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天文短波红外焦平面探测器的增益均匀性
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作者 魏彦锋 黄健 +3 位作者 孙权志 陈奕杰 梁清华 林春 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第11期67-74,共8页
碲镉汞短波红外焦平面探测器在红外天文观测中具有重要作用。采用光子转移曲线(Photon Transfer Curve, PTC)来表征探测器性能参数是一种重要的测试方法。根据PTC测量探测器的增益是表征探测器其他性能的前提。采用碲镉汞液相外延薄膜... 碲镉汞短波红外焦平面探测器在红外天文观测中具有重要作用。采用光子转移曲线(Photon Transfer Curve, PTC)来表征探测器性能参数是一种重要的测试方法。根据PTC测量探测器的增益是表征探测器其他性能的前提。采用碲镉汞液相外延薄膜材料和n-on-p芯片结构制备了640×512规格的红外探测器,探测器截止波长为2.0μm。用PTC方法测量红外焦平面探测器的增益,发现在焦平面上不同区域的增益是不均匀的,增益的非均匀性达到了20.2%。增益的非均匀性反映了探测器芯片内部性能的差异,尤其是不同光敏元噪声的差异。芯片加工过程可能是引起增益不均匀的原因之一。通过改进芯片工艺,特别是改进芯片的机械化学减薄工艺,降低抛光损伤,提高了探测器芯片表面不同区域的增益均匀性。改进工艺后,增益的非均匀性从20.2%降低到0.3%,获得了增益均匀的探测器芯片,增益的平均值为0.159 DN/e-,并测量得到探测器的暗电流为2.2 e-/s,读出噪声为67 e-。 展开更多
关键词 天文探测器 碲镉汞红外焦平面 光子转移曲线 增益 暗电流 读出噪声
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本征缺陷态影响下Ga_(2)O_(3)/Cu_(2)O二极管的电学与光电特性
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作者 丁尔沙 尤琪 +1 位作者 朱俊 张克雄 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 2025年第3期317-324,共8页
缺陷对氧化物半导体电子及光电子器件的性能起到至关重要的作用。设计由宽禁带半导体n-Ga_(2)O_(3)/p-Cu_(2)O异质结构成的二极管,通过仿真研究器件中的本征缺陷态对其电学与光电特性的影响。随着缺陷浓度增加,空穴浓度不断上升,电子浓... 缺陷对氧化物半导体电子及光电子器件的性能起到至关重要的作用。设计由宽禁带半导体n-Ga_(2)O_(3)/p-Cu_(2)O异质结构成的二极管,通过仿真研究器件中的本征缺陷态对其电学与光电特性的影响。随着缺陷浓度增加,空穴浓度不断上升,电子浓度不断下降,导致正向导通电压与反向击穿电压不断升高。器件的最低正向导通电压为0.42V,最大反向击穿电压达到190V。若受紫外光照射,光生电流随缺陷浓度的增加先缓慢增加然后不断减小,光生电流密度超过10^(-3)A/cm^(2)。 展开更多
关键词 异质结 缺陷浓度 导通电压 击穿电压 光生电流
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TiO_2纳米管阵列光电催化氧化处理氨氮废水 被引量:15
3
作者 李丹丹 刘中清 +2 位作者 颜欣 郑剑 刘旭 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1358-1362,共5页
用电化学阳极氧化法制备了高度有序的钛基二氧化钛纳米管阵列薄膜。用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)表征样品的形貌与晶型特征。以二氧化钛纳米管阵列为光阳极,石墨为对电极,测试了不同pH值和外加偏压条件下的光电流响应和光... 用电化学阳极氧化法制备了高度有序的钛基二氧化钛纳米管阵列薄膜。用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)表征样品的形貌与晶型特征。以二氧化钛纳米管阵列为光阳极,石墨为对电极,测试了不同pH值和外加偏压条件下的光电流响应和光电催化氧化降解NH4Cl水溶液(以N计,100 mg·L-1)的效率。结果表明:所制备的TiO2纳米管阵列具有锐钛矿和金红石的混晶结构,且主要晶型为锐钛矿。光电流响应的强弱与光电催化氧化效率的高低相对应,降解氨氮废水的最佳条件为pH=11,偏压为1.0 V。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 光电催化氧化 光电流响应 氨氮废水
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稀土铅钙合金阳极膜的电化学性能研究 被引量:6
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作者 张娟 周根树 李党国 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期419-422,共4页
