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纳米PbZrO_3/GO复合材料的制备及其对RDX的催化分解 被引量:7
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作者 刘博 张钰 +3 位作者 王为民 高红旭 徐抗震 赵凤起 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期334-339,共6页
采用自组装法将纳米PbZrO_3和氧化石墨烯(GO)复合,制备了PbZrO_3/GO纳米复合材料;通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱(Raman)等对其结构进行表征分析;采用差示扫描量热法(DSC)比较并分析了PbZrO_3/GO、PbZrO_3... 采用自组装法将纳米PbZrO_3和氧化石墨烯(GO)复合,制备了PbZrO_3/GO纳米复合材料;通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱(Raman)等对其结构进行表征分析;采用差示扫描量热法(DSC)比较并分析了PbZrO_3/GO、PbZrO_3和GO对RDX的催化分解性能。结果表明,通过调整前驱体溶液的pH值,改变纳米颗粒的表面电荷,成功将纳米PbZrO_3(40nm)颗粒紧密负载于GO薄片上;GO的引入有效抑制了PbZrO_3纳米颗粒团聚,比表面积增加了13.73m^2/g;与RDX相比,PbZrO_3/GO、PbZrO_3和GO分别使RDX的热分解峰温降低24.35、14.43和16.57℃;PbZrO_3/GO使RDX热分解过程的表观活化能降低24.4kJ/mol;PbZrO_3/GO复合材料对RDX的催化性能显著优于单一组分的PbZrO_3和GO。 展开更多
关键词 纳米pbzro3 金属复合氧化物 氧化石墨烯(GO) RDX 催化分解
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反铁电晶体PbZrO_3序参量和对称性的研究 被引量:1
2
作者 韩代朝 蔡玉平 +1 位作者 何文辰 周国香 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期170-174,共5页
在反铁电晶体锆酸铅 (PbZrO3 )顺电反铁电相变中 ,伴随有对称性的变化。前人工作中选择反极化参量 (P )或子晶格的极化矢量 (PA、PB)作为反铁电相的序参量 ,根据居里原理得出了反铁电晶体锆酸铅反铁电相对称性所属空间群为Pbam(D2h)或Pb... 在反铁电晶体锆酸铅 (PbZrO3 )顺电反铁电相变中 ,伴随有对称性的变化。前人工作中选择反极化参量 (P )或子晶格的极化矢量 (PA、PB)作为反铁电相的序参量 ,根据居里原理得出了反铁电晶体锆酸铅反铁电相对称性所属空间群为Pbam(D2h)或Pba2 (C2v)。但是通过对中子衍射实验结果分析 ,该晶体反铁电相对称性所属空间群不是Pbam(D2h)或Pba2 (C2v) ,而是P2 /m(C2i)。本文选取轴矢量R作为反铁电相的序参量 ,对锆酸铅晶体应用居里原理 ,恰能得到正确的对称性P2 /m(C2i)。 展开更多
关键词 反铁电晶体 pbzro3 序参量 对称性 锆酸铅 居里原理 轴矢量
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PbZrO_3含量对PZN-PZ-PT因溶体弥散性相变的影响
3
作者 江向平 方健文 +3 位作者 初宝进 曾华荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期565-568,共4页
报道了相界附近PZN-PZ-PT三元系固溶体弥散性相变,并研究了PbZrO3含量对PZN-PZ-PT固溶体弥散性相变的影响,发现随着PbZrO3含量的增加,PZN-PZ-PT固溶体弥散程度有所增加.
关键词 pbzro3 PZN-PZ-PT 固溶体 弥散性相变 铁电体
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PbZrO_3和PLZT(8/65/35)薄膜的电性能及相转变
4
作者 孙平 姚熹 《电子器件》 CAS 1994年第2期29-32,共4页
采用MOD工艺制备了多晶PZ反铁电薄膜和PLZT(8/65/35)铁电薄膜,和相应的块状材料相比,PZ和PLZT薄膜的相变温度向高温移动为50℃,而且相变温区宽化。这些现象可以用存在于薄膜平面内的二维应力的作用加以解释。
关键词 薄膜 MOD工艺 pbzro3 PLZT(8/65/35) 陶瓷
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锆酸铅PbZrO3序参量的量子饱和
5
作者 蔡玉平 韩代朝 宁如云 《军械工程学院学报》 2007年第3期70-72,共3页
在503K反铁电体PbZrO3发生立方-正交相变,序参量是反平行离子位移引起的超晶格;在低温相时,PbZrO3的反铁电超晶格反射强度随温度的变化成正比,可以由考虑量子效应的Landau唯象理论加以描述;高于室温时,Г25超品格反射强度显示了... 在503K反铁电体PbZrO3发生立方-正交相变,序参量是反平行离子位移引起的超晶格;在低温相时,PbZrO3的反铁电超晶格反射强度随温度的变化成正比,可以由考虑量子效应的Landau唯象理论加以描述;高于室温时,Г25超品格反射强度显示了不同的温度依赖性。 展开更多
关键词 反铁电体 pbzro3 序参量 Landau理论
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纳米PbZrO_3对AP、RDX、HMX热分解和NG/NC双基推进剂燃烧性能的影响(英文) 被引量:11
6
作者 王为民 魏涛涛 +3 位作者 高红旭 肖立柏 徐抗震 赵凤起 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期29-35,共7页
通过共沉淀法制备了纳米锆酸铅(PbZrO_3),采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其结构进行了表征;采用差示扫描量热法(DSC)研究了PbZrO_3对AP、RDX和HMX热分解的催化性能;研究了含纳米PbZrO_3的NG/NC双基推进剂(Pb... 通过共沉淀法制备了纳米锆酸铅(PbZrO_3),采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对其结构进行了表征;采用差示扫描量热法(DSC)研究了PbZrO_3对AP、RDX和HMX热分解的催化性能;研究了含纳米PbZrO_3的NG/NC双基推进剂(PbZrO_3-DB)的热行为和非等温分解动力学。结果表明,PbZrO_3呈现典型的钙钛矿结构;纳米PbZrO_3能显著降低AP、RDX和HMX的热分解温度和表观活化能(分别降低了21、7.4和15kJ/mol);PbZrO_3-DB推进剂的热分解为非均相反应;PbZrO_3-DB推进剂的热分解机理为相边界反应的收缩圆柱体,动力学方程为dα/dt=1016.7/β2(1-α)1/2exp(-1.696×105/RT);用纳米PbZrOdt3作为NG/NC双基推进剂β的燃烧催化剂显著提高了其燃速,并降低了压强指数(在2~14MPa下为0.37~0.39);纳米PbZrO_3的催化燃烧性能显著优于PbO。 展开更多
关键词 纳米pbzro3 NG/NC双基推进剂 金属复合氧化物 固体推进剂 热分解 催化燃烧
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退火温度对锆酸铅薄膜光学性能的影响 被引量:3
7
作者 蒋力立 唐新桂 唐振方 《广东工业大学学报》 CAS 2005年第1期7-9,14,共4页
