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High performance self-powered PbSe/WSe_(2)p-n heterojunction photodetector for image sensing
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作者 Silu Peng Chaoyi Zhang +5 位作者 Yuchao Wei Yi Ouyang Jiayue Han Chunyu Li Mingdong Dong Jun Wang 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第22期125-132,共8页
PbSe materials,with their narrow bandgap,excellent optical absorption and outstanding optical response,are ideal for infrared photodetectors,exhibiting unique advantages in optical communication,infrared imaging and t... PbSe materials,with their narrow bandgap,excellent optical absorption and outstanding optical response,are ideal for infrared photodetectors,exhibiting unique advantages in optical communication,infrared imaging and thermal detection.Nevertheless,PbSe typically has a non-layered crystal structure and inherent isotropy,making the synthesis of low-dimensional nanomaterials challenging.Besides,PbSe photoconductive detectors suffer from high dark current due to intrinsic defects and thermally excited carriers,which is detrimental to device performance.Here,we utilized physical vapor deposition(PVD)method to grow high-quality PbSe nanosheets and combined them with two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs)material WSe_(2)to fabricate a self-powered PbSe/WSe_(2)p-n heterostructure photodetector.Under illumination with a 650 nm laser at a power density of 128.97 mW/cm^(2)and 0 V bias,the PbSe/WSe_(2)heterojunction device exhibited significant photovoltaic characteristics and generated a short-circuit current of 161.7 nA.Furthermore,under 0.02 mW/cm^(2)of 650 nm laser illumination at 0 V bias,the device achieved an excellent responsivity(R)of 15.6 A/W and a specific detectivity(D^(*))of 1.08×10^(11)Jones.And the response speed of the heterojunction device at 0 V(511µs/74µs)was three orders of magnitude faster than that of PbSe nanosheets(93 ms/104 ms).The device also demonstrated broadband detection capabilities from 405 nm to 1550 nm and excellent imaging performance in the near-infrared region at 0 V bias.In summary,the outstanding photoelectric detection performance and imaging capabilities of the PbSe/WSe_(2)heterojunction nanosheet detector indicate its significant potential for applications in miniaturized,low-noise,broadband,high-speed and high-performance photodetectors. 展开更多
关键词 pbse NANOSHEET pbse/WSe_(2) HETEROJUNCTION PHOTODETECTOR
