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碳酸钠对铜电极附着力的影响
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作者 陈康 朱晓云 +1 位作者 王春丰 张文哲 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第5期500-505,共6页
钛酸锶(SrTiO_(3))压敏电阻器铜电极与钛酸锶基体间的结合力会降低严重影响器件的应用寿命,掌握提高铜电极附着力性能的相关机理至关重要。通过在铜浆中添加碳酸钠(Na_(2)CO_(3)),以提高铜电极的附着力,并探究其微观机理。采用丝网印刷... 钛酸锶(SrTiO_(3))压敏电阻器铜电极与钛酸锶基体间的结合力会降低严重影响器件的应用寿命,掌握提高铜电极附着力性能的相关机理至关重要。通过在铜浆中添加碳酸钠(Na_(2)CO_(3)),以提高铜电极的附着力,并探究其微观机理。采用丝网印刷在SrTiO_(3)基体上印制铜浆后烧结形成铜电极,研究了铜浆中玻璃与碳酸钠的反应过程以及电极膜层与基体间的元素扩散情况。结果表明:Na_(2)CO_(3)改变了玻璃的析晶转变过程,降低了玻璃的软化点和粘度,促进了SrTiO_(3)基体与电极间的元素扩散,从而有效提高了铜电极的附着力。当铜浆中添加质量分数1%的Na_(2)CO_(3)时,SrTiO_(3)基体上铜电极的附着力最大为19.65 N。本研究对铜电极附着力的理论研究具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 铜浆 Na_(2)CO_(3) 附着力 玻璃 SrTiO_(3) 压敏电阻
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压敏电阻排布对压力传感器输出特性的影响
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作者 王旦旦 雷程 +2 位作者 闫施锦 冀鹏飞 梁庭 《微纳电子技术》 2025年第6期60-67,共8页
通过有限元仿真分析,研究了压敏电阻排布对压力传感器输出特性的影响。使用COMSOL软件对传感器芯片进行了力电耦合分析,重点对比了在相同形状的膜片上将压敏电阻位置按常规排布和经过改进后排布时的输出特性差异,同时对比了不同形状膜片... 通过有限元仿真分析,研究了压敏电阻排布对压力传感器输出特性的影响。使用COMSOL软件对传感器芯片进行了力电耦合分析,重点对比了在相同形状的膜片上将压敏电阻位置按常规排布和经过改进后排布时的输出特性差异,同时对比了不同形状膜片(方形膜、圆形膜、E型膜)上压敏电阻位置优化的趋势及其对输出特性的改善效果。通过对比分析发现,压敏电阻位置的优化能够显著提高传感器的输出电压和灵敏度,最小提升达到29.07%,最大提升可达到45.92%。此外,仿真结果还表明,压敏电阻位置的优化趋势普遍指向应力集中区域,特别是膜片的边缘和固支连接处,将压敏电阻布置于应力集中的区域能够显著改善传感器的响应性能。这项研究为进一步提升压力传感器的输出特性提供了理论依据和设计参考。 展开更多
关键词 压敏电阻 压力传感器 力电耦合 膜片形状 输出电压 应力集中区
原文传递
Near-zero nonlinear error pressure sensor based on piezoresistor sensitivity matching for wind tunnel pressure test
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作者 Yuanying Zhang Fengyun Liu +10 位作者 Zechen Zhou Xiubing Liang Riming Sun Jinjun Deng Xiaoliang Luo Jian Lin Xing Chen Xingxu Zhang Jian Luo Xiaojing Wang Binghe Ma 《Microsystems & Nanoengineering》 2025年第3期599-609,共11页
High-precision piezoresistive pressure sensors play a significant role in aerospace,automotive,and other fields.Nonlinear error is the key factor that restricts the improvement of the sensor precision.A mathematical m... High-precision piezoresistive pressure sensors play a significant role in aerospace,automotive,and other fields.Nonlinear error is the key factor that restricts the improvement of the sensor precision.A mathematical model for evaluating the sensor’s nonlinear error is established,based on which a piezoresistor sensitivity matching method is proposed to suppress the nonlinear error.By adjusting the piezoresistors'structure and position on the sensing membrane,four piezoresistors with equal