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射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文) 被引量:2
1
作者 赵占霞 栗敏 +3 位作者 詹颜 王德明 马忠权 孙铁囤 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期299-302,共4页
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,... 用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 rf溅射I-v曲线 能带模型
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4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型 被引量:11
2
作者 杨林安 张义门 +2 位作者 吕红亮 张玉明 于春利 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1160-1164,共5页
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H ... 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 . 展开更多
关键词 碳化硅 4H-SIC 射频功率 MESFET 非线性大信号模型 直流I-v特性 场效应晶体管
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Mass and heat transfer mechanism in wood during radio frequency/vacuum drying and numerical analysis
3
作者 Xiaoran Jia Jingyao Zhao Yingchun Cai 《Journal of Forestry Research》 SCIE CAS CSCD 2017年第1期205-213,共9页
The mass and heat transfer mechanisms during radio frequency/vacuum (RF/V) drying of square-edged timber were analyzed and discussed in detail, and a new one-dimensional mathematical model to describe the transport ... The mass and heat transfer mechanisms during radio frequency/vacuum (RF/V) drying of square-edged timber were analyzed and discussed in detail, and a new one-dimensional mathematical model to describe the transport phenomena of mass and heat during continuous RF/V drying was derived from conservation equations based on the mass and heat transfer theory of porous materials The new model provided a relatively fast and efficient way to simulate vacuum drying behavior assisted by dielectric heating. Its advantages compared with the conventional models include: (1) Each independent vari- able has a separate control equation and is solved inde- pendently by converting the partial differential equation into a difference equation with the finite volume method; (2) The calculated data from different parts of the specimen can be displayed in the evolution curves, and the change law of the,parameters can be better described. After analyzing the calculated results, most of the important phenomena observed during RF/V drying were adequately described by this model. 展开更多
关键词 Bulk flow Mathematical model Numerical analysis rf/v drying transfer mechanism
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Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究 被引量:1
4
作者 马自军 马书懿 《物理实验》 2008年第5期12-15,共4页
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主... 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素. 展开更多
关键词 Si/SiO2多层膜 I-v特性 射频磁控溅射 电流输运
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V型沟槽Si衬底上SrTiO_3薄膜制备
5
作者 王旗 于晓明 祁阳 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1607-1610,共4页
在单晶Si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为Si(110)"V"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(LPD)和射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)制备了SrTiO3(STO)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以... 在单晶Si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为Si(110)"V"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(LPD)和射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)制备了SrTiO3(STO)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以及热处理工艺的优化,研究了利用LPD法制备具有较为致密均匀的STO薄膜的条件;通过对溅射功率、溅射气压、衬底温度以及退火温度等具体参数的优化,研究了利用射频磁控溅射法在较低的衬底温度下制备具有一定取向的STO薄膜的条件.结果表明,射频磁控溅射法制备的STO薄膜在结晶状态、择优取向和表面形貌优于液相沉积. 展开更多
关键词 液相沉积 射频磁控溅射法 STO薄膜 v型沟槽 表面形貌
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薄膜结构对Si/SiO_2 I-V特性的影响 被引量:1
6
作者 马自军 马书懿 《物理实验》 北大核心 2009年第3期10-13,共4页
用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性.实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.
