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Sb2O3@SiO2颗粒制备与热解及阻燃性能 被引量：4
1
作者 杜兆芳 李继丰 +1 位作者 李中波 董丹丹 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期405-410,共6页
以超声场醇盐水解法制备出微米级Sb2O3粒子,再通过溶胶-凝胶法获得复合阻燃剂Sb2O3@SiO2颗粒,并对该复合颗粒的结构与形貌进行表征。结果表明:制得的超微Sb2O3颗粒平均粒径为1.17μm,晶体类型为斜方晶型,颗粒的结晶度高、晶粒度大;同时... 以超声场醇盐水解法制备出微米级Sb2O3粒子,再通过溶胶-凝胶法获得复合阻燃剂Sb2O3@SiO2颗粒,并对该复合颗粒的结构与形貌进行表征。结果表明:制得的超微Sb2O3颗粒平均粒径为1.17μm,晶体类型为斜方晶型,颗粒的结晶度高、晶粒度大;同时较佳的硅包覆Sb2O3颗粒构建条件为:TEOS/Sb2O3摩尔比为3/3、温度为30℃、氨水浓度为0.75mol/L、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)/正硅酸四乙酯(TEOS)摩尔比为0.8,此时所得Sb2O3@SiO2为介孔结构,分散性及热稳定性优异。阻燃实验表明:复合颗粒在聚合物基体中分散均匀、结构稳定,复合阻燃效果中Sb2O3用量减少75%。 展开更多
关键词 sb2O3 sb2O3@SiO2 热性能 阻燃性
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高浓度水相Sb2O5胶体直接制备环己酮Sb2O5胶体
2
作者 秦毅红 黄子石 +1 位作者 龙艳平 石玉臣 《塑料加工》 2008年第1期31-35,共5页
以体积质量浓度为60％的高浓度水相Sb2O5胶体为原料制备环已酮Sb2O5胶体。直接向该水相Sb2O5胶体中加入数种表面活性剂和环已酮，经过胶团在水中聚沉、胶团表面改性、胶团重新分散于环己酮等几个步骤生成环己酮Sb2O5胶体，原水相Sb2O5... 以体积质量浓度为60％的高浓度水相Sb2O5胶体为原料制备环已酮Sb2O5胶体。直接向该水相Sb2O5胶体中加入数种表面活性剂和环已酮，经过胶团在水中聚沉、胶团表面改性、胶团重新分散于环己酮等几个步骤生成环己酮Sb2O5胶体，原水相Sb2O5胶体中的水随之一起成胶。经试验，该胶体可以与聚氨酯以任意比例互相融合。 展开更多
关键词 水相sb2O5胶体 环己酮sb2O5胶体 聚氨酯 融合
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纳米TiO2/Sb2O5涂层的光生阴极保护研究 被引量：14
3
作者 周民杰 曾振欧 +1 位作者 钟理 赵国鹏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期525-530,共6页
采用溶胶-凝胶法在304不锈钢表面制备了纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对涂层表面形貌、晶体结构以及组成进行表征.采用电化学方法研究涂层的光电化学性能与光生阴极保护特性.结... 采用溶胶-凝胶法在304不锈钢表面制备了纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对涂层表面形貌、晶体结构以及组成进行表征.采用电化学方法研究涂层的光电化学性能与光生阴极保护特性.结果表明,所制备的纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层表面连续、均匀、致密;XRD分析表明纳米TiO2为锐钛矿型;XPS分析表明纳米涂层表面与内层均由Ti、Sb、O、C四种元素组成;稳定电位与极化曲线测试表明,在3%NaCl溶液中,纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层的光电化学性能低于纯纳米TiO2涂层,但纳米TiO2/Sb2O5涂层经紫外光照1h,停止紫外光照后的延时阴极保护作用可达4h.通过研究分析,提出了一种新的纳米叠层涂层光生阴极保护作用机理. 展开更多
关键词 纳米TIO2 纳米sb2O5 叠层涂层 光电化学 光生阴极保护 腐蚀防护
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水热合成Sb2Se3纳米线及其对Bi2Te3纳米粉末热电性能的影响 被引量：2
4
作者 张艳华 徐桂英 +3 位作者 郭志敏 韩菲 王泽 葛昌纯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期615-620,共6页
以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成... 以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征,实验结果表明保温时间达到24h时,获得产物为单相Sb2Se3纳米线晶体.根据实验结果还研究了水热合成Sb2Se3纳米线晶体可能的反应及生长机理,结果表明一维纳米线沿[001]方向生长,纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关.最后采用放电等离子体快速热压烧结法将水热合成的Bi2Te3纳米粉末与不同含量Sb2Se3纳米线进行复合,分析了Sb2Se3纳米线对Bi2Te3纳米材料热电性能的影响,发现复合约1at%Sb2Se3纳米线可以使Bi2Te3纳米材料热电性能有一定提高. 展开更多
关键词 水热合成 sb2Se3 纳米线 热电性能