sensitivity are obtained,and theoretical quasi-zero nonlinear error is achieved.To verify the design,sensor prototypes are fabricated utilizing the MEMS technology.After sensor packaging,a cylindrical absolute pressure sensor featuring a 4 mm diameter with a range from 0 to 100 kPa is acquired.The experimental results demonstrate the excellent performance of the proposed sensor,which indicates a nonlinear error as low as±0.004%FS.Besides,the proposed sensor has a sensitivity of 1.6810 mV/kPa,a hysteresis of 0.025%,a repeatability of 0.015%,a zero drift of 0.03%FS,and a 3 dB frequency from 0 to 121.82 kHz.Moreover,the prototype is tested in the Mach 4 wind tunnel,and the measurement error between the proposed sensor and the true pressure is±0.98%.This paper provides key sensing technology for high-precision surface pressure analysis of aircraft. 展开更多
关键词 sensing membranefour piezoresistor sensitivity matching pressure sensor mathematical model piezoresistor sensitivity matching method adjusting piezoresistorsstructure nonlinear error
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侧壁压阻式力传感器的研制与标定 被引量:7
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作者 陈涛 孙立宁 +3 位作者 陈立国 荣伟彬 李昕欣 王家畴 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第3期201-205,共5页
在对现有微操作中夹持力问题进行分析的基础上,提出了一种基于面内侧壁压阻的力传感器加工方法,成功地在MEMS微夹持器上集成了压阻式的力检测传感器,对夹持力的检测反馈实现了微操作的闭环控制.该方法利用离子注入工艺和深度反应离子刻... 在对现有微操作中夹持力问题进行分析的基础上,提出了一种基于面内侧壁压阻的力传感器加工方法,成功地在MEMS微夹持器上集成了压阻式的力检测传感器,对夹持力的检测反馈实现了微操作的闭环控制.该方法利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻,改善了侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题.最后通过压电叠堆驱动平台结合精密电子秤对压阻传感器进行了标定.测试表明,这种微力传感器加工技术可以很好地与其他工艺相兼容,力传感器的灵敏度优于72V/N,分辨率优于3μN. 展开更多
关键词 微机电系统 侧壁压阻 力传感器
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一种硅微压阻式压力传感器的研究 被引量:19
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作者 刘珍妮 谭晓兰 杨峻松 《机械设计与制造》 北大核心 2012年第1期103-105,共3页
研究了一种量程为20kPa的压阻式微压力传感器,同时采用ANSYS仿真得出影响传感器性能的一些规律。应用小挠度理论设计计算了压阻式硅传感器方形弹性膜片结构,并对圆形膜片与方形膜片进行了比较,同时设计了硅芯片以及压敏电阻的尺寸和阻... 研究了一种量程为20kPa的压阻式微压力传感器,同时采用ANSYS仿真得出影响传感器性能的一些规律。应用小挠度理论设计计算了压阻式硅传感器方形弹性膜片结构,并对圆形膜片与方形膜片进行了比较,同时设计了硅芯片以及压敏电阻的尺寸和阻值。通过模型分析和对方型硅膜片的模拟计算,确定了压敏电阻最佳放置位置,来提高灵敏度;并在各个不同的压力下仿真出应力分布图、得出输入—输出关系图及应力峰值。研究为压阻式微压力传感器的结构以及优化、稳健设计提供了一定参考。 展开更多
关键词 微压力传感器 压敏电阻 弹性膜片 仿真
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高量程MEMS加速度计的热应力仿真与可靠性评估 被引量:11
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作者 秦丽 于丽霞 +2 位作者 石云波 王孟美 冯恒振 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期555-560,共6页