关键词 射频磁控溅射 Si/SiO2纳米薄膜 I-v特性
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4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
7
作者 任学峰 杨银堂 贾护军 《现代电子技术》 2008年第10期24-26,共3页
提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-... 提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态。 展开更多
关键词 4H-SiC射频功率MESFET I-v特性 解析模型
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一种V频段毫米波射频收发前端设计与实现 被引量:1
8
作者 徐玺年 《电子技术应用》 2024年第8期86-89,共4页
针对毫米波射频收发前端工作频率越来越高的应用需求,设计了一种工作在V频段的毫米波射频收发前端,用于V频段射频信号的接收及发射功能。该射频收发前端电路复杂,内部包含接收电路、发射电路、频率源电路、电源处理电路及控制电路,具有... 针对毫米波射频收发前端工作频率越来越高的应用需求,设计了一种工作在V频段的毫米波射频收发前端,用于V频段射频信号的接收及发射功能。该射频收发前端电路复杂,内部包含接收电路、发射电路、频率源电路、电源处理电路及控制电路,具有多功能、高镜像抑制度、低噪声系数、高发射功率的优点。为了实现良好的电性能,该收发前端设计并使用了V频段微带滤波器、V频段微带功分器,V频段四分之一波长短路线等微带电路。收发前端采用了V频段MMIC混合多功能集成技术,可应用于导引头雷达及通信场景,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 毫米波射频收发前端 v频段 高镜像抑制 微带滤波器 微带功分器
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基于RFID的图书馆书籍排列检测系统
9
作者 丁祺远 《现代信息科技》 2022年第7期65-69,76,共6页
近年来,手持阅读器和智能书架技术广泛应用于图书管理工作,图书管理员利用射频识别技术(RFID)简化图书管理工作提高扫描效率。但手动扫描浪费大量时间,智能书架需要高成本的基础设施和复杂的部署。因此文章设计并实现一套基于RFID的图... 近年来,手持阅读器和智能书架技术广泛应用于图书管理工作,图书管理员利用射频识别技术(RFID)简化图书管理工作提高扫描效率。但手动扫描浪费大量时间,智能书架需要高成本的基础设施和复杂的部署。因此文章设计并实现一套基于RFID的图书馆书籍排列检测系统,该系统主要提出两个技术:一是通过计算核心V区数据确定标签位置,相较于现有的射频扫描方法(RF-Scanner)更快更有效;二是根据实际需要实现标签位置信息的静态和动态显示。 展开更多
关键词 rfID相对定位技术 rf-Scanner 核心v区域
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人工林落叶松髓心方材高频/真空干燥工艺研究 被引量:8
10
作者 李晓玲 高瑞清 +2 位作者 构涛 何清慧 张立宾 《木材工业》 北大核心 2010年第1期29-32,共4页
对人工林落叶松含髓心方材进行高频真空干燥试验,以确定高频真空干燥工艺参数。结果表明,适宜的高频真空干燥工艺,不但能保证落叶松髓心方材干燥质量,而且能大幅度提高干燥速度。试验得出较佳的干燥工艺条件为:电流0.4A,输入电压2kV;高... 对人工林落叶松含髓心方材进行高频真空干燥试验,以确定高频真空干燥工艺参数。结果表明,适宜的高频真空干燥工艺,不但能保证落叶松髓心方材干燥质量,而且能大幅度提高干燥速度。试验得出较佳的干燥工艺条件为:电流0.4A,输入电压2kV;高频开启3min停1min,控制温度50℃;干燥初期真空度为13.33kPa,干燥后期真空度为6.67kPa。 展开更多
关键词 高频真空(rf/v)干燥 落叶松髓心方材 干燥质量 干燥工艺
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杉木人工林木材的高频真空干燥工艺 被引量:10
11
作者 高瑞清 李晓玲 《木材工业》 北大核心 2005年第6期8-11,共4页
对人工林杉木25 mm和50 mm厚板材进行了系列高频真空干燥试验。结果表明:干燥后的板材变形小,表面平整,表芯层含水率差异较小。尽管试板的初始含水率差异较大,但根据高频真空干燥靠近正极板的木材比靠近负极板的干燥速度快的特点,试板... 对人工林杉木25 mm和50 mm厚板材进行了系列高频真空干燥试验。结果表明:干燥后的板材变形小,表面平整,表芯层含水率差异较小。尽管试板的初始含水率差异较大,但根据高频真空干燥靠近正极板的木材比靠近负极板的干燥速度快的特点,试板的初始含水率由低至高在负极板至正极板之间进行顺序摆放码垛,干燥后的板材含水率可达到均匀一致。 展开更多
关键词 高频真空(rf/v)干燥 人工林 杉木 质量 干燥工艺
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人工林落叶松髓心方材的高频真空干燥(英文) 被引量:4
