摘要
研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302700),中国科学院(批准号:Y2005027),上海市科委(批准号:05JC14076,0552nm043,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ22017,04ZR14154)资助项目