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基于表面钝化与上下通孔技术的高性能PbSe红外焦平面阵列探测器设计与实现
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作者 吕全江 李容凡 +2 位作者 胡天喜 吴勇 刘军林 《物理学报》 北大核心 2025年第10期191-201,共11页
本研究提出了一种基于行列扫描式信号读取方式的非制冷型PbSe红外焦平面阵列(IRFPA)探测器,并采用表面钝化层和上下通孔结构设计以确保电性连接的可靠性与稳定性,从而提升探测器性能.IRFPA探测器的整体尺寸为3.5 mm×3.5 mm,像元尺... 本研究提出了一种基于行列扫描式信号读取方式的非制冷型PbSe红外焦平面阵列(IRFPA)探测器,并采用表面钝化层和上下通孔结构设计以确保电性连接的可靠性与稳定性,从而提升探测器性能.IRFPA探测器的整体尺寸为3.5 mm×3.5 mm,像元尺寸为200μm×100μm,像元间距为200μm.电-热仿真结果验证了探测器结构的设计合理性.通过像元测试和成像实验,发现该探测器在室温下表现出优异的性能,其平均比探测率达到9.86×10^(9) Jones,平均响应率为1.03A/W,有效像元率为100%.此外,探测器在空气环境中静置150天后,得益于表面钝化层的保护,其性能仅下降3.6%.红外成像结果表明,该探测器在不同光功率密度下能够实现高对比度成像,显示出对不同光强的高灵敏探测能力.上述研究结果为开发高性能、高稳定性的PbSe IRFPA探测器提供了重要技术支撑和理论基础. 展开更多
关键词 pbse 焦平面 阵列 红外成像
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基于IGZO/NiO/PbSe异质结的双极结型红外光电晶体管及其应用
3
作者 雷春 陶治 +2 位作者 蔡玉琴 蒋力耀 朱永炳 《中国电子科学研究院学报》 2025年第2期184-193,共10页
文中展示了一种基于IGZO/NiO/PbSe纳米带阵列异质结结构的双极结型红外光电晶体管作为先进的快速光敏核心,能够满足近红外药液检测的需求。其中,PbSe纳米带阵列可以增强探测器对于红外波段的光吸收,加强光生载流子的收集。实验表明该晶... 文中展示了一种基于IGZO/NiO/PbSe纳米带阵列异质结结构的双极结型红外光电晶体管作为先进的快速光敏核心,能够满足近红外药液检测的需求。其中,PbSe纳米带阵列可以增强探测器对于红外波段的光吸收,加强光生载流子的收集。实验表明该晶体管具有高动态探测率(1.14×10^(12)Jones)和高响应度(4100 A/W)的优点,能够完美兼容自主设计的高精度差分负反馈锁相放大电路,通过观察到检测出的二次谐波(Twice the Fundamental Frequency,2f)信号的振幅与溶质之间存在良好的线性关系,继而能够准确推断出药液中溶质的种类和浓度信息。 展开更多
关键词 双极结型红外光电晶体管 pbse纳米带阵列 异质结结构 药液检测
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超声电化学制备PbSe纳米枝晶 被引量:12
4
作者 姜立萍 张剑荣 +1 位作者 王骏 朱俊杰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1161-1164,共4页
PbSe nanoparticles with dendrites have been prepared by sonoelectrochemical method from an aqueous solution containing Pb(Ac)2 and Na2SeSO3 in the presence of Trisodium Citrate (TSC). The nanoparticles were characteri... PbSe nanoparticles with dendrites have been prepared by sonoelectrochemical method from an aqueous solution containing Pb(Ac)2 and Na2SeSO3 in the presence of Trisodium Citrate (TSC). The nanoparticles were characterized by using powder X ray diffraction (XRD), transmission electron microscope (TEM) and X ray photoelectron spectroscopy(XPS). XRD patterns show the presence of diffraction peaks corresponding to the (111), (200),(220), (311), (222) planes of cubic PbSe. The TEM image shows dendrits PbSe in the presence of TSC, while in the presence of Potassium Nitrilotriacetate(NTA) the TEM image shows monodisperse spherical nanoparticles with an average size of 20nm. The effects of electrolysis and complexing agents on particle size and shape were also discussed. 展开更多
