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温度稳定剂掺杂PLZT-PZN-PNN-PSN压电陶瓷及安防报警器的制备与性能研究
1
作者 戴昭波 张元松 +1 位作者 张珍宣 秦洁 《佛山陶瓷》 2025年第1期33-35,41,共4页
采用固相烧结法制备了温度稳定剂掺杂PLZT-PZN-PNN-PSN的压电陶瓷。通过XRD对组分进行物相分析,并研究了不同温度稳定剂掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响,并装备成安防报警器,分析了安防报警器的性能。研究表明:不同温度稳定剂... 采用固相烧结法制备了温度稳定剂掺杂PLZT-PZN-PNN-PSN的压电陶瓷。通过XRD对组分进行物相分析,并研究了不同温度稳定剂掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响,并装备成安防报警器,分析了安防报警器的性能。研究表明:不同温度稳定剂含量掺杂组分的密度先增大后减小,在x=0.02处最为致密;样品均为呈现单一的ABO_(3)型钙钛矿结构。随着温度稳定剂含量的增加,压电介电性能先增大后减小,在x=0.02处性能最优,即相对介电常数(ε_(r)):3408、压电常数(d_(33)):611pC/N、平面机电耦合系数(K_(p)):0.78。将最优组分制备的安防报警器在高低温环境下测试的声压≥85dB,满足市场使用要求。 展开更多
关键词 plzt-PZN-PNN-PSN压电陶瓷 温度稳定剂 安防报警器 压电和介电性能
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PLZT陶瓷纤维/环氧树脂1-3复合材料的制备和性能研究 被引量：22
2
作者 李坤 李金华 +1 位作者 李锦春 陈王丽华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期361-366,共6页
以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维.该纤维经热解、烧结后成为直径约25μm的陶瓷纤维.陶瓷纤维的表面和断面形貌的电子扫描图象表明,该陶瓷纤维均匀致密.用阿基米德法测得陶... 以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维.该纤维经热解、烧结后成为直径约25μm的陶瓷纤维.陶瓷纤维的表面和断面形貌的电子扫描图象表明,该陶瓷纤维均匀致密.用阿基米德法测得陶瓷纤维的密度为:7.78×103kg/m3.对于直径为4.4mm、厚度为43μm、陶瓷含量为70％的PLZT陶瓷纤维/环氧树脂1-3复合材料压电片,测得其压电常数d33、机电转换常数kt分别为:410pC/N和0.631. 展开更多
关键词 plzt陶瓷纤维 环氧树脂 1-3复合材料 溶胶-凝胶法 掺镧锆钛酸铅 压电材料
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PLZT非晶薄膜光学性质研究 被引量：7
3
作者 李辉遒 张曰理 +4 位作者 文锦辉 阳生红 莫党 许煜寰 J.D.Mackenize 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期201-204,共4页
用溶胶 -凝胶技术制备了化学组分为 5 /5 0 /5 0的 PL ZT非晶薄膜 .测试其在 2 0 0～ 80 0 nm波长范围的光学透射谱 ,和 2 0 0～ 6 70 nm波长范围的椭偏光谱 .得到了 PL ZT(5 /5 0 /5 0 )非晶薄膜膜厚和光学常数谱 (折射率 n谱和消光系... 用溶胶 -凝胶技术制备了化学组分为 5 /5 0 /5 0的 PL ZT非晶薄膜 .测试其在 2 0 0～ 80 0 nm波长范围的光学透射谱 ,和 2 0 0～ 6 70 nm波长范围的椭偏光谱 .得到了 PL ZT(5 /5 0 /5 0 )非晶薄膜膜厚和光学常数谱 (折射率 n谱和消光系数 k谱 ) ,并与组分为 9/6 5 /35的 PL ZT非晶薄膜的吸收边和折射率进行了比较 . 展开更多
关键词 plzt 非晶薄膜 椭偏光谱 光学常数
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Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜 被引量：6
4
作者 侯识华 宋世庚 +2 位作者 郑应智 马远新 郑毓峰 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2002年第1期107-112,共6页
介绍了Sol-Gel法,并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结,详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程.
