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支持ONFI协议的NAND Flash控制器设计 被引量：4
1
作者 张远航 宋鹏程 +2 位作者 张亚朋 郑哲 张春 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第5期26-29,共4页
完成以NAND Flash为存储芯片支持ONFI协议的固态硬盘控制器设计,并通过相关功能仿真验证.整体架构以MicroBlaze软核作为控制中心,基于AXI总线完成数据传输,控制器中指针控制器逻辑有效实现写操作中数据流乒乓结构,提高数据吞吐率,同时... 完成以NAND Flash为存储芯片支持ONFI协议的固态硬盘控制器设计,并通过相关功能仿真验证.整体架构以MicroBlaze软核作为控制中心,基于AXI总线完成数据传输,控制器中指针控制器逻辑有效实现写操作中数据流乒乓结构,提高数据吞吐率,同时主控模块内部逻辑优化实现对NAND Flash芯片更高效的读写操作.验证结果表明控制器各操作时序严格满足ONFI协议标准,满足了设计要求. 展开更多
关键词 固态硬盘 控制器 NAND FLASH onfi协议
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支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash PHY设计
2
作者 张蓉 徐静平 钟德刚 《计算机与数字工程》 2013年第12期2024-2026,2029,共4页
论文设计了一种能支持ONFI 2.1与Toggle 1.0模式的NAND Flash PHY,完成了其读写通道、地址与控制逻辑的设计,并采用读门控电路消除DQS读前后的毛刺。功能仿真与静态时序分析结果表明,PHY的设计达到了ONFI与Toggle标准时序要求。NAND Fla... 论文设计了一种能支持ONFI 2.1与Toggle 1.0模式的NAND Flash PHY,完成了其读写通道、地址与控制逻辑的设计,并采用读门控电路消除DQS读前后的毛刺。功能仿真与静态时序分析结果表明,PHY的设计达到了ONFI与Toggle标准时序要求。NAND Flash PHY面积为45245.5μm2,动态功耗为1.16mW,静态功耗为95.8μW。 展开更多
关键词 onfi TOGGLE 源同步 DDR 写通道 读通道
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基于ONFI标准的NAND Flash控制器设计与仿真
3
作者 汪莉莉 吴帅 《集成电路应用》 2020年第7期4-7,共4页
针对NAND Flash操作复杂性较高的问题,设计一个支持ONFI标准的NAND Flash控制器,实现处理器与NAND Flash之间的无缝连接。采用Xilinx ISE设计工具和VHDL语言,分引脚、寄存器与缓存、时钟控制和状态机4个部分开展设计,并用Modelsim SE软... 针对NAND Flash操作复杂性较高的问题,设计一个支持ONFI标准的NAND Flash控制器,实现处理器与NAND Flash之间的无缝连接。采用Xilinx ISE设计工具和VHDL语言,分引脚、寄存器与缓存、时钟控制和状态机4个部分开展设计,并用Modelsim SE软件进行了仿真验证。结果满足需要。 展开更多
关键词 集成电路 onfi标准 NAND Flash 控制器 仿真
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基于FPGA的NAND闪存控制器的设计与验证 被引量：5
4
作者 王柯 姜一扬 +1 位作者 张黄鹏 姜丹丹 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2018年第A02期254-257,共4页
为解决NAND闪存控制器的构架设计和硬件测试问题,提出了一种NAND闪存控制器的设计方案,搭建了基于上位机控制的高效硬件测试平台。该构架基于ZYNQ软核,通过GPIO总线将来自上位机的操作命令和数据传输给控制器,然后控制器产生控制信号给... 为解决NAND闪存控制器的构架设计和硬件测试问题,提出了一种NAND闪存控制器的设计方案,搭建了基于上位机控制的高效硬件测试平台。该构架基于ZYNQ软核,通过GPIO总线将来自上位机的操作命令和数据传输给控制器,然后控制器产生控制信号给芯片;该测试平台基于ONFI 3. 2协议,利用LDO实现Vcc和Vccq的电压开启要求,达到Flash芯片开启条件。在充分仿真验证控制器时序、功能的基础上,利用搭建的硬件测试平台进行板级验证。最终结果表明,所提方案能够满足NAND闪存驱动控制要求。 展开更多