采用电化学阻抗谱(EIS)和光电化学方法对比研究了稀土铅钙合金和普通铅钙合金在0.9V,4.5mol/L硫酸溶液中所形成的阳极腐蚀膜的电化学和光电化学性能,同时利用X射线光电子光谱(XPS)对比分析了两种合金阳极膜的组成。结果表明:稀土可使铅... 采用电化学阻抗谱(EIS)和光电化学方法对比研究了稀土铅钙合金和普通铅钙合金在0.9V,4.5mol/L硫酸溶液中所形成的阳极腐蚀膜的电化学和光电化学性能,同时利用X射线光电子光谱(XPS)对比分析了两种合金阳极膜的组成。结果表明:稀土可使铅钙合金阳极膜中Pb2+化合物含量减少,缺陷增加,阻抗降低,有利于消除早期容量损失(PCL)现象。 展开更多
关键词 稀土 铅钙合金 交流阻抗 光电流 XPS
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光电双基区晶体管中的光控电流开关效应 被引量:5
5
作者 郭维廉 张培宁 +2 位作者 郑云光 李树荣 张世林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期19-21,30,共4页
光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
关键词 光电负阻器件 光控电流开关 光电晶体管
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多路光电流采集的前置放大 被引量:5
6
作者 孙王强 江海鹰 刘维东 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期117-120,共4页
在常规多路光电流采集系统的前置放大电路中,一般采用各路先独立进行I/V转换,然后再切换进行A/D转换的方法。针对I/V转换电阻参数的分散性所导致的各路转换增益不同,各路之间存在分散性误差的问题,提出了电流直接切换方案,即利用模拟开... 在常规多路光电流采集系统的前置放大电路中,一般采用各路先独立进行I/V转换,然后再切换进行A/D转换的方法。针对I/V转换电阻参数的分散性所导致的各路转换增益不同,各路之间存在分散性误差的问题,提出了电流直接切换方案,即利用模拟开关先切换多路电流然后进行精密I/V转换,有效地解决了上述问题,彻底消除了原理性误差。对新方案进行了初步的理论分析和实验,给出了实验结果。实验证明该方案达到预期效果。 展开更多
关键词 光电流 模拟转换开关 数据采集 前置放大
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溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响 被引量:2
7
作者 焦静 沈鸿烈 +2 位作者 张三洋 李金泽 王威 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期10-14,共5页
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明:溶液... 采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明:溶液的pH值在9~11的范围内均可以制备均匀致密的CdS薄膜,其中pH=10时制备的CdS薄膜最为均匀致密且其X射线衍射仪衍射峰强度最强,对应的光学带隙约为2.37eV;光电流响应曲线显示该薄膜的光电导最高为2.94×10-2Ω-1·cm-1,光暗电导比为38.23,具有最佳的光敏性. 展开更多
关键词 化学浴沉积法 CDS薄膜 光电流响应 光电导 光暗电导比 光敏性
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硅光电负阻器件的光电功能 被引量:3
8
作者 张世林 郭维廉 +2 位作者 沙亚男 李树荣 郑云光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期17-21,共5页
全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能,为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
关键词 光电负阻器件 光控电流开关 光控调频 光电功能
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基于两种扫描方式的PSD响应特性 被引量:3
9
作者 尚鸿雁 张广军 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1130-1134,共5页
光源不同扫描方式直接影响PSD对位置探测的准确性。给出直接扫描和光照稳态后扫描两种方式照射下一维PSD的解析解,以及光入射位置的计算值与实际值的误差曲线。结果表明,两种扫描方式造成光生电流的输出范围不同,光照稳态后扫描方式比... 光源不同扫描方式直接影响PSD对位置探测的准确性。给出直接扫描和光照稳态后扫描两种方式照射下一维PSD的解析解,以及光入射位置的计算值与实际值的误差曲线。结果表明,两种扫描方式造成光生电流的输出范围不同,光照稳态后扫描方式比直接扫描方式能更真实的反映光入射位置信息,能够获得较高的探测精度。 展开更多
关键词 光源 扫描方式 一维PSD 响应特性 光生电流
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光电效应实验方法的改进 被引量:2
10
作者 段福莲 郑才平 张伟力 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2000年第6期27-30,共4页
用通常的实验装置演示光电效应现象 ,由于所产生的光电流很弱 ,因而现象不明显 ,不易观察 ,我们在原有的实验装置中增加了一个放大电路 ,将光电流加以放大 ,从而改进了实验效果 ,本文介绍用改进后的装置 ,演示实验的情况 .