关键词 超声电化学 制备 pbse 纳米枝晶 半导体 硒化铅
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半导体PbSe薄膜的研究进展 被引量:10
5
作者 赵跃智 陈长乐 +1 位作者 金克新 高国棉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期20-23,共4页
综述了 PbSe 薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的优点。重点探讨了温度、薄膜厚度和缓冲层对PhSe 薄膜质量的影响。概述了 PbSe 薄膜在红外探测器和激光器方面的应用,指出了 PbSe 薄膜现存的问题及今后工作的重点和方向。
关键词 pbse 研究进展 半导体 制备方法 红外探测器 薄膜质量 薄膜厚度 缓冲层 激光器
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PbSe量子点近红外光源的CH_4气体检测 被引量:9
6
作者 邢笑雪 王宪伟 +2 位作者 秦宏伍 商微微 马玉静 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期662-668,共7页
研制了一种新型的PbSe量子点近红外光源,其光致发光谱较窄,能有效匹配气体的红外吸收峰。采用配位溶剂法合成出5.1 nm的PbSe量子点,并将其沉积到Ga N芯片上(沉积厚度为165.5μm),经过紫外光照处理和固化后制成了光致发光的近红外光源。... 研制了一种新型的PbSe量子点近红外光源,其光致发光谱较窄,能有效匹配气体的红外吸收峰。采用配位溶剂法合成出5.1 nm的PbSe量子点,并将其沉积到Ga N芯片上(沉积厚度为165.5μm),经过紫外光照处理和固化后制成了光致发光的近红外光源。该光源第一激子吸收峰位于1 592 nm,光致发光峰位于1 665 nm,其发射光谱包含了1 625~1 840 nm之间的CH_4气体的全部的吸收谱。利用其进行CH_4气体浓度检测实验,结果表明,系统的检测下限可以达到100×10^(-6),检测误差为2%。这种由PbSe量子点近红外光源构成的新型检测系统具有低功耗、低成本和高效能等优点,将其应用在气体检测中时可以略去滤光片,其在红外气体检测领域中有着较广阔的应用前景。 展开更多
关键词 CH4气体检测 pbse量子点 近红外发光
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硅基PbSe/BaF_2/CaF_2薄膜及其光电特性 被引量:4
7
作者 金进生 吴惠桢 +3 位作者 常勇 寿翔 X.M.Fang P.J.McCann 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期154-156,共3页
采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 缓冲层的方法 ,在 Si(111)衬底上外延的 Pb Se薄膜晶体质量高 ,Pb Se表面光亮 ,无开裂现象发生 ,X-光衍... 采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 缓冲层的方法 ,在 Si(111)衬底上外延的 Pb Se薄膜晶体质量高 ,Pb Se表面光亮 ,无开裂现象发生 ,X-光衍射峰峰宽窄 (15 3arcs) .外延生长的 Pb Se薄膜被应用于制作光电二极管 ,首次采用热蒸发金属铝膜在 Pb Se表面形成 Al- Pb Se肖特基结光电二极管 ,获得了比 Pb- Pb Se肖特基结更为稳定和理想的电流 展开更多
关键词 pbse薄膜 BaF2/CaF2缓冲层 肖特基结 I-V特性 分子束外延 光电二极管 SI(111)
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化学液相沉积制备PbSe薄膜生长过程及其性能研究 被引量:4
8
作者 罗飞 王锦鹏 +2 位作者 陶春虎 李志 刘大博 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期33-36,共4页
采用化学液相沉积方法在醋酸铅溶液体系中制备了厚度在微米量级的PbSe薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射和红外光谱分析等测试手段研究了PbSe薄膜的生长过程以及沉积时间对薄膜相结构、表面形貌和红外透光性能的影响。研究结果表明:随着沉... 采用化学液相沉积方法在醋酸铅溶液体系中制备了厚度在微米量级的PbSe薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射和红外光谱分析等测试手段研究了PbSe薄膜的生长过程以及沉积时间对薄膜相结构、表面形貌和红外透光性能的影响。研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜致密度增大,Se/Pb原子比增加,都为表面富Se的PbSe薄膜;在不同沉积时间下薄膜都为完全晶化的立方结构,各衍射峰清晰;薄膜厚度对其光学性质也有影响,随着沉积时间增加薄膜红外吸光度增大。 展开更多
关键词 化学液相沉积 pbse薄膜 薄膜生长
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PbSe胶质纳米晶温度依赖的光谱特性研究 被引量:2
9
作者 王芳荣 范文勇 +3 位作者 翟微微 张铁强 王一丁 张宇 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1153-1156,共4页