关键词 SOL-GEL法 plzt 铁电薄膜 钛酸盐 制备 工艺流程 原料
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原位XRD法研究电疲劳过程中铁电陶瓷PLZT的畴变 被引量：8
5
作者 张颖 陈志武 +1 位作者 程璇 张飒 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1299-1304,共6页
利用SEM观察了未疲劳和疲劳铁电陶瓷极化试样的断口形貌.利用原位XRD观测了电疲劳过程中极化试样表面铁电电畴的变化,并记录了相应的剩余极化强度.实验结果表明:疲劳试样的主要断裂模式为沿晶断裂;随疲劳次数的增加,每次疲劳后试样表面I... 利用SEM观察了未疲劳和疲劳铁电陶瓷极化试样的断口形貌.利用原位XRD观测了电疲劳过程中极化试样表面铁电电畴的变化,并记录了相应的剩余极化强度.实验结果表明:疲劳试样的主要断裂模式为沿晶断裂;随疲劳次数的增加,每次疲劳后试样表面I(002)减小,I(200)增加;每次疲劳后在外加电场作用下试样表面I(002)增加幅度和I(200)减小幅度随疲劳次数的增加而减少.这些现象说明:可翻转电畴的减少是剩余极化强度降低的主要原因;非协调高畴变应变形成大量沿晶微裂纹并导致疲劳试样主要断裂模式为沿晶断裂;沿晶微裂纹的形成和伸长主要发生在电疲劳的初期. 展开更多
关键词 plzt铁电陶瓷 电疲劳 90°畴变 应变 微裂纹
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铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究 被引量：6
6
作者 侯识华 宋世庚 +1 位作者 马远新 郑毓峰 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期43-47,共5页
采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )... 采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 plzt 铁电薄膜 铅过量 电学性质 锆钛酸铅镧薄膜 介电性能 铁电性能 制备
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原位Raman光谱技术研究PLZT铁电陶瓷相变 被引量：3
7
作者 张飒 刘莹 +2 位作者 刘怡萱 程璇 张颖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期399-404,共6页
采用传统固相反应法制备了原子比Zr/Ti≈52/48,掺杂少量镧的锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料,X射线衍射分析表明得到的陶瓷粉末样品为纯钙钛矿相。对PLZT铁电陶瓷材料进行不同温度下的原位Raman谱观测,得到了各Raman特征谱的频率和峰强随温... 采用传统固相反应法制备了原子比Zr/Ti≈52/48,掺杂少量镧的锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料,X射线衍射分析表明得到的陶瓷粉末样品为纯钙钛矿相。对PLZT铁电陶瓷材料进行不同温度下的原位Raman谱观测,得到了各Raman特征谱的频率和峰强随温度的变化规律。结果表明,从-200℃升温至600℃过程中,准同型相界附近的PLZT铁电陶瓷分别发生了两种相变:在0℃发生了单斜相到四方相的转变,而在350℃发生了四方相到立方相的转变;并且,在-150℃和250℃附近还可能分别发生低温单斜相到高温单斜相和混合相的相变。 展开更多
关键词 plzt铁电陶瓷 相变 准同型相界 原位Raman光谱
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ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能 被引量：4
8
作者 刘国营 刘祖黎 +1 位作者 柳擎 刘红日 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期48-51,共4页
用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余... 用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余极化强度为35.4×10–6C/cm2,矫顽场强为111×103V/cm。100kHz时的εr和tgδ分别为984和0.13。在外加电场小于9V时,薄膜的漏电流密度不超过10–8A/cm2。 展开更多
关键词 无机非金属材料 plzt铁电薄膜 掺锡氧化铟 SOL-GEL法 电学性质
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PLZT陶瓷的晶界现象 被引量：3
9