关键词 光电效应 光电流 放大器 实验方法 实验装置 光粒子性 红限频率 伏安特性
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新型平板光电池式精密位移传感器的研究 被引量:1
11
作者 徐君 张处武 +1 位作者 王允龙 李华 《自动化仪表》 CAS 北大核心 2009年第1期13-15,共3页
传统的栅式位移传感器大都采用机械刻线的方式来对空间量进行细分,存在成本较高、系统复杂等缺点。提出了一种新型平板光电池式精密位移传感器,采用高分辨率的AD器件对与空间位移量所对应的平板光电池输出的光电流进行细分,从而达到对... 传统的栅式位移传感器大都采用机械刻线的方式来对空间量进行细分,存在成本较高、系统复杂等缺点。提出了一种新型平板光电池式精密位移传感器,采用高分辨率的AD器件对与空间位移量所对应的平板光电池输出的光电流进行细分,从而达到对空间位移细分的目的,并在实验中验证了这种方案的正确性和可行性。 展开更多
关键词 时栅 光电池 光电流 角位移 直线位移 位移传感器
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TiO_2纳米管半导体特性与光电催化动力学研究 被引量:1
12
作者 张胜寒 梁可心 檀玉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B11期957-960,共4页
通过阳极氧化法在有机溶液中制备TiO2纳米管阵列,随着氧化时间的不同,TiO2纳米管阵列呈现各异的形貌。通过光电流测试,考察了不同氧化时间和施加不同电压下的Ti/TiO2纳米管阵列光电极的光电化学响应,阳极氧化6h表面规整纳米管阵列并施... 通过阳极氧化法在有机溶液中制备TiO2纳米管阵列,随着氧化时间的不同,TiO2纳米管阵列呈现各异的形貌。通过光电流测试,考察了不同氧化时间和施加不同电压下的Ti/TiO2纳米管阵列光电极的光电化学响应,阳极氧化6h表面规整纳米管阵列并施加偏压0.1V光电流响应最强。通过测试Mott-Schott-ky曲线,计算不同氧化时间的TiO2纳米管阵列的半导体载流子浓度、平带电位、空间电荷层宽度和能带弯曲量等特征参数,理论上提出了TiO2纳米管阵列生长机理。在光电催化降解无机氨氮的实验中,所得到的电化学阻抗谱(EIS)表明,外加偏压0.1V时,TiO2纳米管阵列电极的光电催化活性最强,同时通过拟合电路分析可知,光电催化降低了电极界面的反应阻抗,加速了光生载流子的转移,在TiO2纳米管阵列电极/溶液界面Helmholtz层中发生的氧化还原反应是整个光电催化反应的速率控制步骤。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 光电流 电化学阻抗谱 Mott-Schottky曲线 光电催化
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染料敏化纳米晶薄膜太阳能电池用染料敏化剂的研究进展 被引量:4
13
作者 王红军 王艳蕊 +1 位作者 关梦杰 高娟 《化学工程师》 CAS 2010年第10期22-26,共5页
染料敏化剂的性能是影响染料敏化太阳能电池光电转化效率的重要因素,关于染料敏化剂的研究是当前研究的热点之一。本文简要介绍了染料敏化剂在染料敏化纳米晶太阳能电池中的作用以及各种染料敏化剂的优缺点及发展现状,并对其应用前景进... 染料敏化剂的性能是影响染料敏化太阳能电池光电转化效率的重要因素,关于染料敏化剂的研究是当前研究的热点之一。本文简要介绍了染料敏化剂在染料敏化纳米晶太阳能电池中的作用以及各种染料敏化剂的优缺点及发展现状,并对其应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 染料敏化剂 太阳能电池 光电转化效率
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光电效应实验中用“顺序增量调整法”求普朗克常量 被引量:2
14
作者 郭秀芝 陈若辉 +1 位作者 陈传国 刘海旭 《吉林化工学院学报》 CAS 2011年第5期71-73,共3页
