为解决大口径红外元件类金刚石(Diamond-Like Carbon,DLC)膜层的镀膜工艺难题,满足长焦距、大视场光学系统的技术需求,采用射频等离子增强化学气相沉积(Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,RF-PECVD)制备工艺方...为解决大口径红外元件类金刚石(Diamond-Like Carbon,DLC)膜层的镀膜工艺难题,满足长焦距、大视场光学系统的技术需求,采用射频等离子增强化学气相沉积(Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,RF-PECVD)制备工艺方法,基于容性耦合等离子体驻波效应及趋肤效应机理,在大口径红外元件基底制备了红外类金刚石膜。通过优化改进等离子体电场均匀性,有效降低了膜层应力并提升了其可靠性及膜层厚度均匀性。依据光学薄膜元件环境试验要求进行了高温、低温及湿热等试验,试验后膜层未出现膜层起皮、褶皱及脱落现象。结果表明,大口径红外类金刚石膜具备良好抗温度冲击及腐蚀等特性,满足光学元件镀膜的正常需求,进一步拓展了大口径DLC薄膜的制备工艺能力。展开更多
二氧化硅(SiO_(2))薄膜因其卓越的光学性能,在半导体器件、集成电路、光学涂层等领域具有巨大的应用潜力。然而,SiO_(2)薄膜制备过程中面临表面粗糙度、杂质控制和致密性等问题。为解决这些问题,研究者们通过工艺改进和表面修饰等手段...二氧化硅(SiO_(2))薄膜因其卓越的光学性能,在半导体器件、集成电路、光学涂层等领域具有巨大的应用潜力。然而,SiO_(2)薄膜制备过程中面临表面粗糙度、杂质控制和致密性等问题。为解决这些问题,研究者们通过工艺改进和表面修饰等手段来提高SiO_(2)薄膜的性能。在众多SiO_(2)薄膜制备技术中,等离子体增强化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术由于沉积SiO_(2)薄膜所需温度低、原位生长等优势,成为制备SiO_(2)薄膜最常用的方法。综述了用PECVD技术制备SiO_(2)薄膜的发展历程,并探讨了关键工艺参数和后处理工艺对薄膜质量的影响。对PECVD技术的深入研究,有助于实现对SiO_(2)薄膜生长的更精准控制,进一步拓展其广泛的应用前景。展开更多
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应...采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。展开更多
文摘为解决大口径红外元件类金刚石(Diamond-Like Carbon,DLC)膜层的镀膜工艺难题,满足长焦距、大视场光学系统的技术需求,采用射频等离子增强化学气相沉积(Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,RF-PECVD)制备工艺方法,基于容性耦合等离子体驻波效应及趋肤效应机理,在大口径红外元件基底制备了红外类金刚石膜。通过优化改进等离子体电场均匀性,有效降低了膜层应力并提升了其可靠性及膜层厚度均匀性。依据光学薄膜元件环境试验要求进行了高温、低温及湿热等试验,试验后膜层未出现膜层起皮、褶皱及脱落现象。结果表明,大口径红外类金刚石膜具备良好抗温度冲击及腐蚀等特性,满足光学元件镀膜的正常需求,进一步拓展了大口径DLC薄膜的制备工艺能力。
文摘二氧化硅(SiO_(2))薄膜因其卓越的光学性能,在半导体器件、集成电路、光学涂层等领域具有巨大的应用潜力。然而,SiO_(2)薄膜制备过程中面临表面粗糙度、杂质控制和致密性等问题。为解决这些问题,研究者们通过工艺改进和表面修饰等手段来提高SiO_(2)薄膜的性能。在众多SiO_(2)薄膜制备技术中,等离子体增强化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术由于沉积SiO_(2)薄膜所需温度低、原位生长等优势,成为制备SiO_(2)薄膜最常用的方法。综述了用PECVD技术制备SiO_(2)薄膜的发展历程,并探讨了关键工艺参数和后处理工艺对薄膜质量的影响。对PECVD技术的深入研究,有助于实现对SiO_(2)薄膜生长的更精准控制,进一步拓展其广泛的应用前景。
文摘采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。