用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜.X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构.750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30~50nm.用紫外-可见光分光光度计在波长200~900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜... 用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜.X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构.750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30~50nm.用紫外-可见光分光光度计在波长200~900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜的透射率,结果表明450、600、750℃退火的薄膜样品,其光学吸收边分别为4.11、4.56、4.59eV. 展开更多
关键词 pbzro3薄膜 光学特性 吸收边
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锆酸铅薄膜的生长特性与表面化学态 被引量:1
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作者 唐振方 蒋力立 +2 位作者 刘彭义 孙汪典 唐新桂 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期142-145,169,共5页
以醋酸铅和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚为溶剂。通过溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出不开裂的钙钛矿PbZrO3薄膜。用XRD和原子力显微镜测量了薄膜随退火温度变化的结构和表面形貌特征,用XPS测试了650... 以醋酸铅和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚为溶剂。通过溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出不开裂的钙钛矿PbZrO3薄膜。用XRD和原子力显微镜测量了薄膜随退火温度变化的结构和表面形貌特征,用XPS测试了650°C退火PbZrO3薄膜的表面化学态。 展开更多
关键词 pbzro3 薄膜 溶胶-凝胶 表面形貌 化学态
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厚度对反铁电锆酸铅薄膜光学折射率的影响
9
作者 刘奇能 唐新桂 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期59-61,71,共4页
用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了厚度分别为89nm和137nm的PbZrO3(PZ)薄膜。X-射线衍射结果表明晶化好的PZ薄膜是钙钛矿结构。用椭偏光谱仪在波长345~1700nm范围内,测量了不同厚度的PZ薄膜的椭偏光谱。获得了不同厚度薄膜的... 用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了厚度分别为89nm和137nm的PbZrO3(PZ)薄膜。X-射线衍射结果表明晶化好的PZ薄膜是钙钛矿结构。用椭偏光谱仪在波长345~1700nm范围内,测量了不同厚度的PZ薄膜的椭偏光谱。获得了不同厚度薄膜的光学常数谱(折射率n和消光系数k)。结果表明在633nm处,厚度分别为89nm和137nm的PZ薄膜,其折射率n分别为2.090和2.236。 展开更多
关键词 pbzro3薄膜 椭偏光谱 光学特性
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Ferroelectricity at the extreme thickness limit in the archetypal antiferroelectric PbZrO_(3)
10
作者 Nikhilesh Maity Milan Haddad +4 位作者 Nazanin Bassiri-Gharb Amit Kumar Lewys Jones Sergey Lisenkov Inna Ponomareva 《npj Computational Materials》 2025年第1期493-498,共6页
Size-driven transition of an antiferroelectric into a polar ferroelectric or ferrielectric state is a strongly debated issue from both experimental and theoretical perspectives.While critical thickness limits for such... Size-driven transition of an antiferroelectric into a polar ferroelectric or ferrielectric state is a strongly debated issue from both experimental and theoretical perspectives.While critical thickness limits for such transitions have been explored,a bottom-up approach in the ultrathin limit considering few atomic layers could provide insight into the mechanism of stabilization of the polar phases over the antipolar phase seen in bulk PbZrO_(3).Here,we use first-principles density functional theory to predict the stability of polar phases in Pt/PbZrO_(3)/Pt nanocapacitors.In a few atomic layer thick slabs of PbZrO_(3) sandwiched between Pt electrodes,we find that the polar phase originating from the well established R3c phase of bulk PbZrO_(3) is energetically favorable over the antipolar phase originating from the Pbam phase of bulk PbZrO_(3).The famous triple-well potential of antiferroelectric PbZrO_(3) is modified in the nanocapacitor limit in such a way as to swap the positions of the global and local minima,stabilizing the polar phase relative to the antipolar one.The size effect is decomposed into the contributions from dimensionality reduction,surface charge screening,and interfacial relaxation,which reveals that it is the creation of well-compensated interfaces that stabilizes the polar phases over the antipolar ones in nanoscale PbZrO_(3). 展开更多
