研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE...研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要。主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,Logic EE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试。展开更多
针对半自磨流程中矿石变硬导致半自磨机成为磨矿系统瓶颈的问题,基于某磁铁矿 SAB 流程,采用预破碎技术优化半自磨机新给料粒度分布,以实现系统去瓶颈。通过分析预破碎技术作用机理和工艺类型,讨论实施不同预破碎方案所需的破碎机最优选...针对半自磨流程中矿石变硬导致半自磨机成为磨矿系统瓶颈的问题,基于某磁铁矿 SAB 流程,采用预破碎技术优化半自磨机新给料粒度分布,以实现系统去瓶颈。通过分析预破碎技术作用机理和工艺类型,讨论实施不同预破碎方案所需的破碎机最优选型,以及实现半自磨系统重新恢复稳定和最优运行的对应解决方案。展开更多
文摘研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要。主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,Logic EE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试。