在研究中,制备了3.8和5.8nm两种尺寸的PbSe胶质纳米晶,并对PbSe胶质纳米晶温度依赖的光学特性进行了研究。实验数据表明:在室温情况下,随着温度和尺寸的变化,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度、发光峰值波长、发光强度及全波半宽度等都会发生... 在研究中,制备了3.8和5.8nm两种尺寸的PbSe胶质纳米晶,并对PbSe胶质纳米晶温度依赖的光学特性进行了研究。实验数据表明:在室温情况下,随着温度和尺寸的变化,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度、发光峰值波长、发光强度及全波半宽度等都会发生改变。在纳米晶尺寸是3.8nm时,PbSe胶质纳米晶的禁带宽度随温度升高产生红移;但是当尺寸是5.8nm时,禁带宽度随温度升高产生蓝移。随温度的升高,PbSe胶质纳米晶的发光强度将下降、全波半宽度会增加。 展开更多
关键词 纳米晶 pbse 禁带宽度 发光强度 全波半宽度(FWHM)
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水热法制备CdSe和PbSe共负载TiO_2纳米带复合材料 被引量:2
10
作者 嵇天浩 李丽 +2 位作者 田淼 董立雅 孙宝国 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期14-17,44,共5页
采用两步水热合成过程制得了CdSe或/和PbSe负载的TiO2纳米带复合材料。用XRD、SEM、TEM、UV-Vis吸收和FTIR等测试技术对产物进行了一系列表征。结果表明,六方相CdSe粒子或/和立方相PbSe粒子直接负载在四方相锐钛矿型TiO2纳米带表面,其... 采用两步水热合成过程制得了CdSe或/和PbSe负载的TiO2纳米带复合材料。用XRD、SEM、TEM、UV-Vis吸收和FTIR等测试技术对产物进行了一系列表征。结果表明,六方相CdSe粒子或/和立方相PbSe粒子直接负载在四方相锐钛矿型TiO2纳米带表面,其中呈近球形CdSe粒子的粒径主要在100~400 nm,而呈近立方体形PbSe粒子的边长主要在300~1 000 nm。CdSe和PbSe共负载TiO2纳米带复合材料在可见光区域有强的光吸收。由FTIR谱图推断,在复合材料载体TiO2纳米带结构中掺杂有少量Cd2+或/和Pb2+离子。 展开更多
关键词 水热合成 复合材料 CdSe/pbse负载 TIO2纳米带 功能材料
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掺杂PbSe/PVA量子点的光致聚合物全息特性 被引量:2
11
作者 聂慧丽 李若平 +3 位作者 李海柱 朱治广 尉乔南 黄明举 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期7-12,共6页
通过原位合成法以聚乙烯醇辅助合成了6.5nm、10nm和15nm的PbSe量子点,研究了掺杂PbSe量子点的光致聚合物的全息特性.将三种尺寸的PbSe量子点按不同浓度分别掺入光致聚合物中,制成无机-有机复合型光致聚合物膜,并对其全息性能进行研究.... 通过原位合成法以聚乙烯醇辅助合成了6.5nm、10nm和15nm的PbSe量子点,研究了掺杂PbSe量子点的光致聚合物的全息特性.将三种尺寸的PbSe量子点按不同浓度分别掺入光致聚合物中,制成无机-有机复合型光致聚合物膜,并对其全息性能进行研究.复合聚合物膜的UV-Vis吸收光谱表明掺入的PbSe量子点并未与聚合物中的有机组分发生化学反应.采用氩氪离子激光器输出的647nm红光研究了复合聚合物膜的透过率和全息记录光栅的布喇格偏移与衍射效率.透过率曲线表明PbSe量子点在复合聚合物膜中分散良好,膜表面均匀.由于PbSe量子点在聚合物链中起支撑作用,复合聚合物膜在全息记录过程中不易发生形变,从而增加了聚合物膜的抗缩皱能力.衍射效率曲线表明掺入PbSe量子点的复合聚合物膜的衍射效率比未掺杂的有所提高.此外,体系存在一个最优值,当掺入平均粒径为10nm且浓度为3.6×10-6 mol/L的PbSe量子点时,样品的透过率达到84%,衍射效率从67.2%提升到89.7%,缩皱率降低到0.8%,极大提高了材料的全息性能. 展开更多
关键词 全息存储 光致聚合物材料 实验法 pbse 衍射效率
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PbSe(001)表面特性的第一性原理研究 被引量:2
12
作者 宋友林 李铁盘 +3 位作者 马建新 李金铭 刘金海 贾瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1350-1353,共4页
用第一性原理的密度泛函理论计算了PbSe(001)表面的几何结构和电子特性。计算结果表明:PbSe(001)表面几层原子出现明显的振荡弛豫现象,但没发生重构,第一、二原子间距减小,第二、三层原子间距增大,同时也发现表面层原子出现褶皱。该表... 用第一性原理的密度泛函理论计算了PbSe(001)表面的几何结构和电子特性。计算结果表明:PbSe(001)表面几层原子出现明显的振荡弛豫现象,但没发生重构,第一、二原子间距减小,第二、三层原子间距增大,同时也发现表面层原子出现褶皱。该表面的直接带隙出现在X点,在导带底和价带顶附近出现4个表面共振态,另外两个表面态分别出现在-4.0eV附近和-11.5eV附近。 展开更多
关键词 密度泛函理论 表面几何结构 表面电子特性 pbse
