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高压VDMOSFET的PW/PT与RonA的关系
被引量:
1
1
作者
王中文
高嵩
《微处理机》
2003年第5期9-11,14,共4页
本文介绍了功率 VDMOSFET导通电阻的模型 ,重点讨论了 PW与 PT对特征导通电阻 Ron A的影响 ,经过大量的理论计算 ,给出了击穿电压为 5 0 0 V时 PW/PT与 Ron A的关系曲线。首次提出 Ron A与 PW/PT有最佳比例关系。
关键词
高压
VDMOSFET
pw/pt
RonA
导通电阻
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职称材料
题名
高压VDMOSFET的PW/PT与RonA的关系
被引量:
1
1
作者
王中文
高嵩
机构
辽宁大学物理系
出处
《微处理机》
2003年第5期9-11,14,共4页
文摘
本文介绍了功率 VDMOSFET导通电阻的模型 ,重点讨论了 PW与 PT对特征导通电阻 Ron A的影响 ,经过大量的理论计算 ,给出了击穿电压为 5 0 0 V时 PW/PT与 Ron A的关系曲线。首次提出 Ron A与 PW/PT有最佳比例关系。
关键词
高压
VDMOSFET
pw/pt
RonA
导通电阻
Keywords
power VDMOSFET
on-state resistance
featured resistance
cell
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
高压VDMOSFET的PW/PT与RonA的关系
王中文
高嵩
《微处理机》
2003
1
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