作者 祝炳和 赵梅瑜 +3 位作者 姚尧 郑鑫森 敖海宽 殷之文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期13-16,共4页
利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区... 利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区的电光性， “壳－芯”结构， 析出物在晶界区的沉积， 电畴在该区的成核和生长， 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区， 展开更多
关键词 功能陶瓷 晶界 电畴 plzt
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水热条件下形成的PLZT固溶体的X射线分析 被引量：2
10
作者 程虎民 谯静 +2 位作者 马季铭 赵振国 齐利民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期1253-1257,共5页
用Ｘ射线分析研究了不同水热条件下（１３０～２２０℃，ＣＫＯＨ＝１～５ｍｏｌ／Ｌ，Ｚｒ／Ｔｉ＝０／１０～１０／０，Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．０～１．７，ｘ（Ｌａ）＝０～２０％）四元系ＰＬＺＴ固溶体的形成，Ｌａ（３＋）在... 用Ｘ射线分析研究了不同水热条件下（１３０～２２０℃，ＣＫＯＨ＝１～５ｍｏｌ／Ｌ，Ｚｒ／Ｔｉ＝０／１０～１０／０，Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．０～１．７，ｘ（Ｌａ）＝０～２０％）四元系ＰＬＺＴ固溶体的形成，Ｌａ（３＋）在上述水热条件下不易进入固溶体晶格取代Ａ位的Ｐｂ（２＋）或Ｂ位的Ｚｒ（４＋）和Ｔｉ（４＋），而可能存在于晶界处或被吸附在颗粒的表面上，通过热处理逐渐进入晶格。在固溶体的四方相区易发生Ａ位取代，使晶胞收缩，轴比减小．在三方相区可能同时发生Ａ位与Ｂ位取代，晶胞体积稍有缩小．Ｌａ（３＋）的存在有利于三方－四方同质异构相界区固溶体的形成。反应温度和矿化剂ＫＯＨ的浓度对产物固溶体的形成及其形貌有重要影响。 展开更多
关键词 plzt 水热合成 电光陶瓷 固溶体 X射线
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铁电PLZT薄膜的最新研究进展 被引量：8
11
作者 苗彬彬 王君 +1 位作者 陈江涛 闫鹏勋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期539-544,共6页
锆钛酸铅镧(Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3)铁电材料是一种具有优越铁电、介电、压电和热释电性能的材料,在微电子领域有着广泛的应用前景。本文概括介绍了Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、研究现状和应用展... 锆钛酸铅镧(Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3)铁电材料是一种具有优越铁电、介电、压电和热释电性能的材料,在微电子领域有着广泛的应用前景。本文概括介绍了Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、研究现状和应用展望;并对现阶段薄膜研究过程中的一些问题做了简要叙述。 展开更多
关键词 铁电/介电薄膜 plzt 光电特性
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PLZT铁电薄膜的物理特性研究 被引量：3
12
作者 陈篮 李辉遒 +1 位作者 张曰理 莫党 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期287-290,共4页
铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶 -凝胶技术制备的PLZT铁电薄膜从热处理工艺、X射线结构分析、FT -IR红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了PLZT铁电薄膜的热处理工艺条件、结构特性、光谱特性与材料的表观... 铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶 -凝胶技术制备的PLZT铁电薄膜从热处理工艺、X射线结构分析、FT -IR红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了PLZT铁电薄膜的热处理工艺条件、结构特性、光谱特性与材料的表观裂纹、晶态与非晶态之间的关系。对红外光谱的特征吸收峰作了指认 ,得到了一系列有意义的结果。 展开更多
关键词 plzt铁电薄膜 热处理 X射线衍射 FT-IR红外光谱