硅压敏电阻阻值漂移过大导致输出失效是高量程MEMS加速度计在恶劣温度环境下工作的主要失效模式之一。通过模拟仿真加速度计悬臂梁、芯片结构和封装后整体模型的热应力分布情况,确定了压敏电阻所在结构梁区域是最容易失效的位置,且最大... 硅压敏电阻阻值漂移过大导致输出失效是高量程MEMS加速度计在恶劣温度环境下工作的主要失效模式之一。通过模拟仿真加速度计悬臂梁、芯片结构和封装后整体模型的热应力分布情况,确定了压敏电阻所在结构梁区域是最容易失效的位置,且最大热应力分布在芯片梁与质量块倒角处,其值约为107 N/m2;通过设计的高温加速恒定应力试验验证了加速度计的温度敏感特性,根据试验数据的特征采用三种可靠度评估方法定量外推出高量程MEMS加速度计在规定应力条件下的可靠度指标。研究结果表明,加速性能退化试验和基于退化量的可靠性评估方法适用于高量程MEMS加速度计在温度环境中的可靠性研究,能够利用有限的试验数据获得可信度较高的评估结果。 展开更多
关键词 高量程MEMS加速度计 阻值漂移 热应力仿真 加速试验 可靠度评估
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具有力感知功能的四臂式MEMS微夹持器研制 被引量:4
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作者 孙立宁 陈涛 +1 位作者 邵兵 李昕欣 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1878-1883,共6页
为使夹持器小型集成化且夹持力可控,采用体硅加工技术研制了一种基于单晶硅的、具有微力检测功能的新型四臂式MEMS微夹持器。以压阻检测技术为基础,利用MEMS侧面压阻刻蚀工艺将力传感器集成在微夹持器的夹持臂末端,实现夹持力的微力检... 为使夹持器小型集成化且夹持力可控,采用体硅加工技术研制了一种基于单晶硅的、具有微力检测功能的新型四臂式MEMS微夹持器。以压阻检测技术为基础,利用MEMS侧面压阻刻蚀工艺将力传感器集成在微夹持器的夹持臂末端,实现夹持力的微力检测。采用有限元软件分析,微夹持器机构和传感器弹性体,并通过S型柔性梁结构的设计将梳齿驱动的直线运动转化为夹持臂末段的转动,然后结合四臂式的末段结构,有效地扩展夹持器的夹持范围。利用硅玻璃键合技术实现夹持臂的电隔离,通过施加80V电压,夹持臂的单臂运动范围为25μm,夹持器的夹持范围为30~130μm。实验标定出传感器的最大量程在1mN以上,分辨率为3μN,可以实现夹持力的有效反馈。 展开更多
关键词 微机电系统 MEMS微夹持器 侧面压阻 微操作
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基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析 被引量:6
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作者 王家畴 荣伟彬 +1 位作者 李昕欣 孙立宁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期636-641,共6页
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减... 针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。 展开更多
关键词 体硅工艺 深度反应离子刻蚀 背片技术 面内侧面压阻 纳米级定位平台
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带有位移检测功能的纳米级定位平台 被引量:4
9
作者 王家畴 荣伟彬 +1 位作者 李昕欣 孙立宁 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第5期376-382,共7页
为了解决纳米定位平台小型化、定位精度高的问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅的、带有位移检测功能的新型二自由度微型定位平台.介绍了定位平台的工作原理,通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现定位平台的结构设计... 为了解决纳米定位平台小型化、定位精度高的问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅的、带有位移检测功能的新型二自由度微型定位平台.介绍了定位平台的工作原理,通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现定位平台的结构设计.提出了一种面内侧壁压阻加工方法,成功地在定位平台上集成了压阻位移检测传感器.实验结果表明,有效驱动电压取23.68V时,定位平台最大单轴输出位移为10μm,运动平台的定位精度优于20nm;室温下压阻传感器的阻值为4.2kΩ,击穿电压为75V,在平台输出位移为10nm时,压阻器件的灵敏度(电阻相对变化)达到了3.6×10-5,完全满足设计要求. 展开更多
关键词 体硅微加工工艺 微型定位平台 面内侧壁压阻 有限元方法 压阻灵敏度
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纳米Al_2O_3对HMX临界起爆压力的影响 被引量:4
10
作者 王作山 张景林 刘玉存 《测试技术学报》 EI 2005年第2期152-156,共5页