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不同粒径的Sb2O3对PBT阻燃性能的影响 被引量：7
5
作者 徐建林 马冰雪 +3 位作者 康成虎 马吉强 徐成成 陈洲 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期24-28,共5页
为了改善聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)的阻燃性能,采用先机械球磨共混、后熔融注塑的方法制备了Sb2O3/BPS-PBT复合材料.研究了Sb2O3粒径对复合材料阻燃性能的影响,并分析了复合材料的阻燃机理.结果表明:Sb2O3使PBT初始分解温度提前,热分... 为了改善聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)的阻燃性能,采用先机械球磨共混、后熔融注塑的方法制备了Sb2O3/BPS-PBT复合材料.研究了Sb2O3粒径对复合材料阻燃性能的影响,并分析了复合材料的阻燃机理.结果表明:Sb2O3使PBT初始分解温度提前,热分解速率减慢;添加相同质量分数的Sb2O3,纳米Sb2O3在气相阻燃中的效率和促进残炭形成的催化作用均优于微米Sb2O3;当溴化聚苯乙烯(BPS)和纳米Sb2O3的质量分数分别为10%和5%时,复合材料的LOI为28.3%,UL94达到V-0级. 展开更多
关键词 PBT sb2O3 粒径 热稳定性 阻燃性能
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硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 被引量：3
6
作者 刘波 宋志棠 +2 位作者 封松林 Chen Bomy 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期158-160,共3页
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂... 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围. 展开更多
关键词 Ge2sb2Te5 硅离子注入掺杂 方块电阻
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Sb2S3纳米粒子敏化TiO2分枝纳米棒阵列杂化太阳电池的研究 被引量：2
7
作者 郝彦忠 钱近 +2 位作者 栗靖琦 裴娟 李英品 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期5060-5064,共5页
采用两步水热法在导电玻璃(FTO)上制备TiO2分枝纳米棒(B-NR)阵列。利用低温化学浴沉积法(CBD)在TiO2分枝纳米棒阵列(B-NRA)基底上沉积Sb2S3纳米粒子(NPs)。接着分别旋涂P3HT和Spiro-OMeTAD组装成TiO2(B-NRA)/Sb2S3/P3HT/Spiro-OMeTAD为... 采用两步水热法在导电玻璃(FTO)上制备TiO2分枝纳米棒(B-NR)阵列。利用低温化学浴沉积法(CBD)在TiO2分枝纳米棒阵列(B-NRA)基底上沉积Sb2S3纳米粒子(NPs)。接着分别旋涂P3HT和Spiro-OMeTAD组装成TiO2(B-NRA)/Sb2S3/P3HT/Spiro-OMeTAD为光活性层的杂化太阳电池。通过对杂化太阳电池的光电性能测试,结果表明,TiO2分枝纳米棒阵列具有高的吸光强度,较大的比表面积和多级电荷传输通道,由TiO2(B-NRA)/Sb2S3/P3HT/Spiro-OMeTAD复合膜结构组装的杂化太阳电池的能量转换效率(PCE)是4.67%。 展开更多
关键词 TiO2分枝纳米棒 sb2S3纳米粒子 水热法 化学浴沉积 杂化太阳电池
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放电等离子烧结制备的Bi2Te3／Sb2Te3复合材料的热电性能
8
作者 曹一琦 朱铁军 赵新兵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1341-1344,共4页
研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的Bi2Te3和sb挪e3颗粒，并通过透射电镜观察其微观形貌。Bi2Te3粉末的微观形貌为直径在30-50n之间的片状小颗粒，而sb2Te3颗粒的微观形貌为薄带状，直径约为70nm，长度则为从150-300nm不等，并... 研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的Bi2Te3和sb挪e3颗粒，并通过透射电镜观察其微观形貌。Bi2Te3粉末的微观形貌为直径在30-50n之间的片状小颗粒，而sb2Te3颗粒的微观形貌为薄带状，直径约为70nm，长度则为从150-300nm不等，并对其晶体的形核和长大机理进行了讨论。认为，纳米小颗粒状的Bi2Te3晶体可能是通过“表面形核和侧向生长”形成的产物，而薄带状的sb2Te3晶体可能是在Te块解体形成的条带状碎屑基础上形成的。用放电等离子烧结法（spark plasma sintering）制备不同比例的Bi2Te3／Sb2Te3块状复合材料，测量并比较了其热电性能。通过改变Bi2Te3的量，可以提高复合材料的电性能。成分不同的层片间的散射，能更有效地降低块体材料的热导率。在500K的温度下，Bi2Te3和sb2Te3以摩尔比为1：1复合烧结的试样的热导率低达0．7W／（m·K）。进一步优化Bi2Te3和sb2Te3的复合比例，其热电性能可能会有进一步的提高。 展开更多