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溶胶-凝胶法制备PLZT反蛋白石材料 被引量：2
13
作者 李勃 周济 +1 位作者 李龙土 桂治轮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期203-204,共2页
介绍了一种sol-gel方法合成PLZT反蛋白石结构。以单分散的聚苯乙烯亚微米球人造蛋白石为模板,通过调整的溶胶-凝胶方法制备PLZT溶胶,再将溶胶前驱体填充在模板中。填充后的模板缓慢升温到750℃煅烧,排除有机成分并使PLZT结晶。通过这种... 介绍了一种sol-gel方法合成PLZT反蛋白石结构。以单分散的聚苯乙烯亚微米球人造蛋白石为模板,通过调整的溶胶-凝胶方法制备PLZT溶胶,再将溶胶前驱体填充在模板中。填充后的模板缓慢升温到750℃煅烧,排除有机成分并使PLZT结晶。通过这种方法,可以借助微球直径为400nm的模板得到孔隙直径在280nm的PLZT反蛋白石结构材料。 展开更多
关键词 反蛋白石材料 溶胶-凝胶法 制备 plzt 镧锆钛酸铅
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PLZT 陶瓷的光致电压效应和光致伸缩效应研究 被引量：6
14
作者 张显奎 李洪人 许耀铭 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期1-3,7,共4页
介绍了一种光控伺服系统中应用的新型光机转换器件。由于极化后的ＰＬＺＴ陶瓷片具有光致伸缩效应，所以，根据光信号来控制ＰＬＺＴ陶瓷片的伸缩量，实现光控伺服系统，从而完全消除了传统电伺服系统中的电磁干扰。实验表明，ＰＬＺ... 介绍了一种光控伺服系统中应用的新型光机转换器件。由于极化后的ＰＬＺＴ陶瓷片具有光致伸缩效应，所以，根据光信号来控制ＰＬＺＴ陶瓷片的伸缩量，实现光控伺服系统，从而完全消除了传统电伺服系统中的电磁干扰。实验表明，ＰＬＺＴ陶瓷片在不同光谱、光强照射下，ＰＬＺＴ陶瓷片呈现出很强的光电效应。光电效应包括热释电效应和光伏效应，同时具有光致伸缩效应，光电压与照射光强度成比例关系，光致伸缩量与光电压成线性关系，所以，可根据光的强度来控制ＰＬＺＴ陶瓷片的伸缩量，完全有可能应用于光控伺服系统。 展开更多
关键词 伺服系统 光电压效应 光致伸缩效应 plzt陶瓷
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PLT晶种层对PLZT薄膜介电性能的影响 被引量：2
15
作者 张卫华 南瑞华 +1 位作者 赵高扬 赵卫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期11-14,共4页
采用sol-gel工艺,以钛酸铅镧(PLT)作为晶种层,在Pt/TiO2/Si基板上,制备了锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明:引入PLT晶种层的PLZT薄膜,在600℃热处理可得到良好的钙钛矿结构,比无晶种层薄... 采用sol-gel工艺,以钛酸铅镧(PLT)作为晶种层,在Pt/TiO2/Si基板上,制备了锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明:引入PLT晶种层的PLZT薄膜,在600℃热处理可得到良好的钙钛矿结构,比无晶种层薄膜降低了约100℃;其相对介电常数为1177(1 kHz),提高约60%,介质损耗为0.10～0.13,降低幅度最高可达40%～50%。 展开更多
关键词 无机非金属材料 锆钛酸铅锎(plzt)薄膜 sol-gel工艺 钛酸铅镧晶种层 介电性能
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水热法合成PLZT压电陶瓷粉体 被引量：1
16
作者 姜斌 曾娟 +1 位作者 邓宏 王恩信 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期508-511,共4页
采用水热法合成了ＰＬＺＴ（９／６５／３５）多晶陶瓷粉体。讨论了反应温度、反应时间、矿化剂浓度等不同工艺条件对ＰＬＺＴ晶化过程的影响；得到了一组可以合成出纯钙钛矿相ＰＬＺＴ的工艺条件，即当反应温度为２００℃、矿化剂浓度... 采用水热法合成了ＰＬＺＴ（９／６５／３５）多晶陶瓷粉体。讨论了反应温度、反应时间、矿化剂浓度等不同工艺条件对ＰＬＺＴ晶化过程的影响；得到了一组可以合成出纯钙钛矿相ＰＬＺＴ的工艺条件，即当反应温度为２００℃、矿化剂浓度为５ｍｏｌ、反应时间为１２ｈ时，生成的粉末为纯钙钛矿相结构。 展开更多
关键词 水热法 镧锆钛酸铅 压电陶瓷 粉体 plzt
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PLZT陶瓷的光伏效应研究 被引量：3
17
作者 张显奎 李洪人 许耀铭 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第4期311-314,共4页