 采用锰铜测压法和小隔板实验(SSGT)测试了纳米Al2O3对HMX临界起爆压力影响,对纳米Al2O3在混合炸药中的作用机理进行了探讨,混合炸药的配比HMX/纳米Al2O3为98∶2,密度为90%理论密度.结果表明,与纯HMX相比,纳米Al2O3的间充作用使混合炸...  采用锰铜测压法和小隔板实验(SSGT)测试了纳米Al2O3对HMX临界起爆压力影响,对纳米Al2O3在混合炸药中的作用机理进行了探讨,混合炸药的配比HMX/纳米Al2O3为98∶2,密度为90%理论密度.结果表明,与纯HMX相比,纳米Al2O3的间充作用使混合炸药的临界起爆压力升高,冲击波感度明显降低,并给出了HMX/纳米Al2O3(98∶2)的临界起爆压力. 展开更多
关键词 锰铜压阻法 纳米AL2O3 混合炸药 临界起爆压力 冲击波感度
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压力传感器的零点电漂移与反向漏电问题 被引量:2
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作者 赵卫萍 孙以材 +1 位作者 宫云梅 常彬 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2006年第4期450-453,共4页
指出过去在标征压力传感器的指标时,忽略了力敏电阻的非线性、零点电漂移、反向漏电流,但是这些问题对压力传感器的质量却有很大的影响;重点讨论了零点电漂移,并从理论上分析指出:零点电漂移起因于力敏电阻的非线性,可利用零点电漂移消... 指出过去在标征压力传感器的指标时,忽略了力敏电阻的非线性、零点电漂移、反向漏电流,但是这些问题对压力传感器的质量却有很大的影响;重点讨论了零点电漂移,并从理论上分析指出:零点电漂移起因于力敏电阻的非线性,可利用零点电漂移消除压力传感器的零热点漂移;讨论了造成力敏电阻非线性、电漂移、漏电流的各种因素,还提出一个表明零点热漂移和反向漏电流之间与传统公式不同的关系式。 展开更多
关键词 力敏电阻非线性 零点电漂移 反向漏电流
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压敏电阻用于低真空测量的研究 被引量:2
12
作者 赵兴钰 王逊 石自光 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期330-335,共6页
研究了将压敏电阻用于低真空的测量,包括规管和电路,研制成了新型DL-4型真空计。该计测量范围为102~105Pa,性能好,价格便宜。介绍了该真空计的原理、结构与特性。
关键词 压敏电阻 压力传感器 低真空计
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一种改进型梁-岛-膜压力传感器的研究与设计 被引量:5
13
作者 郝建红 范宗皓 李艺 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第4期10-14,19,共6页
研究了一种量程为800kPa的改进型梁-岛-膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过与常见的C型和E型结构进行仿真对比,证明这种改进型结构的传感器灵敏度得到了很大提高。采用Intel liSuite仿真分析最大等效应力、挠度和输出电压,得出在中心膜尺... 研究了一种量程为800kPa的改进型梁-岛-膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过与常见的C型和E型结构进行仿真对比,证明这种改进型结构的传感器灵敏度得到了很大提高。采用Intel liSuite仿真分析最大等效应力、挠度和输出电压,得出在中心膜尺寸为2.6mm×2.6mm×60μm,梁尺寸为400μm×200μm×60μm,岛尺寸为1.3mm×1.3mm×370μm的情况下,该结构具有较高的线性度和灵敏度,同时进行了制版与加工流程定义。为了实现结构的优化,设计了压敏电阻的尺寸和阻值,通过对改进型结构的仿真,确定了获得最大电压输出时压敏电阻的尺寸;并分析比较了同一硅杯尺寸下3种结构不同压力下的最大等效应力、挠度和输出电压分布图,得出改进型结构灵敏度最佳。 展开更多
关键词 压阻式压力传感器 压敏电阻 IntelliSuite 改进型梁-岛-膜结构 MEMS 灵敏度
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基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用
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作者 孙立宁 王家畴 +1 位作者 荣伟彬 李欣昕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1589-1594,共6页
为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感... 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明,这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于0.814%,分辨率优于12.3nm. 展开更多
关键词 微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器
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微型斩波器 被引量:1
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作者 贾正根 《光电子技术》 CAS 1999年第1期69-73,共5页
光学微型斩波器是一种新型器件,主要用于热释电红外敏感器。本文 介绍它的结构、工作原理和制造工艺。
关键词 光学微型 斩波器 热释电 红外敏感器 光学微透镜