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PbSe修饰TiO_2纳米带复合材料的水热制备及其可见光催化活性 被引量:2
13
作者 雷静果 滑永永 +2 位作者 周吉 郄楠 嵇天浩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期376-381,共6页
以Na2[PbCl4]络合物溶液、Na2SeSO3溶液和TiO2纳米带为前驱物,采用水热法简单制备了无桥联PbSe修饰TiO2纳米带复合材料,并对该材料进行了罗丹明B的可见光催化降解活性测试。各种测试结果表明,立方相PbSe呈纳米粒子状态沉积在锐钛矿型TiO... 以Na2[PbCl4]络合物溶液、Na2SeSO3溶液和TiO2纳米带为前驱物,采用水热法简单制备了无桥联PbSe修饰TiO2纳米带复合材料,并对该材料进行了罗丹明B的可见光催化降解活性测试。各种测试结果表明,立方相PbSe呈纳米粒子状态沉积在锐钛矿型TiO2纳米带表面,其沉积量可通过重复合成次数在一定程度上得到控制,但对TiO2纳米带比表面积影响很小,PbSe修饰有利于对有机物降解的光催化作用;PbSe对TiO2纳米带修饰呈现出明显可见光吸收,对TiO2起到光敏化作用;可见光催化结果证实,PbSe修饰TiO2纳米带对罗丹明B光催化降解活性远比纯TiO2纳米带高出许多。 展开更多
关键词 水热合成 可见光催化 纳米复合材料 TIO2纳米带 pbse纳米粒子
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PbSe量子点硅酸盐玻璃光纤的制备及光纤光致荧光光谱特性 被引量:6
14
作者 程成 席子扬 姚建华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期61-67,共7页
对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5nm,掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测试.以980nm泵浦激光作... 对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5nm,掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测试.以980nm泵浦激光作为激励源,用荧光光谱仪观测了量子点光纤的荧光发射谱.结果表明:合适的量子点光纤的退火条件跟块玻璃不同.当退火温度为500~600℃、热处理时间为5~10h时,观测到量子点光纤有强烈的荧光辐射,峰值波长位于1 300~1 450nm,半高全宽达200~330nm.光纤最佳退火温度为600℃、时间7.5h.本文得到的量子点玻璃光纤可进一步制备成玻璃基底的量子点光纤型增益器件光纤放大器、光纤激光器等. 展开更多
关键词 pbse量子点 量子点光纤 熔融拉丝 退火热处理 光致荧光光谱
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PbSe纳米晶薄膜制备以及其光电特性研究 被引量:2
15
作者 周凤玲 李效民 +1 位作者 高相东 邱继军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期778-782,共5页
以Pb(Ac)2、Na2SeSO3分别作为铅源和硒源,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积PbSe纳米晶薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射光谱以及在光脉冲下的电流-时间曲线(i-t)对纳米薄膜材料结构和性能进行了表征.结果表明... 以Pb(Ac)2、Na2SeSO3分别作为铅源和硒源,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积PbSe纳米晶薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射光谱以及在光脉冲下的电流-时间曲线(i-t)对纳米薄膜材料结构和性能进行了表征.结果表明,薄膜的结晶质量随络合剂浓度升高而提高,薄膜的光学吸收边从体材料的5μm蓝移至1μm左右,经过退火处理薄膜吸收边红移.退火处理引起薄膜电阻显著降低,i-t测试曲线表明经过较低氧压退火处理的纳米晶薄膜具有较快的光电导性能,而在空气气氛中退火的薄膜则出现慢光电导性能. 展开更多
关键词 pbse 红外探测器 化学浴 纳米晶薄膜
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PbSe量子点荧光匹配气体吸收光谱方法研究 被引量:2
16
作者 邢笑雪 秦宏伍 商微微 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期3588-3591,共4页