本文介绍了一种可应用于光控伺服系统的新型光－机转换器件ＰＬＺＴ陶瓷片，由于极化后的ＰＬＺＴ陶瓷片具有光致伸缩效应，由此可根据光信号来控制ＰＬＺＴ陶瓷片的伸缩量。实验表明，ＰＬＺＴ陶瓷片在一定紫外光照射下，ＰＬＺＴ陶瓷... 本文介绍了一种可应用于光控伺服系统的新型光－机转换器件ＰＬＺＴ陶瓷片，由于极化后的ＰＬＺＴ陶瓷片具有光致伸缩效应，由此可根据光信号来控制ＰＬＺＴ陶瓷片的伸缩量。实验表明，ＰＬＺＴ陶瓷片在一定紫外光照射下，ＰＬＺＴ陶瓷片呈现出很强光致伸缩效应，由于伸缩量与光电压成线性关系，所以，测量出ＰＬＺＴ光电压与照射光强度的关系。 展开更多
关键词 光执行器件 光伏效应 光致伸缩 plzt 陶瓷
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基于新型光电材料PLZT的光电机研究 被引量：3
18
作者 黄学良 叶飞 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期138-144,共7页
本文提出一种基于新型光电材料PLZT的电机——光电机。针对国内外的研究现状,重点分析光电机的驱动原理,光电机通过新型功能材料PLZT在紫外光照下产生光生伏特效应这一特性,借助电场力推动电机运动,实现从光能到机械能的转换。在此基础... 本文提出一种基于新型光电材料PLZT的电机——光电机。针对国内外的研究现状,重点分析光电机的驱动原理,光电机通过新型功能材料PLZT在紫外光照下产生光生伏特效应这一特性,借助电场力推动电机运动,实现从光能到机械能的转换。在此基础上结合有关数学推导,得出了光电机的驱动力表达式,给出简易的电机结构模型。本文将光电机与传统电机进行全面比较,得出其优势和存在的不足;在介绍国外研究的基础上,深入分析光电机研究过程中面临的难题,指出光电机研究未来的发展方向和光电机应用领域。 展开更多
关键词 光电机 光电效应 光电材料 plzt
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PLZT薄膜的结构、介电与光学性能的研究 被引量：2
19
作者 蒋力立 唐新桂 周歧发 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期403-406,共4页
以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂。用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Ph,La)(Ti,Zr)O_3(PLZT)薄膜。用原子力显微镜... 以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂。用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Ph,La)(Ti,Zr)O_3(PLZT)薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PLZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为10.3μC/cm^2和36kV/cm;在100kHz,薄膜的介电常数和损耗因子分别为682和0.021。生长在石英基片上的薄膜具有好的透光性,当波长高于360nm,其透过率高达72％。 展开更多
关键词 plzt薄膜 取向生长 电性能 光学特性 溶胶-凝胶
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工艺参数对Sol—Gel法制备的PLZT铁电薄膜结构和性能的影响 被引量：2
20
作者 阎培渝 李龙土 张孝文 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1995年第6期535-538,共4页
用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的ＰＬＺＴ薄膜，研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素适宜的前体溶液液浓度和水解度，低的热处理变温速率对防止薄膜龟裂有利／ＰｂＴｉＯ３过渡层改善ＰＬＺＴ薄膜的... 用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的ＰＬＺＴ薄膜，研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素适宜的前体溶液液浓度和水解度，低的热处理变温速率对防止薄膜龟裂有利／ＰｂＴｉＯ３过渡层改善ＰＬＺＴ薄膜的形核过程，使之生成纯钙钛矿结晶相．ＰｂＴｉＯ３过渡层及薄膜内细小的晶粒和空间电荷使薄膜的剩余极化强度下降，矫顽场强上升． 展开更多
关键词 plzt 铁电薄膜 SOL-GEL法
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