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压阻掺杂浓度对高g_n加速度计动态性能影响
16
作者 杨尊先 李昕欣 +2 位作者 于映 林丽华 陈国南 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第12期17-20,23,共5页
采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明:器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果,且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时,悬臂梁固有振动明显,... 采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明:器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果,且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时,悬臂梁固有振动明显,并且,器件动态冲击响应峰值电压随着压阻掺杂浓度升高而降低;当r在20℃附近,峰值电压随掺杂浓度变化不明显;当T〉20℃时,随着温度升高,悬臂梁固有振动频率渐受压制,传感器动态冲击响应渐表现为受加速度冲击受迫振动,且峰值电压随掺杂浓度提高而增大。在1×10”~1×10^21cm^-3。范围内,在0,20,100℃时,峰值电压差值分别为2,0,9mV。 展开更多
关键词 高gn加速度计 压阻掺杂浓度 耦合振动 动态冲击特性
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硅压阻式湿度传感器的研究
17
作者 蔡晓艳 陶涛 秦明 《电子器件》 CAS 2009年第1期200-203,共4页
本文研究了一种利用压阻原理检测相对湿度的传感器结构。改进了压阻结构,在压阻的拐弯处用Al引线代替浓硼掺杂,避免了拐弯处压阻的负压阻效应,提高了传感器的灵敏度。采用离子注入工艺制作压阻,使得硼掺杂更加均匀,提高了压阻的匹配度... 本文研究了一种利用压阻原理检测相对湿度的传感器结构。改进了压阻结构,在压阻的拐弯处用Al引线代替浓硼掺杂,避免了拐弯处压阻的负压阻效应,提高了传感器的灵敏度。采用离子注入工艺制作压阻,使得硼掺杂更加均匀,提高了压阻的匹配度。对流水出来的传感器进行测试和分析,数据结果表明:在20℃时,传感器的灵敏度为0.236 mV/%RH,最大湿滞约为5%RH,传感器有较好的线性。 展开更多
关键词 压阻 离子注入 灵敏度 线性度
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减小低压ZnO压敏电阻器漏电流的方法及其作用机理探讨 被引量:1
18
作者 杨志坚 陈寿元 《传感器世界》 1997年第9期36-38,共3页
本文分析了在配方中掺入TiO_2导致ZnO压敏电阻器漏电流增大的原因并提供了解决这了问题的成功方法.同时,就该方法的作用机理进行了探讨.
关键词 压敏电阻器 漏电流 氧化锌
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低压变频器线线间雷击浪涌6kV防护回路设计 被引量:1
19
作者 王佳佳 吕广强 《电工电气》 2014年第8期11-14,20,共5页
变频器常规浪涌防护回路在线线间雷击浪涌6kV时,变频器的绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块通常会损坏。介绍了一种低压变频器线线间雷击浪涌防护回路的设计,在常规雷击浪涌防护回路基础上外加一级电感构成LC低通滤波回路,在雷击浪涌6kV时可... 变频器常规浪涌防护回路在线线间雷击浪涌6kV时,变频器的绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块通常会损坏。介绍了一种低压变频器线线间雷击浪涌防护回路的设计,在常规雷击浪涌防护回路基础上外加一级电感构成LC低通滤波回路,在雷击浪涌6kV时可以保护变频器的IGBT模块免受击穿。利用图解法确定了压敏电阻上的残压,通过理论计算确定了电感量,并给出了线线间雷击浪涌6kV的实例分析。结果表明,在雷击浪涌为6kV时,压敏电阻与LC低通滤波回路能将变频器线线间残压限制到1200kV以内。 展开更多
关键词 变频器 雷击浪涌防护回路 压敏电阻 LC低通滤波回路
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基于切割成型的侧壁表面压阻制作及其参数优化
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作者 宋芳 王家畴 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期182-186,共5页
为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此... 为了提高MEMS执行器件对面内运动位移(或力学信号)检测的灵敏度并改善侧壁检测电阻制作工艺与其他工艺及其不同器件结构之间的兼容性问题,提出一种基于离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法。在此基础上,详细分析了影响位移检测灵敏度和分辨率的各种因素,并对侧壁压阻的结构尺寸及其工艺参数进行优化。最后,给出了侧壁表面压阻在几种不同类型典型MEMS执行器件中的应用,取得了很好的应用效果。 展开更多
关键词 MEMS DRIE 侧壁表面压阻 位移检测 参数优化
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