RCA管理在提高消毒供应室器械清洗质量中的应用

1

作者 张娟 《中国卫生产业》 2025年第4期62-65,共4页

目的探究消毒供应室采用根因分析(root cause analysis,RCA)管理对提升器械清洗质量的作用。方法选取2024年1—12月东营市第二人民医院供应室9名工作人员为研究对象,2024年1—6月实施常规管理(对照组),2024年7—12月实施RCA管理(研究组... 目的探究消毒供应室采用根因分析(root cause analysis,RCA)管理对提升器械清洗质量的作用。方法选取2024年1—12月东营市第二人民医院供应室9名工作人员为研究对象,2024年1—6月实施常规管理(对照组),2024年7—12月实施RCA管理(研究组)。每组选择1000件医疗器械对比消毒供应室器械清洗合格率及工作人员对管理的满意度。结果研究组器械清洗合格率为100.00%(1000/1000),高于对照组的99.60%(996/1000)。研究组管理满意度高于对照组,差异均有统计学意义(P均<0.05)。结论开展RCA管理可以提高消毒供应室器械清洗质量及工作人员对管理满意度。 展开更多

关键词 消毒供应室 器械清洗 根因分析 质量管理

暂未订购

全自动半导体RCA清洗机 被引量：6

2

作者 段成龙 祝福生 《清洗世界》 CAS 2013年第1期42-46,共5页

RCA清洗工艺是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,是去除硅片表面各类玷污的有效方法。本文介绍了RCA清洗工艺的原理、过程以及应用,并详细介绍了全自动半导体RCA清洗机的组成、各单元结构及功能。

关键词 rca清洗工艺 化学清洗 清洗设备 全自动设备

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅/硅界面处理工艺对硅光敏晶体管性能影响的比较研究

3

作者 黄绍春 黄烈云 +2 位作者 彭金萍 郭培 向勇军 《半导体光电》 北大核心 2025年第1期70-74,共5页

研究了多晶硅/硅发射极结构光敏晶体管的制备工艺。为分析多晶硅/硅界面质量对芯片性能的影响,通过对比低压化学气相淀积(LPCVD)多晶硅前不同表面预处理方案(RCA清洗和稀释氢氟酸漂洗)以及多晶硅淀积后不同温度退火工艺,系统研究了光敏... 研究了多晶硅/硅发射极结构光敏晶体管的制备工艺。为分析多晶硅/硅界面质量对芯片性能的影响,通过对比低压化学气相淀积(LPCVD)多晶硅前不同表面预处理方案(RCA清洗和稀释氢氟酸漂洗)以及多晶硅淀积后不同温度退火工艺,系统研究了光敏晶体管直流增益(hFE)和发射极接触电阻(re)的变化情况。实验结果表明,采用稀释氢氟酸漂洗工艺可有效降低增益对偏置电压的敏感性;适当提高退火温度(900~1100℃)能够使发射极接触电阻率降低,同时显著改善芯片关键性能参数的一致性,但会导致峰值电流增益降低。该研究为优化光敏晶体管界面工程提供了重要工艺参考。 展开更多

关键词 硅光敏晶体管 多晶硅/硅界面 rca清洗 电流增益 发射极接触电阻

原文传递

半导体湿制程设备清洗技术对产品质量的影响

4

作者 张立军 马玉水 《计算机应用文摘》 2025年第13期256-257,260,共3页

随着半导体技术节点向3nm及以下制程演进,湿制程清洗技术已成为决定芯片良率、电学性能及长期可靠性的核心环节。文章系统分析了湿法清洗在晶圆制造全流程中的关键作用,结合RCA清洗、单片清洗等主流技术,揭示了清洗工艺对颗粒污染控制... 随着半导体技术节点向3nm及以下制程演进,湿制程清洗技术已成为决定芯片良率、电学性能及长期可靠性的核心环节。文章系统分析了湿法清洗在晶圆制造全流程中的关键作用,结合RCA清洗、单片清洗等主流技术,揭示了清洗工艺对颗粒污染控制、界面性能优化及晶体缺陷抑制的直接影响机制。研究结果表明,湿法清洗步骤占晶圆制造总工序的30%以上,清洗不彻底导致的纳米级颗粒残留可使良率下降15%~20%;通过优化SC1/SC2溶液配比及兆声波清洗参数,可使0.1μm级颗粒去除率达99.99%。 展开更多

关键词 湿制程清洗 纳米级颗粒 rca工艺 SiC清洗 良率提升

在线阅读 下载PDF 职称材料

HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量：11

5

作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多

关键词 硅片 rca清洗 兆声波 HF/O3

在线阅读 下载PDF 职称材料

超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗 被引量：13

6

作者 王磊 惠瑜 +1 位作者 高超群 景玉鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第2期65-70,79,共7页

简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保... 简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。 展开更多

关键词 rca清洗 硅片清洗 无损伤清洗 超临界二氧化碳 超临界流体 干燥

在线阅读 下载PDF 职称材料

干冰微粒喷射清洗技术 被引量：19

7

作者 郭新贺 王磊 景玉鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第4期258-262,共5页

简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒... 简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。 展开更多

关键词 rca清洗 硅片清洗 CO2 干冰微粒喷射 清洗设备

原文传递

通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究 被引量：7

8

作者 黄绍春 刘新 +1 位作者 叶嗣荣 刘小芹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期468-471,共4页

通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weib... 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。 展开更多

关键词 rca清洗法 湿法化学清洗 四甲基氢氧化铵(TMAH) 乙二胺四乙酸(EDTA)

