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可控变质量高阶非完整系统Nielsen自然方程
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作者 陈立群 冯冠民 《吉林工业大学学报》 CSCD 1993年第2期48-54,共7页
本文应用万有D’Alembert原理把Nielsen自然方程推广到可控变质量高阶非完整系统,分别给出了广义坐标和准坐标的表述,最后证明了该方程与可控变质量高阶非完整系统广义Nielsen方程的等价性。
关键词 变质量 可控系统 非完整系统
原文传递
InGaAsP器件质子位移损伤等效性研究 被引量:3
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作者 黄绍艳 刘敏波 +6 位作者 郭晓强 肖志刚 盛江坤 王祖军 姚志斌 何宝平 唐本奇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1701-1705,共5页
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIE... 对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIEL进行了计算。以InGaAsP多量子阱激光二极管为研究对象,开展了4、5和8 MeV质子辐照实验,获得了激光二极管的阈值电流损伤系数。研究结果表明:实验用不同能量质子辐射环境下的阈值电流损伤系数测试结果与NIEL理论计算结果之间呈线性关系。 展开更多
关键词 INGAASP NIEL 位移损伤 等效性
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^(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算 被引量:2
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作者 陈世彬 陈雨生 +1 位作者 黄流兴 张义门 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第5期415-419,共5页
本文提出了计算高能电子和 非电离能量损失 (NIEL)的 Monte Carlo方法 ,首次利用 Monte Carlo方法计算了高能电子和 6 0 Co 的 NIEL.给出了电子和 6 0 Co 在半导体硅材料中产生的 NIEL和缺陷分布 .计算结果与文献的比较表明模型是合理的 .
关键词 辐射损伤 钴60 高能电子 NIEL 蒙特卡罗
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三结GaAs太阳电池粒子辐照位移损伤模型简化 被引量:3
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作者 呼文韬 张岩松 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期401-403,421,共4页
空间三结GaAs太阳电池粒子辐照衰降模型建立的难点在于以往的模型需要对三结电池逐层分析分别建模然后再统一到一起,通过对三结电池三个子电池耐辐照能力进行分析再结合粒子入射过程中连续慢化原理及薄靶近似原理对质子的非电离能损进... 空间三结GaAs太阳电池粒子辐照衰降模型建立的难点在于以往的模型需要对三结电池逐层分析分别建模然后再统一到一起,通过对三结电池三个子电池耐辐照能力进行分析再结合粒子入射过程中连续慢化原理及薄靶近似原理对质子的非电离能损进行了修正,从而将三结电池的辐照衰降模型简化为单结模型。 展开更多
关键词 三结GaAs电池 粒子辐照 衰降 位移损伤模型 NIEL
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本特松《平均律钢琴曲集》赋格曲研究
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作者 张尧 《黄钟(武汉音乐学院学报)》 CSSCI 北大核心 2012年第2期74-83,共10页
本文将从多元性的主题形态、多项性的答题方式、织体构成的多面性、赋格结构的多样性四个方面分析说明本特松的《平均律钢琴曲集》,进一步揭示其赋格曲创作思维。并希望通过笔者的分析、研究,引起学术界对现代复调技法与古老复调体裁—... 本文将从多元性的主题形态、多项性的答题方式、织体构成的多面性、赋格结构的多样性四个方面分析说明本特松的《平均律钢琴曲集》,进一步揭示其赋格曲创作思维。并希望通过笔者的分析、研究,引起学术界对现代复调技法与古老复调体裁——赋格曲相结合的关注,进一步深入了解和认识。并为丰富现代复调的教学内容及现代音乐的创作,提供某种参考。 展开更多
关键词 本特松(niels Viggo Bentzon 1919-2000) 复调 赋格曲 《平均律钢琴曲集》 创作思维
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LET和NIEL的格式乱象及规范化建议
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作者 刘德敏 庞立 +1 位作者 徐永红 张玮 《科教导刊》 2018年第9期62-64,共3页
LET和NIEL是辐射物理领域中常见的两个缩写符号,在各种期刊上出现时,正文中存在正斜体形式不一致问题,公式中存在缩写名称作为量符号使用及量符号形式随意混乱等问题。通过查阅文献和分析认为,正文中LET用斜体形式是错误的,公式中无论... LET和NIEL是辐射物理领域中常见的两个缩写符号,在各种期刊上出现时,正文中存在正斜体形式不一致问题,公式中存在缩写名称作为量符号使用及量符号形式随意混乱等问题。通过查阅文献和分析认为,正文中LET用斜体形式是错误的,公式中无论是用正体或斜体的缩写名称作为量符号使用都是错误的,提出了用"ELET"表示LET和用"ENIEL"表示NIEL的建议。同时,对LET的中文量名称也进行了探讨,认为"传能线密度"及"线性能量转移"可能不是LET的最佳量名称,在辐射物理领域没有给出规范的中文量名称时,提出用"线性转移能量"和"非电离损失能量"分别作为LET和NIEL的中文量名称,供辐射物理学界专家和编辑同行参考。 展开更多
关键词 LET NIEL 编辑 格式 规范化
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Clinical eHealth英文杂志简介
7
作者 《元宇宙医学》 2024年第1期65-65,共1页
在2024年的新年钟声敲响之际,Clinical eHealth(CEH)在主编白春学教授、Niels H.Chavannes教授与其他编委、作者、读者及合作伙伴的支持和帮助下,学术影响力越来越大,2023年12月Cite Score达到了7.2。随着国际元宇宙医学协会(IAMM)在美... 在2024年的新年钟声敲响之际,Clinical eHealth(CEH)在主编白春学教授、Niels H.Chavannes教授与其他编委、作者、读者及合作伙伴的支持和帮助下,学术影响力越来越大,2023年12月Cite Score达到了7.2。随着国际元宇宙医学协会(IAMM)在美国成功注册,CEH被定为该协会的官方期刊。 展开更多
关键词 niels H.Chavannes 白春学
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低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损
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作者 周志祥 《电子科技》 2016年第12期191-193,共3页
分析了新型光电器件在常规空间辐射环境下,电子器件所产生的一系列位移型损伤及对应成因。经多次对比实验发现,其位移损伤和器件失效主要由非电离能损(NIEL)所诱发。其根本损耗来源为:在低能空间状态下,库仑间的相互作用力将凸显,并逐... 分析了新型光电器件在常规空间辐射环境下,电子器件所产生的一系列位移型损伤及对应成因。经多次对比实验发现,其位移损伤和器件失效主要由非电离能损(NIEL)所诱发。其根本损耗来源为:在低能空间状态下,库仑间的相互作用力将凸显,并逐渐占据主导地位。而当前主要采用的散射微分截面法,如Mott-Rutherford型散射法,均无法有效屏蔽核外电子间存在的库仑作用力影响,从而导致大量非电离能损产生。由此,文中结合非电离能损特性及成因,在解析算法基础上结合Monte-Carlo推衍方法,以SRIM程序模拟并推算出较精确的低能质子在半导体材料(以Si、Ga AS为例)中的NIEL数值量级,同时参照薄靶近似思想改良实验。实验数据规律表明,能量总值为1 ke V的低能质子材料中NIEL评测数值量级大约为Ga As质子材料的1/5、Summers数值量级的1/3,这一结果将为航天材质设计和改良提供重要的参考。 展开更多