12
作者 李晓玲 高瑞清 +2 位作者 构涛 张立宾 陈章景 《林业科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期127-131,共5页
对截面尺寸为100mm×100mm的人工林落叶松髓心方材进行系列高频真空干燥试验,分析研究不同高频真空干燥条件下干燥质量和干燥速度的变化规律,获得合理的高频真空干燥工艺基准;为了进一步减少试材表裂,干燥前对试材进行切口和过热蒸... 对截面尺寸为100mm×100mm的人工林落叶松髓心方材进行系列高频真空干燥试验,分析研究不同高频真空干燥条件下干燥质量和干燥速度的变化规律,获得合理的高频真空干燥工艺基准;为了进一步减少试材表裂,干燥前对试材进行切口和过热蒸汽预处理。结果表明:沿试材长度方向的中心位置切口和过热蒸汽预处理都能有效减少试材表裂,提高干燥质量。 展开更多
关键词 高频真空干燥 人工林落叶松 髓心方材 切口处理 过热蒸汽处理
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日本柳杉髓心方材高频真空干燥试验 被引量:9
13
作者 李晓玲 小林功 +1 位作者 黑田尚宏 高瑞清 《北京林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期42-46,共5页
该文对日本人工林柳杉髓心方材进行系列高频真空干燥试验,掌握不同高频真空干燥条件下柳杉髓心方材的干燥特性并对干燥缺陷进行分析.结果表明,柳杉髓心方材虽难干燥,但在高频真空干燥前对木材进行合理的处理,如蒸汽和过热蒸汽预处理、... 该文对日本人工林柳杉髓心方材进行系列高频真空干燥试验,掌握不同高频真空干燥条件下柳杉髓心方材的干燥特性并对干燥缺陷进行分析.结果表明,柳杉髓心方材虽难干燥,但在高频真空干燥前对木材进行合理的处理,如蒸汽和过热蒸汽预处理、沿木材长度方向制作一定深度和宽度的切口等,可有效地提高干燥质量,尤其是可减少开裂的产生. 展开更多
关键词 高频真空干燥 髓心方材 预处理 切口
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日本柳杉高频真空干燥及防止开裂的研究(英文) 被引量:4
14
作者 李晓玲 小林功 +1 位作者 黑田尚宏 高瑞清 《林业科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期106-111,共6页
通过对日本人工林木材柳杉髓心方材进行系列高频真空干燥试验 ,掌握柳杉髓心方材的干燥特性及相应的高频真空干燥条件。结果表明 :高频真空干燥前在常压下进行合理的蒸汽和过热蒸汽预处理 ,柳杉髓心方材可有效地提高干燥质量 。
关键词 高频真空干燥 日本柳杉 开裂 防止 人工林木材 蒸汽预处理 干燥试验 干燥条件 干燥特性 干燥质量 方材 髓心
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射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜 被引量:3
15
作者 郑泽渔 张树人 +4 位作者 杨成韬 钟朝位 董加和 孙明霞 刘敬松 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期83-86,共4页
研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利... 研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氧化锌薄膜 射频功率 氧氩比(v(O2)/v(Ar)) 衬底温度 声表面波器件
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人工林杨木的高频真空干燥工艺 被引量:5
16
作者 李晓玲 高瑞清 +1 位作者 黑田尚宏 小林功 《木材工业》 2004年第4期12-15,共4页
 在人工林杨木的高频真空干燥系列试验中,通过不断改变干燥工艺参数并分析总结试验结果,从而确定杨木高频真空干燥适宜的工艺基准。结果表明,在本试验确定的高频真空干燥工艺下,初含水率较高的杨木不仅能保证干燥质量,而且干燥速度可...  在人工林杨木的高频真空干燥系列试验中,通过不断改变干燥工艺参数并分析总结试验结果,从而确定杨木高频真空干燥适宜的工艺基准。结果表明,在本试验确定的高频真空干燥工艺下,初含水率较高的杨木不仅能保证干燥质量,而且干燥速度可比常规蒸汽干燥法和高温蒸汽干燥法提高数倍。 展开更多
关键词 人工林杨木 高频真空干燥工艺 干燥质量 干燥速度
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低功率900 MHz射频磁场对小鼠皮层神经元动作电位的影响 被引量:5
17
作者 郑羽 孔莹 +3 位作者 杜正高 单金龙 蔡迪 王金海 《神经解剖学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期45-50,共6页