PbSe量子点(PbSe-QDs)是红外波段的典型纳米材料,其具有大的玻尔半径、小的体材料禁带宽度(玻尔半径是46nm,体材料禁带宽度是0.28eV),因此,在近红外区域,PbSe-QDs具有强大的尺寸受限效应和较高的量子产出率。本文对不同尺寸的PbSe... PbSe量子点(PbSe-QDs)是红外波段的典型纳米材料,其具有大的玻尔半径、小的体材料禁带宽度(玻尔半径是46nm,体材料禁带宽度是0.28eV),因此,在近红外区域,PbSe-QDs具有强大的尺寸受限效应和较高的量子产出率。本文对不同尺寸的PbSe量子点的荧光光谱特性进行了研究,提出了一种通过调节PbSe量子点的量子尺寸匹配气体吸收光谱的方法。采用配位溶剂的方法制备了尺寸为4.6和6.1nm的PbSe量子点,将该PbSe量子点沉积到GaN发光芯片上并经过紫外光照处理和固化后制成了光致发光的近红外光源,其中4.6nm的PbSe-QDs的沉积厚度为671.5μm,而6.1nm的PbSe-QDs的沉积厚度为48μm。将制成的近红外光源应用到C2H2气体和NH3气体的检测实验中,实验结果表明,通过改变PbSe量子点的尺寸可以调节光源光致发光峰的位置,从而覆盖目标气体在近红外波段的吸收谱线。4.6nm的光源发射光谱包含了1 500~1 550nm之间的C2H2气体的全部的吸收谱;6.1nm的光源发射光谱包含了1 900~2 060nm之间的NH3气体的全部的吸收谱。这种利用PbSe量子点尺寸的可调性匹配对应气体吸收谱的方法是可行和有效的,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 光致发光 pbse量子点 近红外光源 光谱匹配
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PbSe量子点液芯光纤的温度效应 被引量:3
17
作者 张冰 张磊 张蕾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期623-629,共7页
采用三能级系统的速率方程和功率传输方程并考虑温度对各项参数的影响,求解在不同的光纤长度和量子点掺杂浓度时,3.3nm PbSe量子点液芯光纤的发射光谱随温度的变化。发现当光纤长度不同时,随着温度的升高,光谱的峰值位置以相近的速率发... 采用三能级系统的速率方程和功率传输方程并考虑温度对各项参数的影响,求解在不同的光纤长度和量子点掺杂浓度时,3.3nm PbSe量子点液芯光纤的发射光谱随温度的变化。发现当光纤长度不同时,随着温度的升高,光谱的峰值位置以相近的速率发生红移,光谱的峰值强度下降。对于较长的光纤,其光强随温度升高的衰减速率较大。当掺杂浓度不同时,随着温度的升高,光谱的峰值位置以相近的速率发生红移,峰值强度以相近的速率衰减。 展开更多
关键词 pbse量子点 液芯光纤 温度效应
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PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构 被引量:1
18
作者 徐天宁 吴惠桢 +2 位作者 斯剑霄 曹春芳 黄占超 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期621-625,共5页
用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃. 展开更多
关键词 无机非金属材料 pbse单晶薄膜 分子束外延 应变弛豫 螺旋结构
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PbSe薄膜的表面腐蚀改性研究 被引量:1
19
作者 田野 刘大博 +4 位作者 罗飞 祁洪飞 刘勇 成波 滕乐金 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期20-24,共5页
采用磁控溅射法制备Pb Se薄膜,并用配制的腐蚀液进行不同时间的表面处理,从而得到不同表面形貌的薄膜结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对处理后的Pb Se薄膜的表面形貌、晶体结构以及光学... 采用磁控溅射法制备Pb Se薄膜,并用配制的腐蚀液进行不同时间的表面处理,从而得到不同表面形貌的薄膜结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对处理后的Pb Se薄膜的表面形貌、晶体结构以及光学性能进行了表征,同时对薄膜的光电导性能进行测试。结果表明,薄膜经此工艺处理后,表面形成了一系列纳米陷光结构,并有着不同程度的氧化。不同腐蚀时间下,薄膜的光电导性能均有明显地提升,其中经3h腐蚀处理的薄膜的光电导性能提升最高。该方法无需进行后续热处理,是一种简单高效的敏化手段。 展开更多
关键词 pbse 陷光结构 敏化改性
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PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理 被引量:2
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作者 斯剑霄 吴惠桢 +1 位作者 徐天宁 曹春芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期99-102,共4页
采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5~8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为~300... 采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5~8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为~300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77~295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率. 展开更多
关键词 pbse薄膜 迁移率 光学波散射
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