关键词 NAND闪存 onfi 控制器 上位机
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星载同步NANDFlash的研究与应用 被引量：1
5
作者 张俊杰 沈霞宏 +2 位作者 徐瑞瑞 王盛 王冠雄 《无线电工程》 2019年第1期86-90,共5页
针对新型星载存储系统的超高速读写需求,基于XILINX FPGA平台对Micron公司的同步NANDFlash存储芯片的应用进行了研究,分析了该NANDFlash芯片硬件设计的信号完整性,对NANDFlash操作时序进行了分析,并设计了一种支持ONFI2. 2标准源同步模... 针对新型星载存储系统的超高速读写需求,基于XILINX FPGA平台对Micron公司的同步NANDFlash存储芯片的应用进行了研究,分析了该NANDFlash芯片硬件设计的信号完整性,对NANDFlash操作时序进行了分析,并设计了一种支持ONFI2. 2标准源同步模式的NANDFlash控制器,通过Modelsim对所设计的控制器进行了仿真并在存储板上进行了验证。仿真与测试结果表明,设计的控制器工作稳定,其单芯片读写速率可达1 598/1 340 Mbps,能够满足新一代星载高速存储系统的需求。 展开更多
关键词 NANDFLASH onfi 阻抗匹配 固态存储器 源同步
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基于Miron NAND Flash的弹载数据记录器的设计 被引量：5
6
作者 孙伟 张会新 《计算机测量与控制》 北大核心 2014年第8期2595-2596,共2页
为解决传统以三星NAND Flash为基础的弹载数据记录器存储容量有限、存储速度难以提升的问题,以兼容ONFI2.2协议的MT29F32G08ABAAA为存储芯片,采用高效流水线操作以及无效块管理的逻辑设计,对芯片工作模式进行合理配置,设计了新一代数据... 为解决传统以三星NAND Flash为基础的弹载数据记录器存储容量有限、存储速度难以提升的问题,以兼容ONFI2.2协议的MT29F32G08ABAAA为存储芯片,采用高效流水线操作以及无效块管理的逻辑设计,对芯片工作模式进行合理配置,设计了新一代数据记录器;介绍了该记录器的工作特性、能够满足特殊环境要求的硬件设计和基于高效流水线操作以及无效块管理的高速逻辑设计,最终实现了写入速度为56MB/s、存储容量为4G的高速大容量数据记录器。 展开更多
关键词 MT29F32G08ABAAA ONF12 2协议 高速 数据记录器
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质子泵抑制剂干预疗程对非甾体类抗炎药溃疡性再出血的影响 被引量：18
7
作者 陈会松 叶国良 +2 位作者 程德希 盛红 谢韵琴 《实用医学杂志》 CAS 北大核心 2009年第11期1769-1770,共2页
目的:探讨质子泵抑制剂(proton pump inhibitor,PPI)不同干预疗程对非甾体类抗炎药((non-steroidal anti-inflammatory drugs,NSAIDs)所致消化性溃疡并出血的治疗作用。方法:将我院门诊及住院确诊因服用非甾体类抗炎药致上消化道出血的... 目的:探讨质子泵抑制剂(proton pump inhibitor,PPI)不同干预疗程对非甾体类抗炎药((non-steroidal anti-inflammatory drugs,NSAIDs)所致消化性溃疡并出血的治疗作用。方法:将我院门诊及住院确诊因服用非甾体类抗炎药致上消化道出血的118例患者分为3组:A组服用PPI2～3个月后停服,B组应用PPI>12个月并拟继续应用,C组同时应用PPI及胃黏膜保护剂,疗程同B组。比较3组患者1年内上消化道再出血发生率的高低。结果:A组患者1年内再出血发生率约为33.0%(10/30),B组患者1年内再出血发生率约为8.0%(4/53),C组患者一年内再出血发生率约为6.0%(2/35),B组及C组患者再出血发生率均显著低于A组(P<0.01),而B组患者与C组患者再出血发生率比较无明显差异(P>0.05)。结论:PPI干预疗程(<3个月)不能减少上消化道再出血的发生率。长期干预治疗(疗程>1年)可明显减少非甾体类抗炎药所致上消化道出血及再出血的发生率。是否合用胃黏膜保护剂对上消化道再出血发生率无明显影响。 展开更多
关键词 溃疡 非甾体类抗炎药 再出血 质子泵抑制剂 干预疗程
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