利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS功率器件。器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级...利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS功率器件。器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB。直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景。展开更多
提出了一种射频接收机中自动增益控制(Automatic Gain Control,AGC)电路的建模方法和设计方法。该建模方法对射频接收机中自动增益控制电路进行了建模分析和理论推导,得到3 种常见电路拓扑的时间常数公式。通过电子设计软件对该模型进...提出了一种射频接收机中自动增益控制(Automatic Gain Control,AGC)电路的建模方法和设计方法。该建模方法对射频接收机中自动增益控制电路进行了建模分析和理论推导,得到3 种常见电路拓扑的时间常数公式。通过电子设计软件对该模型进行仿真验证,得到的时域分析结果与模型计算相吻合。对采用模型参数的接收机电路进行了制作和测试,与模型计算和仿真结果匹配良好。该方法解决了射频接收机中自动增益控制电路不同时间常数的设计难题,对精细自动增益控制电路设计提供理论指导。展开更多
文摘提出了一种射频接收机中自动增益控制(Automatic Gain Control,AGC)电路的建模方法和设计方法。该建模方法对射频接收机中自动增益控制电路进行了建模分析和理论推导,得到3 种常见电路拓扑的时间常数公式。通过电子设计软件对该模型进行仿真验证,得到的时域分析结果与模型计算相吻合。对采用模型参数的接收机电路进行了制作和测试,与模型计算和仿真结果匹配良好。该方法解决了射频接收机中自动增益控制电路不同时间常数的设计难题,对精细自动增益控制电路设计提供理论指导。
