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题名掺Ti的Nb_(3)Sn的热容研究
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作者
崔长庚
蒋华
金铎
何牧
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机构
中国科学院物理研究所
中国科学院上海冶金研究所
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出处
《科学通报》
1986年第9期657-658,共2页
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文摘
在采用Nb管富Sn法制备的多芯Nb_(3)Sn复合线中掺Ti能显著提高超导临界参量,但其原因还不清楚。Foner等人研究结果表明,立方结构的Nb_(3)Sn的上临界场Hc_(2)(O)为29T,而四方相Nb_(3)Sn的上临场为25T。
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关键词
nb_sn
超导临界参量
掺Ti
热容
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分类号
O511
[理学—低温物理]
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题名关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性
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作者
雷啸霖
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机构
中国科学院上海冶金研究所
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出处
《科学通报》
1981年第20期1249-1252,共4页
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文摘
一、引言 验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_(3)Sn,Nb_(3)Al和Nb_(3)Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ_(0)+αT^(2)的规律描写;V_(3)Si的电阻率似乎比T^(2)增加得略快一些;Nb_(3)Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15-25K之间接近T^(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_(3)Si,低温电阻率显示了更快的变化。
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关键词
nb_sn
低温电阻率
A15化合物
温度依赖性
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分类号
O482.5
[理学—固体物理]
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