退化量明显大于室温辐照,即高温条件下总剂量辐照引起的器件特性退化更显著。进一步的分析表明,高温总剂量辐照引起的特性退化并不是高温与总剂量效应间的线性叠加,二者之间存在协同效应。而且,随着器件栅长的减小,高温辐照带来的器件电学特性变化越显著。 展开更多
关键词 soi FinFET 温度 总剂量效应 协同效应 栅长依赖性
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200 V高压SOI LDMOS器件设计与优化
9
作者 曲韩宾 赵永瑞 +4 位作者 师翔 唐晓龙 温恒娟 陈辰 周锌 《微处理机》 2025年第3期39-44,共6页
高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD... 高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD仿真软件Medici进行仿真,优化了漂移区和阱区掺杂剂量和漂移区长度,从而提高器件的击穿电压,降低比导通电阻,并获得合适的阈值电压和开态击穿电压值。经优化后厚栅氧SOI PLDMOS器件的击穿电压达到-235.7 V,比导通电阻达到19.6 mΩ·cm^(2),阈值电压为-36.7 V,开态击穿电压为-250 V;薄栅氧SOI NLDMOS器件的击穿电压达到276.7 V,比导通电阻达到11.5 mΩ·cm^(2),阈值电压为1.9 V,开态击穿电压为119 V。 展开更多
关键词 soi LDMOS 击穿电压 比导通电阻 阈值电压 开态击穿电压
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基于SOI认知理论的中学物理思维型教学探索
10
作者 王神姣 王长江 +1 位作者 黄李风 黄宇轩 《理科考试研究》 2025年第1期11-14,共4页
科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效... 科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效率,促进学生的思维能力的发展,促进核心素养真正落地. 展开更多
关键词 soi模式 思维型教学 互感 自感
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基于SOI超表面的全斯托克斯偏振探测器研究
11
作者 俞惟明 赵兴岩 《半导体光电》 北大核心 2025年第3期432-437,共6页
偏振探测作为表征光与物质相互作用的关键技术手段,近年来在生物医学成像、高精度光学测量及军事目标识别等领域展现出重要的应用前景。针对光电系统集成化与微型化的发展需求,文章提出一种基于绝缘体上硅(SOI)平台的全斯托克斯偏振探... 偏振探测作为表征光与物质相互作用的关键技术手段,近年来在生物医学成像、高精度光学测量及军事目标识别等领域展现出重要的应用前景。针对光电系统集成化与微型化的发展需求,文章提出一种基于绝缘体上硅(SOI)平台的全斯托克斯偏振探测器。该方案通过将SOI器件的500 nm器件层局部设计成超表面结构,并设计为pin型光电探测器以实现单片集成,成功解决了传统偏振探测系统体积庞大、集成度低的技术瓶颈。结果表明,所设计的探测器在780 nm工作波长下展现出优异的性能,手性超表面像素的圆二色性达到42%,线性超表面像素的消光比高达10 dB。值得注意的是,该器件实现了高精度的斯托克斯参数重构,其中S_(1),S_(2)和S_(3)参数的平均重构误差分别为0.30%,0.85%和11.17%。该研究不仅为集成化偏振探测系统的设计提供了新思路,同时也展现了超表面技术在光电集成领域的巨大应用潜力。 展开更多
关键词 全斯托克斯参数 集成光电探测器 soi超表面 偏振探测
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SOI材料和器件及其应用的新进展 被引量：8
12
作者 林成鲁 张正选 刘卫丽 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期658-663,共6页
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。
关键词 绝缘层上的硅(soi) 辐射 soi产业化
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阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析 被引量：12
13
作者 段宝兴 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1396-1400,共5页
提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表... 提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μm时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%. 展开更多
关键词 soi RESURF结构 阶梯埋氧型soi 电场调制 比导通电阻
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SOI在射频电路中的应用 被引量：2
14
作者 骆苏华 刘卫丽 +5 位作者 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期67-70,共4页
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。 展开更多
关键词 射频集成电路 高阻soi FD-soi CMOS SIMOX
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基于SOI CMOS工艺的单刀双掷射频开关电路设计
15
作者 杨震 赵鹏 刘刚 《上海电力大学学报》 2025年第3期302-308,共7页