关键词 低温湿化学法 水热法 纳米颗粒 Bi2Te3/sb2Te3复合 热电性能
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Ge2Sb2Te5相变薄膜的结构及结晶温度研究
9
作者 刘巧丽 刘军伟 +2 位作者 孟繁强 王璐 李廷取 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第9期41-44,共4页
利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.（原位）XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温-375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转... 利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.（原位）XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温-375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;通过原位XRD和DSC测试确定的GST薄膜的结晶温度一致,为-150℃. 展开更多
关键词 相变材料 Ge2sb2Te5 结构 DSC 结晶温度
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Sb2Se3管状化合物的制备和表征
10
作者 姜文娟 凌云 +1 位作者 李志华 程晓农 《纳米科技》 2008年第6期53-57,共5页
用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料，并通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、拉曼光谱仪（Raman）、热重分析（DSC）进行表征测试，结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3，计算所得晶格常数为a：11．... 用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料，并通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、拉曼光谱仪（Raman）、热重分析（DSC）进行表征测试，结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3，计算所得晶格常数为a：11．6445A，b=11．792A，c=3．981A,；透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长；DSC测试Sb2Se3的熔点为624．5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料，并用XRD和Raman表征测试了晶体结构. 展开更多
关键词 固相法 管状sb2Se3 硫系化合物
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基于Sb2S3阳极的钠离子电池性能评价综合实验设计
11
作者 顾修全 家珊 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2019年第11期197-199,265,共4页
该实验选用SbCl3作为锑源,硫脲作为硫源,制备出了长度为2~5μm棒状堆积的Sb2S3阳极材料.Sb2S3用作钠离子电池的阳极材料,通过SEM、TEM、循环伏安(CV)和恒流充放电等测试手段,表征了Sb2S3阳极材料的形貌特征以及Sb2S3在钠离子电池中的电... 该实验选用SbCl3作为锑源,硫脲作为硫源,制备出了长度为2~5μm棒状堆积的Sb2S3阳极材料.Sb2S3用作钠离子电池的阳极材料,通过SEM、TEM、循环伏安(CV)和恒流充放电等测试手段,表征了Sb2S3阳极材料的形貌特征以及Sb2S3在钠离子电池中的电化学性能.研究了Sb2S3在钠离子电池中的性能及作用.结果表明:电池的初始库伦效率为67.19%,200次循环后稳定在290 mAh/g左右,这与循环时电池内部结构的体积膨胀变化有关.在该实验中,Sb2S3是采用水热法制备而成的,具有操作简易、易于分组协作探究等优点,可作为电化学等专业课的综合性实验,使学生充分了解掌握Sb2S3的合成工艺以及常用的分析手段,从而培养学生应用综合知识的能力和科研能力. 展开更多
关键词 sb2S3 钠离子电池 水热法 性能评价
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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响 被引量：2
12
作者 夏吉林 刘波 +1 位作者 宋志棠 封松林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期155-157,共3页
研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明... 研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低. 展开更多
关键词 Ge2sb2Te5 电学性能 制备条件 相变
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Al0.7Sb2Te3合金靶的制备及性能研究 被引量：2
13
作者 孙川希 周增林 +1 位作者 谢元锋 夏扬 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期727-732,共6页
Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al∶Sb∶Te=0.7∶2.0∶3.0的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al0.7Sb2Te3薄膜的三元靶... Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al∶Sb∶Te=0.7∶2.0∶3.0的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al0.7Sb2Te3薄膜的三元靶材,通过X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)及金相显微镜(OM)、能谱仪(EDS)分别表征粉体物相、靶材显微组织及元素分布等。结果表明:Al0.7Sb2Te3合成粉的主相为Sb2Te3相,且与Sb2Te3二元合金粉相比, Al原子的掺杂使Sb2Te3主相的晶格常数与晶胞体积均减小,具体表现为:晶格常数a,c从Sb2Te3二元合金粉的0.4267, 3.0443 nm减小到Al0.7Sb2Te3合成粉的0.4258, 3.0423 nm,且晶胞体积减小0.486%;再用Al0.7Sb2Te3合成粉为原料,制备出的三元靶材相对密度达到99.5%,且其平面与截面显微组织基本一致,均形成明显的Al0.1Sb2Te3基体相与单质Al弥散相两相组成,基体相与弥散相结合紧密,界面处存在宽度2~3μm的过渡区域。所制备的近全致密两相Al0.7Sb2Te3合金靶材,有望改进磁控溅射法制备Al-Sb-Te系列薄膜的工艺和效果。 展开更多
关键词 Al0.7sb2Te3 合金靶 两相组成 近全致密
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压印技术制备超高密度Si2Sb2Te5基相变存储阵列 被引量：2
14
作者 刘彦伯 闵国全 +6 位作者 宋志棠 周伟民 张静 张挺 万永中 李小丽 张剑平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第1期45-49,共5页
采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具... 采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。 展开更多
关键词 紫外压印 高密度相变存储器阵列 Si2sb2Te5 存储单元 标准差(σ) 相变
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Sb2Te3纳米片的水热合成与表征 被引量：5
15
作者 柴臻臻 郑文君 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期435-441,共7页
在水热条件下,以乙醇胺为还原剂,实现了亚碲酸根(TeO^(2-)_3)的分步还原,并以新生成的单质Te纳米棒为碲源,原位一步法合成出六方相Sb_2Te_3纳米片.采用X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)等对产... 在水热条件下,以乙醇胺为还原剂,实现了亚碲酸根(TeO^(2-)_3)的分步还原,并以新生成的单质Te纳米棒为碲源,原位一步法合成出六方相Sb_2Te_3纳米片.采用X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)等对产物的物相、形貌及组成进行了表征.结果表明,产物Sb_2Te_3为六方纳米片,厚度约为100~200 nm,直径约为0.6~1.5μm,形貌均一,分散性良好.适宜的合成条件是水/乙醇胺体积比为8∶12,180℃下反应24 h.依据部分实验结果以及单质Te和六方相Sb_2Te_3晶体结构的比较,证明了Sb_2Te_3主要以外延方式在单质Te纳米棒表面生长,且两者的晶面取向为(003)Te//(003)Sb_2Te_3,[110]Te//[110]Sb_2Te_3. 展开更多
关键词 水热合成 sb2Te3纳米片 形貌 反应机制
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MoS2/Sb2S3复合光催化剂的制备及其可见光催化性能 被引量：1
16
作者 张亮 侯亚璐 +4 位作者 赵朝成 高先瑶 闫青云 赵洪飞 张博凡 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期1716-1727,共12页
通过一步水热法制备出MoS2/Sb2S3可见光复合催化剂,采用XRD、SEM、紫外可见漫反射(UV-Vis DRS)和XPS表征手段对MoS2/Sb2S3复合光催化剂进行了表征,以罗丹明B(RhB)作为目标污染物进行降解实验。与纯Sb2S3和MoS2相比,MoS2/Sb2S3复合光催... 通过一步水热法制备出MoS2/Sb2S3可见光复合催化剂,采用XRD、SEM、紫外可见漫反射(UV-Vis DRS)和XPS表征手段对MoS2/Sb2S3复合光催化剂进行了表征,以罗丹明B(RhB)作为目标污染物进行降解实验。与纯Sb2S3和MoS2相比,MoS2/Sb2S3复合光催化剂对RhB的光催化降解具有更高的效率,表现出优异的吸附性能和光催化性能。同时在相同的实验条件下,与TiO2、Bi2S3、C3N4、Sb2S3等催化剂相比,MoS2/Sb2S3复合光催化剂表现出更为优异的光催化性能。此外,探究了MoS2/Sb2S3复合光催化剂光催化降解机制,阐述了光催化反应机制,提供了一种适用于降解较高浓度有机废水的光催化剂制备方法,具有一定的应用价值。 展开更多