分析光电效应实验中产生误差的主要原因,总结出确定遏止电压的新方法——"顺序增量调法".用此方法求普朗克常量,简捷方便、减少了测量误差.
关键词 光电效应 普朗克常量 遏止电压 反向光电流 顺序增量调整法
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电泳沉积制备ZnO-C_(60)和ZnO-MWCNT复合涂层电极及其光电性质 被引量:2
15
作者 黄紫洋 梁广超 范楼珍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2630-2634,共5页
在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面电泳沉积制备ZnO-C60和ZnO-MWCNT复合涂层电极,经后续热处理增强其结合强度,通过SEM观察2种电极复合涂层的表面形貌,并使用CHI 705电化学分析仪和PMI-E电致化学发光系统测定其光电性质.结果表明,ZnO-C60复... 在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面电泳沉积制备ZnO-C60和ZnO-MWCNT复合涂层电极,经后续热处理增强其结合强度,通过SEM观察2种电极复合涂层的表面形貌,并使用CHI 705电化学分析仪和PMI-E电致化学发光系统测定其光电性质.结果表明,ZnO-C60复合涂层电极具有较高的稳定性,在可见光辐照下,该电极显示出很高的光生电流,电流突跃率达30%(Δi=0.022μA);ZnO-MWCNT复合涂层电极也具有较高的稳定性及较强的电致发光性能. 展开更多
关键词 电泳沉积 ZnO—C60复合涂层电极 ZnO—MWCNT复合涂层电极 光生电流 电致发光
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光敏二极管电压特性研究 被引量:8
16
作者 吴会利 郑莹 《微处理机》 2016年第4期16-18,共3页
光敏二极管是在外加反向偏压的情况下体现出其光电转换特性的。对于光敏器件来说,其反向击穿特性至关重要。首先对光敏二极管的结构、工作原理进行了概述,从浅结光敏区、过程缺陷、表面应力、不同结构等方面展开对光敏二极管电压特性的... 光敏二极管是在外加反向偏压的情况下体现出其光电转换特性的。对于光敏器件来说,其反向击穿特性至关重要。首先对光敏二极管的结构、工作原理进行了概述,从浅结光敏区、过程缺陷、表面应力、不同结构等方面展开对光敏二极管电压特性的研究工作。通过实验验证及器件工艺模拟仿真,分别采用快速退火、改进表面清洗工艺、掺氯氧化工艺、采用合理的淀积温度及速率、采用双层膜结构或热退火工艺等方式改善和提高光敏二极管的电压特性。通过研究其反向击穿电压特性,保证其电压参数的同时,可以有效提升产品其它参数如暗电流、光生电压等的控制水平。 展开更多
关键词 反向击穿电压 光电流 暗电流 浅结光敏区 层错缺陷 晶格缺陷 沾污 表面应力
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稳流稳光型He—Ne激光电源 被引量:4
17
作者 高经伍 赵凤华 孙灵芳 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期35-36,共2页
介绍一种采用光耦—电流反馈原理调整稳定激光电源的输出电流 ,同时利用光反馈原理调整输出高稳定度激光的激光器电源。研究中发现光反馈的反射光角度与输出激光稳定度有特殊关系并存在临界、最佳光反射角。该研究为研制稳流。
关键词 稳流稳光型He-Ne激光电源 HE-NE激光器 输出电流 光反馈原理
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Zn^(2+)离子掺杂对纳米TiO_2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响 被引量:1
18
作者 付姚 曹望和 彭勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1780-1783,共4页