关键词 pbzro nanocapacitors antipolar phase stabilization polar phases ferrielectric state atomic layers polar ferroelectric ferroelectricity
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反铁电材料中负电卡效应的研究进展 被引量:2
11
作者 吴明 肖娅男 +4 位作者 李华强 刘泳斌 高景晖 钟力生 娄晓杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期376-386,共11页
电卡效应是指电介质材料中施加或去除电场导致的材料温度变化的现象,包括正电卡效应和负电卡效应两种类型。电卡效应作为一种高效率、无噪声、环境友好的制冷效应,在固态制冷特别是集成电路制冷领域显示出广阔的应用前景,在过去的几十... 电卡效应是指电介质材料中施加或去除电场导致的材料温度变化的现象,包括正电卡效应和负电卡效应两种类型。电卡效应作为一种高效率、无噪声、环境友好的制冷效应,在固态制冷特别是集成电路制冷领域显示出广阔的应用前景,在过去的几十年中吸引了科研人员广泛的研究兴趣。研究表明,通过结合正负电卡效应,可以显著提高电卡效应的制冷能力。与正电卡效应不同,负电卡效应因其独特的物理起源,调控手段极为有限。本文以负电卡效应为中心,重点介绍反铁电材料中负电卡效应的最新研究进展,具体内容包括以下四个部分:首先,从电卡效应的研究历史出发,介绍了电卡效应的制冷原理,介绍了一个典型的能将正、负电卡效应结合的双制冷循环;其次,介绍了基于Maxwell关系的负电卡效应间接测试方法,以及几种负电卡效应直接测试方法,并讨论了不同方法的适用条件和优缺点;再次,以典型的负电卡效应材料——反铁电材料为例,着重介绍了负电卡效应的物理起源,综述了反铁电薄膜和反铁电块体材料中的负电卡效应,并对其它铁电材料中的负电卡效应做了简要介绍;最后,对负电卡效应的研究进行了总结和展望。 展开更多
关键词 负电卡效应 反铁电体 pbzro 综述
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硅基外延SrRuO_3/PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3/SrRuO_3电容器的结构和性能研究
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作者 朱慧娟 刘保亭 +2 位作者 代秀红 郭建新 周阳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期428-431,451,共5页
传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5... 传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长。在5 V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8 V。当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能。 展开更多
关键词 硅衬底 外延生长 SrRu03 pbzro5Ti0503 SrRu03异质结
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锆盐文摘
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《无机盐技术》 2010年第2期49-49,共1页
二氧化锆的相稳定及其制备方法;纳米氧化锆的制备及其氧传感器的应用;共沉淀法合成PbZrO3粉体;电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高纯二氯氧化锆中钙和钡;
关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱法 文摘 锆盐 pbzro3 制备方法 纳米氧化锆 二氧化锆 氧传感器
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Corrections&amendments
14
《npj Computational Materials》 2025年第1期801-801,共1页
Publisher Correction:Ferroelectricity at the extreme thickness limit in the archetypal antiferroelectric PbZrO_(3)Open Access This article is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4... Publisher Correction:Ferroelectricity at the extreme thickness limit in the archetypal antiferroelectric PbZrO_(3)Open Access This article is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License,which permits any non-commercial use,sharing,distribution and reproduction in any medium or format,as long as you give appropriate credit to the original author(s)and the source,provide a link to the CreativeCommonslicence,and indicate if you modified the licensed material.You do not have permission under this licence to share adapted material derived from this article or parts of it.The images or other third party material in this article are included in the article’s Creative Commons licence,unless indicated otherwise in a credit line to the material.If material is not included in the article’s Creative Commons licence and your intended use is not permitted by statutory regulation or exceeds the permitted use,you will need to obtain permission directly from the copyright holder.To view a copy of this licence,visit http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/. 展开更多
关键词 antiferroelectric pbzro thickness limit archetypal antiferroelectric ferroelectricity
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