关键词 低能质子 半导体材料 NIEL非电离能损 Si、GaAs
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灵感工厂想象人物插画
9
《计算机光盘软件与应用(COMPUTER ARTS数码艺术)》 2009年第11期108-110,共3页
凭借自有人物插画的自有品牌稳步前进着,Niel
关键词 人物 插画 工厂 灵感 NIEL Quisaba
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A Planar Atom Model of Helium Based on Well-Defined Electron Trajectories
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作者 Thomas Allmendinger 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2025年第7期2343-2353,共11页
The original intention of the author’s preoccupation with the quantum-me-chanical behaviour of simple atoms and molecules such as Hydrogen and He-lium was,on the one hand,the elegant simplicity of Niels Bohr’s atom ... The original intention of the author’s preoccupation with the quantum-me-chanical behaviour of simple atoms and molecules such as Hydrogen and He-lium was,on the one hand,the elegant simplicity of Niels Bohr’s atom model for Hydrogen,describing the metastable states of the excited electrons by pla-nar concentric electron orbits,and,on the other hand,the hardly intelligible wave mechanical approach of Heisenberg,Schrödinger and others,describing mainly atoms with multiple electrons by three-dimensional orbitals which were characterized by probabilities of presence.Thereby the question arose whether it would be possible to find alternative atom models with well-defined electron trajectories.Therein,Louis de Broglie’s thesis of the wavy nature of electron motion implicating standing waves would have to be implemented.Nevertheless,as reviewed in the introduction,the orthodox three-dimensional concept influenced the own thinking in such a way that three-dimensional constellations for the electronic excited states were conceived.The break-through was achieved for the electronic ground state in the form of the spin-orbit coupling where the spin acts as a perpetuum mobile,inducing the orbital angular momentum h/2π.Furthermore,the insight was gained that a circu-larly rotating electron intrinsically corresponds to a harmonic oscillator,thus fulfilling the condition of a standing wave.Based on this concept,a double planar model was established for the H2-molecule which could be empirically verified by X-ray data from literature.However,for the two electrons contain-ing Helium a 2D-array seemed impossible since the Pauli-principle seemed to be violated.After a long stepwise succession of 3D-attempts which turned out to be impossible—not least since eccentric forces are not possible in such a system—the here presented 2D-version for Helium was found,composed by two imaginary orthogonal electron orbits.It will enable in a subsequent pub-lication the quantum mechanical interpretation of the thermal-radiative be-haviour of Helium which was reported in the author’s publication nine years ago. 展开更多
关键词 Atom-Model of niels Bohr Questioning of the Orthodox QUANTUM-MECHANICS Spin-Orbit Coupling of Electrons Atomic Radius of Helium
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质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算 被引量:8
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作者 陈世彬 张义门 +2 位作者 陈雨生 黄流兴 张玉明 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2001年第4期365-370,共6页
在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失 (NIEL)和电离能量损失 (IEL)程序 ,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了 1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等 ,并对计算结果进行了分析... 在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上 ,编写了计算中子非电离能量损失 (NIEL)和电离能量损失 (IEL)程序 ,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了 1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等 ,并对计算结果进行了分析和比较 . 展开更多
关键词 中子损伤 计算机模拟 蒙特卡罗 能量沉积 质子损伤 半导体器件辐射 非电离能量损失(NIEL) 电离能量损失(IEL) 中子截面 粒子与物质相互作用
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