采用0.13μm于绝缘体上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)工艺,设计了一种单刀双掷射频开关电路。该射频开关电路应用于接收发射模块,其支路为串并联拓扑结构,插入损耗较低,且隔离度高。采用负压偏置技术和晶体管堆叠技术,有效提升了开... 采用0.13μm于绝缘体上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)工艺,设计了一种单刀双掷射频开关电路。该射频开关电路应用于接收发射模块,其支路为串并联拓扑结构,插入损耗较低,且隔离度高。采用负压偏置技术和晶体管堆叠技术,有效提升了开关的功率处理能力和谐波性能。测试结果表明,在100 MHz~4.2 GHz的工作频率范围内,该射频开关的插入损耗小于0.4 dB,隔离度大于24 dB,输入0.1 dB压缩点为34 dBm,芯片尺寸为360μm×245μm。 展开更多
关键词 soi CMOS工艺 射频开关 插入损耗 隔离度
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一种高压SOI功率驱动电路抗核辐射加固设计
16
作者 宋博尊 林雨佳 荆洲 《微处理机》 2025年第5期15-22,共8页
目前,MOSFET和IGBT驱动系统在宇航级设备中应用广泛。为满足高压功率驱动器的抗辐射加固需求,设计了一种抗核辐射加固的高压功率驱动器,重点对驱动器电路中的数字逻辑电路、电平转换电路及双极电路进行了抗辐射加固设计。该电路采用商用... 目前,MOSFET和IGBT驱动系统在宇航级设备中应用广泛。为满足高压功率驱动器的抗辐射加固需求,设计了一种抗核辐射加固的高压功率驱动器,重点对驱动器电路中的数字逻辑电路、电平转换电路及双极电路进行了抗辐射加固设计。该电路采用商用1.0μm高压SOI工艺,高边悬浮电压工作范围可达600 V,具备抗总剂量≥3×10^(-3) Gy(Si)、抗中子注量≥1×10^(-14)n/cm^(2)、抗瞬时电离辐射剂量率≥1×10^(-9)Gy(Si)/s的能力,驱动电流可达2 A。辐照后器件功能与性能指标均满足系统应用要求。测试结果表明,该高压SOI功率驱动电路设计合理,满足预期性能指标。 展开更多
关键词 高压驱动电路 soi工艺 抗总剂量加固 抗中子注量加固 抗瞬时剂量率加固
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基于SOI材料的兵器微电子技术应用分析 被引量：1
17
作者 张新 高勇 +2 位作者 王彩琳 邢昆山 安涛 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期48-53,共6页
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制。而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料... 随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制。而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料技术。介绍了SOI材料结构技术用于微电子器件的优势、SOI结构及基于SOI结构材料的兵器微电子技术应用,展望了SOI技术的发展前景。 展开更多
关键词 soi材料 soi结构 兵器微电子 半导体集成电路
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SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟
18
作者 李树荣 刘真 +4 位作者 张生才 王静 郭维廉 郑云光 陈培毅 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期682-685,共4页
提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工... 提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。 展开更多
关键词 SiGe沟道 soi结构 混合模式晶体管 设计 soi MOSFET 动态阈值电压 横中双极晶体管
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一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型
19
作者 张国艳 廖怀林 +3 位作者 黄如 Mansun chan 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1601-1604,共4页
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ... 提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 . 展开更多
关键词 soi MOSFET's 高频噪声 模型 短沟soi器件 热噪声
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SOI技术进入工业开发时代 被引量：1
20
作者 王效平 苏德海 《微处理机》 1996年第1期11-14,共4页
本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器... 本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器件、高电压及功率器件、智能传感器、光电子器件的应用。最后讨论了SOI衬底材料和器件在工业开发阶段存在的问题，并展望SOI技术的前景。 展开更多
关键词 soi SIMOX BEsoi 半导体器件
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