原文传递

半导体IC清洗技术 被引量：30

9

作者 李仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期44-47,共4页

介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。

关键词 半导体 IC 清洗技术 湿法清洗 rca清洗 稀释化学法 IMEC清洗法 单晶片清洗 干法清洗

在线阅读 下载PDF 职称材料

清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响 被引量：2

10

作者 徐世海 边子夫 +4 位作者 高飞 张丽 程红娟 王健 李晖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第5期452-457,共6页

研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子... 研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果。实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近。优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5%、20.4%和4.1%,表面粗糙度为0.069 2 nm。 展开更多

关键词 氮化铝(AlN)单晶 除蜡剂 食人鱼溶液清洗法 rca清洗法 化学机械抛光(CMP) 有机沾污

原文传递

硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势 被引量：9

11

作者 曹秀芳 姚立新 +1 位作者 祝福生 宋文超 《电子工业专用设备》 2011年第4期9-13,28,共6页

简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术,包括一些典型的槽体结构、干燥工艺技术等。并就清洗技术的发展需要,阐述未来清洗设备的发展趋势。

关键词 硅片 污染物 标准工业湿法清洗 槽式清洗 旋转甩干 单片旋转清洗

在线阅读 下载PDF 职称材料

CMP后清洗技术发展历程 被引量：5

12

作者 周国安 徐存良 《电子工业专用设备》 2013年第8期9-12,44,共5页

从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全... 从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全面阐述CMP工业界的后清洗发展历程。 展开更多

关键词 化学机械平坦化 后清洗 rca湿法清洗 在线清洗 集成清洗

在线阅读 下载PDF 职称材料

半导体硅片清洗工艺发展方向 被引量：15

13

作者 闫志瑞 《电子工业专用设备》 2004年第9期23-26,共4页

对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。

关键词 硅片 rca清洗 硅片清洗 硅片表面

在线阅读 下载PDF 职称材料

VDMOS器件制造中的湿法工艺与设备研究 被引量：4

14

作者 宋文超 《电子工业专用设备》 2021年第6期16-20,共5页

简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原理进行了介绍。

关键词 VDMOS器件 湿法设备 rca清洗 SPM去胶 BOE腐蚀 铝腐蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

兆声清洗技术分析及应用 被引量：5

15

作者 李仁 《电子工业专用设备》 2004年第1期63-66,共4页

主要论述兆声清洗技术原理及其在微电子清洗工艺过程中的应用。采用兆声清洗法可以减少化学品和高纯水的用量,在不破坏晶圆表面特征的前提下,提高对亚微细颗粒及各种污染物的去除能力及生产效率。

关键词 rca清洗法、高纯水 范德瓦尔斯引力 气穴效应 兆声清洗 压电陶瓷晶体

在线阅读 下载PDF 职称材料

半导体硅材料的清洗方法 被引量：5

16

作者 王艳茹 李贺梅 《天津科技》 2017年第5期56-58,63,共4页

半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工... 半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究,分析了各种清洗方法的优缺点。最后,重点对半导体硅片传统的RCA清洗方法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限进行了详细介绍。生产企业可根据实际生产情况和产品要求选择合适的清洗方法。 展开更多

关键词 硅片 表面污染 超声清洗 rca清洗

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅片湿法清洗技术与设备 被引量：5

17

作者 张乾 《电子工业专用设备》 2010年第8期20-22,35,共4页

介绍了硅片制造过程中常见的湿法清洗技术,以及实现这些清洗技术的设备或装置。

关键词 rca 化学清洗 刷洗 兆声 喷淋清洗 水冲洗

在线阅读 下载PDF 职称材料

碳化再生粗骨料环保型超高性能混凝土的制备 被引量：14

18

作者 冷勇 余睿 +1 位作者 范定强 张学玉 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1185-1189,1218,共6页

提出了一种再生建筑废弃物的高效利用方法,并以此制备了生态型超高性能混凝土(UHPC).基于改进的颗粒堆积模型(MAA模型),开发了最大粒径为4.75 mm的碳化再生粗骨料(CRCA)超高性能混凝土(CRCA-UHPC),评估了CRCA对UHPC宏观性能及纳微观结... 提出了一种再生建筑废弃物的高效利用方法,并以此制备了生态型超高性能混凝土(UHPC).基于改进的颗粒堆积模型(MAA模型),开发了最大粒径为4.75 mm的碳化再生粗骨料(CRCA)超高性能混凝土(CRCA-UHPC),评估了CRCA对UHPC宏观性能及纳微观结构的影响.结果表明:将CRCA掺入UHPC中可以改善UHPC的力学性能和耐久性能,降低UHPC的自收缩,优化骨料与基体间的界面过渡区(ITZ). 展开更多

关键词 再生粗骨料 超高性能混凝土 清洁建筑材料 碳化再生粗骨料

在线阅读 下载PDF 职称材料

对抛光片清洗技术的研究 被引量：4

19

作者 何良恩 凤坤 +1 位作者 唐雪林 李刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期14-17,共4页

研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18mm以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109... 研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18mm以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2)。 展开更多

关键词 rca 表面活性剂 抛光硅片 清洗

在线阅读 下载PDF 职称材料

半导体晶圆自动清洗设备 被引量：8

20

作者 王锐延 《电子工业专用设备》 2004年第9期8-12,共5页

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的... 主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。 展开更多

关键词 湿法化学 工艺模块 QDR rca清洗

在线阅读 下载PDF 职称材料