关键词 一步水热法 光催化 MoS2/sb2S3 复合光催化剂 动力学
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Sb2O3粉体电导率的测定与应用
17
作者 陈爱城 崔学民 +3 位作者 张波 石建荣 马柳军 童张法 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期904-906,共3页
氧化锑是一种用途广泛的功能材料，作为协同阻燃剂，其用量非常大。而用于电子封装的三氧化锑（Sb2O3）材料的性能要符合相应的指标，如电导率、纯度、粒径等方面要符合特殊的要求。介绍了Sb2O3中杂质离子的测定，并分析Sb2O3的导电机... 氧化锑是一种用途广泛的功能材料，作为协同阻燃剂，其用量非常大。而用于电子封装的三氧化锑（Sb2O3）材料的性能要符合相应的指标，如电导率、纯度、粒径等方面要符合特殊的要求。介绍了Sb2O3中杂质离子的测定，并分析Sb2O3的导电机理和杂质离子对其电导率的影响，以其对Sb2O3生产工艺过程的控制提出相应的建议。 展开更多
关键词 阻燃剂 sb2O3 电导率
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Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光
18
作者 刘奇斌 张楷亮 +2 位作者 王良咏 宋志棠 封松林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期161-164,共4页
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛... 从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构. 展开更多
关键词 Ge2sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学
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CdS修饰TiO2/Sb2S3电荷分离界面增强光催化性能的研究 被引量：1
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作者 姜圆圆 肖铭星 +3 位作者 邢洁 马荣荣 刘俊宏 吴璠 《湖州师范学院学报》 2020年第10期25-30,共6页
采用逐次离子层交换吸附法,在TiO2薄膜表面先沉积CdS界面修饰层,再通过化学浴沉积法在TiO2/CdS薄膜表面沉积Sb2S3薄膜,将得到的TiO2/CdS/Sb2S3薄膜样品用于光催化研究.研究结果表明,利用CdS修饰TiO2/Sb2S3界面,薄膜光催化性能显著提高.... 采用逐次离子层交换吸附法,在TiO2薄膜表面先沉积CdS界面修饰层,再通过化学浴沉积法在TiO2/CdS薄膜表面沉积Sb2S3薄膜,将得到的TiO2/CdS/Sb2S3薄膜样品用于光催化研究.研究结果表明,利用CdS修饰TiO2/Sb2S3界面,薄膜光催化性能显著提高.由光电流-时间响应曲线发现,TiO2/CdS/Sb2S3薄膜样品可以产生更大的光电流,增强光催化性能.通过电化学阻抗谱和强度调制光电流/光电压谱表征等手段,发现利用CdS修饰TiO2/Sb2S3界面可以更好地促进电子和空穴从Sb2S3中分离,并减少复合,增强其光电流和光催化性能. 展开更多
关键词 sb2S3 电荷分离界面 光催化
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Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能
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作者 席金芳 鲁双伟 +8 位作者 杨峰 蔡芳共 马文利 邹龙生 谢思思 张勇 阚香 程翠华 赵勇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期50-54,共5页
结合水热法和阳极氧化法合成了Sb_2S_3/TiO_2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构。暗态下的电流-电压曲线表明Sb_2S_3/TiO_2纳米管异质结阵列具有整流效应。相比于纯的TiO_2纳米... 结合水热法和阳极氧化法合成了Sb_2S_3/TiO_2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构。暗态下的电流-电压曲线表明Sb_2S_3/TiO_2纳米管异质结阵列具有整流效应。相比于纯的TiO_2纳米管阵列,Sb_2S_3/TiO_2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著的提升:在AM 1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07%增长到0.40%,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区。结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb_2S_3/TiO_2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能。 展开更多
关键词 sb2S3 TIO2纳米管阵列 异质结 表面光电压谱 相位谱 光电性能
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