采用sol-gel法制备了Zn2+离子掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、吸收光谱、原子力显微镜(AFM),结合光电流作用谱研究了Zn2+离子掺杂对TiO2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响。结果表明,在所选浓度范围内,Zn2+... 采用sol-gel法制备了Zn2+离子掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极。通过X射线衍射(XRD)、吸收光谱、原子力显微镜(AFM),结合光电流作用谱研究了Zn2+离子掺杂对TiO2薄膜电极表面形貌和紫外光电性能的影响。结果表明,在所选浓度范围内,Zn2+离子掺杂浓度对薄膜的相组成和紫外光吸收强度无明显作用,但可显著改变薄膜表面颗粒大小和形貌特征,从而影响电极光电性能。0.1%(摩尔分数)Zn2+离子的掺杂使膜内颗粒尺寸由30nm增大至40nm,同时使表面颗粒的生长具有一定的择优取向,颗粒形状由本征薄膜的类球形变为垂直于膜面的柱状颗粒。这一结构大幅增大了薄膜的表面积,提高了载流子在固-液界面的传输效率,促使电极光电流密度(PCD)比本征电极提高40%。随掺杂浓度的提高,表面颗粒尺寸逐渐增大,形状恢复为类球形,电极光电性能有所降低。当掺杂浓度达到5%(摩尔分数)时,颗粒粒径急剧增大至130nm,表面颗粒因熔点降低而熔合成无孔表面,导致电极PCD急剧降低。 展开更多
关键词 Zn2+离子掺杂 纳米TiO2薄膜电极 紫外光电性能 光电转换
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用于生物荧光检测的CMOS光电探测器设计 被引量:3
19
作者 刘楠 洪志良 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期140-144,共5页
在标准CMOS工艺参数基础上,设计了三种(P+/Nwell型,Nwell/Psub型和N+/Psub型)光电探测器。通过对光电转换原理的详细分析以及数学模型的建立,理论上比较了三种探测器在灵敏度,暗电流,峰值响应波长等特性的差异,阐述了掺杂浓度,结深等工... 在标准CMOS工艺参数基础上,设计了三种(P+/Nwell型,Nwell/Psub型和N+/Psub型)光电探测器。通过对光电转换原理的详细分析以及数学模型的建立,理论上比较了三种探测器在灵敏度,暗电流,峰值响应波长等特性的差异,阐述了掺杂浓度,结深等工艺参数对器件性能的影响,并且采用SMIC0.18μmCMOS工艺进行流片验证。测试结果表明,P+/Nwell型结构最大灵敏度为0.08A/W,峰值响应波长460nm,暗电流55nA/cm2;Nwell/Psub型结构最大灵敏度为0.35A/W,峰值响应波长580nm,暗电流64nA/cm2;N+/Psub型结构最大灵敏度为0.29A/W,峰值响应波长580nm,暗电流600nA/cm2。测试结果表明,所设计的光电探测器性能与理论分析基本一致,在灵敏度,响应波长方面性能突出。 展开更多
关键词 荧光检测 光电探测器 灵敏度 暗电流
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AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量:2
20
作者 李永富 唐恒敬 +5 位作者 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页
为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束... 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间. 展开更多
关键词 扫描电容显微镜(SCM) 激光束诱导电流(LBIC) 光生载流子扩散 保护环 INP/INGAAS
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