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PECVD生长nc-Si∶H膜的沉积机理分析 被引量：16
1
作者 彭英才 何宇亮 刘明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期283-288,共6页
nc-Si∶H膜具有显著不同于α-Si∶H与μc-Si∶H膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征nc-Si∶H与掺磷nc-Si(P)∶H膜的沉积机理。
关键词 pevcd nc-Si:H膜 沉积机理 退火处理 自组织生长
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SnO_2超微粒非晶薄膜对n-Si光电效应的影响
2
作者 王雅静 姜月顺 +1 位作者 戴国瑞 李铁津 《沈阳化工学院学报》 CAS 1998年第4期271-275,共5页
用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜．Ｘ光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ比超过化学计量比．ｎＳｉ和ＳｎＯ２／ｎＳｉ的表面光电压谱显示，ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同，光电压... 用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜．Ｘ光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ比超过化学计量比．ｎＳｉ和ＳｎＯ２／ｎＳｉ的表面光电压谱显示，ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同，光电压响应所需光强也不同．将ＳｎＯ２薄膜沉积在ｎＳｉ上，可使其光电转换效率提高３个数量级以上，并且也能使ｎＳｉ光电流和光电压有所提高． 展开更多
关键词 光电压 二氧化锡 pevcd 非晶薄膜 硅
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SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
3
作者 王永晨 杨格丹 +2 位作者 赵杰 李彦 刘明成 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期36-39,共4页
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测... 用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景. 展开更多
关键词 SiOP介质膜及 PECVD 量子阱混合QWI 电介质薄膜 激光结构 等离子体增强化学沉积法 光纤通讯
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沉积温度对类金刚石涂层表面形貌和性能的影响 被引量：2
4
作者 纪锡旺 郝俊文 +3 位作者 许振华 何利民 何志宏 甄洪滨 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期40-45,共6页
采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,在不同温度下于YG8硬质合金基体上沉积了类金刚石(DLC)涂层,探讨了沉积温度对DLC涂层结构、表面形貌、厚度、显微硬度、耐磨损性能以及界面结合性能的影响。结果表明:随着沉积温度的升... 采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,在不同温度下于YG8硬质合金基体上沉积了类金刚石(DLC)涂层,探讨了沉积温度对DLC涂层结构、表面形貌、厚度、显微硬度、耐磨损性能以及界面结合性能的影响。结果表明:随着沉积温度的升高,DLC涂层中sp3键的比例呈先增大后减小的趋势,并在160℃达到最大,为69%;沉积温度过高将导致DLC涂层出现石墨化;DLC涂层的厚度、显微硬度、耐磨损性能、界面结合力均随沉积温度的升高呈先增大后减小的趋势,当沉积温度为160℃时,涂层表面平整光滑、致密,此时涂层的厚度、显微硬度和界面结合力均达到最大,分别为3.2μm、2 395HV和63N;DLC涂层的显微硬度、抗磨损能力、厚度和界面结合强度随沉积温度的变化规律与sp3键含量密切相关。 展开更多
关键词 直流等离子体增强化学气相沉积技术 类金刚石涂层 沉积温度
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二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用 被引量：1
5
作者 张发荣 张晓丹 +2 位作者 Amanatides E Matras D 赵颖 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期208-212,共5页
建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实... 建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。 展开更多
关键词 甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-pevcd) 微晶硅 二维流体模型
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降低TFT-LCD生产成本的沉积工艺
6
作者 邓志杰（摘译） 《现代材料动态》 2009年第1期6-7,共2页
大面积TFr-LCD（薄膜晶体管．液晶显示）电视是2l世纪消费电子产品的主要成功“案例”之一，由于近年来其价格不断下降，多数消费者都买得起。在这方面TFr-LCD设备制造商也起了不小作用。以PEVCD（等离子增强化学气相沉积）为例，通过... 大面积TFr-LCD（薄膜晶体管．液晶显示）电视是2l世纪消费电子产品的主要成功“案例”之一，由于近年来其价格不断下降，多数消费者都买得起。在这方面TFr-LCD设备制造商也起了不小作用。以PEVCD（等离子增强化学气相沉积）为例，通过加大大面积衬底的加工能力，设备制造商已明显降低了单位衬底面积的生产成本， 展开更多
关键词 生产成本 TFT-LCD 沉积工艺 等离子增强化学气相沉积 设备制造商 消费电子产品 薄膜晶体管 pevcd
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