目的:研究手机900MHz射频磁场对小鼠皮层神经元动作电位的影响。方法:低发射功率为398.1 mW、频率为900 MHz的射频磁场照射急性分离小鼠脑皮层神经元。采用膜片钳技术,观察对照组和暴露组的Na+通道电流I Na、瞬时外向K+通道电流I A和延... 目的:研究手机900MHz射频磁场对小鼠皮层神经元动作电位的影响。方法:低发射功率为398.1 mW、频率为900 MHz的射频磁场照射急性分离小鼠脑皮层神经元。采用膜片钳技术,观察对照组和暴露组的Na+通道电流I Na、瞬时外向K+通道电流I A和延迟整流K+通道电流I K。结果:900 MHz磁场暴露对神经元离子通道有明显影响:(1)Na+通道激活电位向超极化方向移动,钠电流峰值增大,激活和失活曲线向超极化方向移动;(2)瞬时外向钾通道的激活过程受到抑制;(3)延迟整流钾电流I K受到抑制,且呈时间依赖性。结论:低功率900 MHz射频磁场暴露影响离子通道的I-V特性和动力学特性,神经元动作电位发放阈值变小,动作电位发放频率变缓,改变了动作电位的形状和时程,影响了神经细胞电传导特性,对脑神经元的生理功能产生了一定的影响。 展开更多
关键词 动作电位 神经传导 射频磁场 I-v特性 动力学特性
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Au/(C/SiO_2)/p-Si结构中的电流输运机理研究 被引量:1
18
作者 张汉谋 马书懿 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第4期44-46,52,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射... 采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 I-v特性 Schottky发射 Frenkel-Poole发射
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光谱学研究硅烷钒锆复合钝化膜的结构和成膜机理 被引量:3
19
作者 王雷 刘常升 +1 位作者 石磊 安成强 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期453-456,共4页
在热镀锌钢板表面制备了硅烷钒锆复合钝化膜。用X射线光电子能谱(XPS)、射频辉光放电发射光谱(rf-GD-OES)和傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)表征了钝化膜的组成结构,分析了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。结果表明:硅烷之间互... 在热镀锌钢板表面制备了硅烷钒锆复合钝化膜。用X射线光电子能谱(XPS)、射频辉光放电发射光谱(rf-GD-OES)和傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)表征了钝化膜的组成结构,分析了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。结果表明:硅烷之间互联构成了硅烷钒锆复合钝化膜的主成膜成分,无机缓蚀剂均匀分布在膜层中。钝化膜表面Si2p的XPS窄幅扫描谱100.7eV处的拟合峰和红外光谱在波数1 100cm-1 Si—O吸收峰变宽加强,表明硅烷以Si—O—Zn键的形式化学吸附在锌的表面,硅烷分子之间通过Si—O—Si键相互交联;红外光谱中1 650和1 560cm-1的两个酰胺特征峰,结合910cm-1的环氧特征峰的消失,表明γ-GPT的环氧基团在氨基活性氢的诱导下开环和γ-APT的氨基之间发生聚合反应形成交联的空间网状结构;rf-GD-OES分析发现钝化膜0.3μm处存在一层富氧层,钝化反应生成的ZrF4,ZrO2和钒盐等无机物均匀分布在钝化膜中。分析膜层组成结构和成膜前后的ATR-FTIR光谱,研究了成膜过程中发生的物理过程和化学变化,提出了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。 展开更多
关键词 硅烷钒锆钝化膜 XPS rf-GD-OES FTIR 成膜机理
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射频磁控反应溅射制备HfO_2薄膜的工艺及电性能 被引量:4
20
作者 鹿芹芹 刘正堂 +1 位作者 刘文婷 张淼 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期249-253,共5页
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究。结果表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气... 采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究。结果表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气压增加呈先增大后减小的趋势。制备的薄膜中Hf和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比。研究了薄膜的C-V特性;获得了O2流量、射频功率及退火温度对薄膜电学性能的影响规律。 展开更多
关键词 磁控反应溅射 HFO2薄膜 沉积速率 C-v特性
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